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[发明专利]电容器和包括电容器的DRAM器件-CN202211657948.5在审
发明人：赵哲珍;辛瑜暻;郑昌和;金铉埈;林汉镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：电容器包括：下电极；介电层结构，设置在下电极上；以及上电极，设置在介电层结构上。介电层结构包括第一介电层、接触第一介电层的第二介电层、以及接触第二介电层的第三介电层。第一介电层、第二介电层和第三介电层中的每一个包括具有晶体结构的材料。第二介电层包括具有铁电或反铁电特性的氧化物，并且第二介电层包括混合了至少两种不同晶相的材料。
电容器包括 dram 器件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410077737.3有效
发明人：李冠儒;江昱维 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体结构包括一基板、一第一导电结构、一第二导电结构、介电结构、介电层、一第一导电插塞、及一第二导电插塞。第一导电结构位于基板上。第二导电结构位于基板上，并具有材料异于第一导电结构的一上导电部分。介电结构包括一上介电部分与一下介电部分。介电层介于上介电部分与下介电部分之间，且材料异于上介电部分与下介电部分。第一导电插塞仅穿过上介电部分、介电层与下介电部分，以物性且电性接触第一导电结构。第二导电插塞穿过上介电部分、介电层与下介电部分，以物性且电性接触第二导电结构。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法-CN200710138378.8有效
发明人：余振华;卢永诚;郑培仁;周家政;林耕竹;柯忠祁;包天一;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构及其制造方法。该双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构包括底层介电层和顶层介电层。底层介电层与顶层介电层的原子成分相同，但介电常数值较高，且底层介电层成为顶层介电层的蚀刻停止层，顶层介电层可作为化学机械研磨停止层。双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法包括形成具有第一成孔剂含量的底层介电层；形成顶层介电层，其成孔剂含量较上述第一成孔剂含量高；进行固化工艺，以使底层介电层残留的成孔剂含量比顶层介电层少。本发明使得顶部介电层的介电常数较低，同时维持与现有技术较高介电常数的单层介电层同样的薄膜硬度，并可降低工艺成本。
双层多孔性介电层半导体介电层内连线结构制造方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202110151249.2在审
发明人：许智育;陈建豪;陈嘉伟;廖善美;陈蕙祺;梁育嘉;林士豪;林揆伦;游国丰;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种晶体管包括具有第一栅极介电层和第二栅极介电层的栅极结构。第一栅极介电层设置在衬底上方。第一栅极介电层包含具有第一介电常数的第一类型的介电材料。第二栅极介电层设置在第一栅极介电层上方。第二栅极介电层包含具有第二介电常数的第二类型的介电材料。第二介电常数大于第一介电常数。第一介电常数和第二介电常数各自大于氧化硅的介电常数。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202011474197.4在审
发明人：罗廷亚;黄心岩;李劭宽;邓志霖;李承晋;陈海清;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体结构包括层间介电层、导电通孔、多个导电线路、介电结构及介电盖层。层间介电层位于基板上，导电通孔位于层间介电层中，多个导电线路位于层间介电层上。导电线路包括第一导电线路，其横向偏离第二导电线路。介电结构横向地位于第一导电线路与第二导电线路之间。介电结构包括第一介电衬垫层、介电层与气隙。气隙位于第一介电衬垫层的上表面与介电层的下表面之间。介电盖层沿着介电结构的上表面，介电盖层连续地沿伸于介电结构的两侧侧壁之间，且横向偏离导电线路。
半导体结构

[发明专利]形成介电结构的方法以及半导体结构-CN200810005454.2无效
发明人：陈奕伊;蔡方文;吴振诚;包天一;郑双铭;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低介电系数介电层上；以及同时熟化低介电系数介电层及低介电系数帽盖层，以移除第一及第二成孔剂，使产生第一孔隙度于低介电系数介电层中，及第二孔隙度于低介电系数帽盖层中。优选地，低介电系数介电层及低介电系数帽盖层包含一组共同的前趋物及成孔剂，且原位进行。
形成结构方法以及半导体

[发明专利]相变化光盘片-CN200410005932.1无效
发明人：陈宏伦 -专利权人：精碟科技股份有限公司
申请日： 2004-02-24 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化光盘片，包含一基板、一第一介电层、一第二介电层、一第三介电层、一记录层、一第四介电层、以及一反射层。其中，第一介电层形成于基板上，第二介电层形成于第一介电层上，第二介电层的折射率(n2)大于第一介电层的折射率(n1)，第三介电层形成于第二介电层上，第三介电层的折射率(n3)小于第二介电层的折射率(n2)，记录层形成于第三介电层上，第四介电层形成于记录层上，反射层形成于第四介电层上。
相变盘片

