专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种玻璃切割方法-CN202310472649.2在审
  • 李夏;张维哲;蒋仕彬 - 杭州银湖激光科技有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-06-27 - B23K26/067
  • 本发明公开了一种玻璃切割方法,提供一激光装置,所述激光装置的具有第一波长的信号光和第二波长的泵浦光,泵浦光在放大器中被吸收转换为信号光,其特征在于:出射激光束由信号光和未吸收的残留泵浦光构成,所述残留泵浦光的能量大于泵浦光总能量的15%,采用波长分光器件将出射激光束分成两束,被分离的残留泵浦光经过一扩束系统调节尺寸后再重新合束,聚焦在待加工玻璃上,由出射信号光束在玻璃中形成微裂纹,由调制后的残留泵浦光束使玻璃中的微裂纹受控制地扩展,使聚焦后的激光光斑沿切割路径扫描待加工玻璃,实现对玻璃的切割。本发明只需要一个激光光源在一道工序中即能完成对玻璃的切割。
  • 一种玻璃切割方法
  • [发明专利]一种玻璃的激光切割方法-CN202310481957.1在审
  • 李夏;张维哲;蒋仕彬 - 杭州银湖激光科技有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-06-13 - B23K26/38
  • 本发明公开了一种玻璃切割方法,提供一激光装置,激光装置的具有第一波长的信号光和第二波长的泵浦光,其特征在于:残留泵浦光的能量大于泵浦光总能量的15%,采用波长分光器件将出射激光束分成两束,被分离的残留泵浦光经过一偏移光路后与出射信号光束形成平行光束,出射信号光束和残留泵浦光束分别聚焦在待加工玻璃上,聚焦后的激光光斑沿切割路径扫描待加工玻璃,残留泵浦光束的聚焦光斑在扫描方向上位于出射信号光束的聚焦光斑的后侧,由出射信号光束在玻璃中形成微裂纹,随后残留泵浦光束使玻璃中的微裂纹受控制地扩展,实现对玻璃的切割。本发明只需要一个激光光源在一道工序中即能完成对玻璃的切割。
  • 一种玻璃激光切割方法
  • [实用新型]一种电缆推送设备-CN202320067298.2有效
  • 王浩;刘耀磊;张东星;张维哲;杨富海;王亚飞;耿岩 - 河北皓昌工程项目管理有限公司
  • 2023-01-10 - 2023-06-09 - H02G1/06
  • 本实用新型公开一种电缆推送设备,包括底座、升降机构、升降平台、支架组件、控制组件;底座的底部安装有支腿,支腿内安装有伸缩轮组件;升降机构安装在底座上,升降机构的顶部安装有照明灯;升降平台安装在升降机构的升降端,升降平台的顶面上安装有第一气缸,升降平台的顶面上开设有第一滑槽;支架组件固接在第一气缸的活塞端,并且与第一滑槽滑动连接,支架组件上安装有若干并排间隔设置的抓夹电机,抓夹电机的抓夹上固接有防滑结构;控制组件安装在底座上。本实用新型可减少敷设过程中电缆的弯曲和滑动,实现电缆的平稳夹持和移动,同时对环境进行照明,有效提高电缆敷设的效率。
  • 一种电缆推送设备
  • [实用新型]一种带制动机构的电缆放线装置-CN202320067011.6有效
  • 王浩;刘耀磊;张东星;张维哲;杨富海;王亚飞;耿岩 - 河北皓昌工程项目管理有限公司
  • 2023-01-10 - 2023-05-16 - B65H59/04
  • 本实用新型涉及电缆放线装置技术领域,特别是涉及一种带制动机构的电缆放线装置,包括两支撑机构,两支撑机构之间转动连接有转动杆,转动杆的外侧壁上套设有卷线轴,转动杆与卷线轴之间设置有限位机构,转动杆与任一支撑机构之间设置有制动机构;制动机构包括固接在支撑机构上的承载盘,承载盘与转动杆转动连接,承载盘位于支撑机构靠近卷线轴的一侧,承载盘位于制动盘内,承载盘与制动盘之间设置有制动组件,制动盘固接在转动杆上,制动盘、承载盘以及转动杆同轴设置。本实用新型可以在放线时及时对卷线轴进行制动,避免了多余线缆的放出,降低了工人收线的劳动强度,提高了电缆放线的效率。
  • 一种制动机构电缆放线装置
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111262167.1在审
  • 田中义典;张维哲 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-10-28 - 2023-05-02 - H10B12/00
  • 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法,该半导体结构包括基板、沟槽、第一导电层、第二导电层、第三导电层、源极区域与漏极区域、位线接触物及储存节点接触物。沟槽设置于基板中。第一导电层设置于沟槽中。第二导电层设置于第一导电层的顶表面上。第三导电层设置于第一导电层的顶表面上,且与第二导电层电连接。源极区域与漏极区域设置于基板中,且设置于第一导电层的相对侧。位线接触物设置于源极区域与漏极区域中的一个上,且储存节点接触物设置于源极区域与漏极区域中的另一个上。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]监控与控制半导体工艺的方法与系统-CN202111138758.8在审
  • 颜英竹;张维哲 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-09-27 - 2023-03-31 - H01L21/66
  • 本发明提供一种监控与控制半导体工艺的方法与系统。所述方法包括:在一基底形成至少一有源区域;形成至少一所述有源区域之后,在至少一所述有源区域上形成用于定义至少两个字线的第一图案化光致抗蚀剂层;检测及测量至少一所述有源区域与所述第一图案化光致抗蚀剂层的位置及尺寸,并依据至少一位线的预定义位置计算至少一所述有源区域中的至少两个预估接触窗的预估面积;依据至少一所述有源区域中的至少两个预估接触窗的所述预估面积来调整至少一所述位线的所述预定义位置;以及,在所述基底上形成第二图案化光致抗蚀剂层,第二图案化光致抗蚀剂层对应经调整的位线的预定义位置。
  • 监控控制半导体工艺方法系统
  • [发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN202110141098.2在审
  • 魏宏谕;彭培修;张维哲 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-02-01 - 2022-08-02 - H01L27/108
  • 本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法。此动态随机存取存储器包括埋入式字线、位线、位线接触结构、电容接触结构及气隙结构。埋入式字线形成于基板中,且沿着第一方向延伸。位线形成于基板上,且沿着第二方向延伸。位线接触结构形成于位线下方。电容接触结构相邻于位线,且受到气隙结构所环绕。气隙结构包括第一气隙及第二气隙分别位于电容接触结构的第一侧及第二侧。第一气隙暴露出位于基板中的浅沟隔离结构。第二气隙暴露出基板的顶表面。本发明可明显降低位线与电容接触结构之间的寄生电容。延伸进入浅沟隔离结构中的气隙结构,有利于降低位线接触结构与电容接触结构的电阻值,并且能够更进一步降低寄生电容。
  • 动态随机存取存储器及其制造方法

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