[发明专利]复合材料结构、包括复合材料的电路板结构与其形成方法-CN200910202902.2有效
发明人：余丞博 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2009-05-18 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种复合材料电路板结构，包括一基材、一复合材料介电层以及一图案化导线层。复合材料介电层是位于基材上，并包括一催化介电层及一保护介电层。催化介电层包括一介电材料与一催化颗粒并接触基材，而保护介电层包括此介电材料并接触催化介电层。图案化导线层则位于催化介电层上。
复合材料结构包括电路板与其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN201910870896.1在审
发明人：许峻豪;柯宇骏;梁育彰;赖高廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体结构包括多个半导体鳍状物，凸出基板；多个介电鳍状物，凸出基板且位于半导体鳍状物之间；以及栅极堆叠，位于半导体鳍状物与介电鳍状物上。介电鳍状物包括第一介电材料层、位于第一介电材料层上的第二介电材料层、以及位于第二介电材料层上的第三介电材料层，其中第一介电材料层与第二介电材料层的组成不同，且第一介电材料层与第三介电材料层的组成相同。
半导体结构

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202210152098.7在审
发明人：潘谊纹;柯忠祁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包含基板、晶体管、第一介电质层、金属接触、第一低k介电质层、第二介电质层、第一金属特征。晶体管位于基板上方。第一介电质层位于晶体管上方。金属接触位于第一介电质层内并与晶体管电连接。第一低k介电质层位于第一介电质层上方。第二介电质层位于第一低k介电质层且第二介电质层的一介电常数高于第一低k介电质层的一介电常数。第一金属特征延伸穿越第二介电质层和第一低k介电质层至金属接触。
集成电路结构及其形成方法

[实用新型]一种隔糊挡板装置-CN202222795017.3有效
发明人：郝广林;赵习军 -专利权人：协扬机械（广东）有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B31F1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种隔糊挡板装置，包括糊台座和两组隔糊机构，两组隔糊机构分别设置在糊台座的左右两侧，每一隔糊机构包括隔糊板和传动驱动组件，传动驱动组件设置在糊台座上，传动驱动组件的输出端与隔糊板连接并能驱动隔糊板沿糊台座的左右移动，隔糊板的上侧设有与糊轮的下部配合第一隔糊凹槽，隔糊板的下侧设有与刮糊轮的下部配合的第二隔糊凹槽，糊台座上设有用于检测原纸宽度的光幕传感器，光幕传感器与控制器电连接，两组隔糊机构中的传动驱动组件均与控制器电连接采用本实用新型，能够调整左右两侧的隔糊板以控制糊轮上糊宽度与原纸宽度一致，节省了由于原纸幅宽的实时变化需要人工频繁两个隔糊板的位置的操作，有效减小糊轮飞糊。
一种挡板装置

[发明专利]半导体基板及其制法-CN201310751011.9有效
发明人：张维哲 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体基板及其制法，该制法包括：于一基板本体上形成第一介电层；形成多个贯穿该第一介电层且外露该基板本体的第一介电层盲孔；于该第一介电层上与外露的该基板本体上形成第二介电层，且该第二介电层还延伸至该第一介电层盲孔的孔壁上；蚀刻该第二介电层，以于该第二介电层中形成多个连通该第一介电层盲孔的介电层凹槽，并于各该第一介电层盲孔中的第二介电层中形成外露该基板本体的第二介电层盲孔，且该第一介电层盲孔的孔壁上保留有该第二介电层；以及于各该第二介电层盲孔中形成电性连接该基板本体的导电盲孔，并于该介电层凹槽中形成电性连接该导电盲孔的线路层。
介电层盲孔基板本体外露制法半导体基板导电盲孔电性连接孔壁蚀刻线路层连通保留贯穿延伸

[发明专利]磁介电基板、电路材料和具有其的组件-CN201580052765.2在审
发明人：克里斯季·潘采;卡尔·什普伦托尔;穆拉利·塞瑟马达范 -专利权人：罗杰斯公司
申请日： 2015-10-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：磁介电基板包括第一介电层；与第一介电层间隔开的第二介电层；以及布置在第一介电层和第二介电层之间并与第一介电层和第二介电层密切接触的至少一个磁性增强层。
磁介电基板电路材料具有组件

[发明专利]内连接结构-CN202210314558.1在审
发明人：郑凯方;张孝慷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种内连接结构，包括一第一介电层、一第一导电特征部件、一第二介电层、一导电层、一衬层、一第三介电层、一第二导电特征部件以及一第一上盖层。第一导电特征部件设置于第一介电层内。第二介电层形成于第一介电层上，且第二介电层与第一介电层直接接触。导电层设置于第二介电层内。衬层设置于导电层与第二介电层之间。第三介电层形成于第二介电层上第二导电特征部件设置于第三介电层内。第一上盖层设置于第二导电特征部件与第三介电层之间。
连接结构

[发明专利]介电谐振器天线、天线模块以及电子装置-CN202210201598.5在审
发明人：李杬澈;金元基;柳正基;李炯眞;林大气;朴柱亨;安成庸 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本公开提供一种介电谐振器天线、天线模块以及电子装置。所述介电谐振器天线包括：第一介电材料块；第二介电材料块，在第一方向上堆叠在所述第一介电材料块上；结合层，设置在所述第一介电材料块和所述第二介电材料块之间，并且结合到所述第一介电材料块和所述第二介电材料块；馈电件，设置在所述第一介电材料块上；馈电图案，设置在所述第一介电材料块和所述第二介电材料块之间并且连接到所述馈电件；以及天线贴片，设置在所述第一介电材料块和所述第二介电材料块之间并且与所述馈电图案间隔开
谐振器天线模块以及电子装置