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[发明专利]一种多晶硅硅棒破碎系统及破碎方法-CN201810421097.1有效
发明人：蔡延国;王生红;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅硅棒破碎系统及破碎方法。本发明提供的多晶硅硅棒破碎系统，多晶硅硅棒进行预处理，通过筛分装置将棒料及块料进行分离，块料进入第一鉴别分类装置，并按照块料的不同种类将其区分；棒料进入第二鉴别分类装置，按照棒料的不同种类将其区分，进入棒料处理装置的不同的棒料收集装置内，用户需要的棒料时，通入棒料包装装置中进行包装；用户需要块料时，通入破碎装置中进行破碎。本发明提供的多晶硅硅棒破碎系统，节省操作人员操作时间，避免了因人为操作引进的污染，提高效率，节省成本。本发明提供的多晶硅硅棒破碎方法，包括上述的多晶硅硅棒破碎系统，因此也具有上述的有益效果。
多晶硅硅棒棒料破碎系统块料破碎分类装置用户需要鉴别预处理包装装置处理装置破碎装置人员操作筛分装置收集装置多晶硅污染

[发明专利]一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法-CN201010300736.2无效
发明人：吴学林;卢小丹 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法，涉及多晶硅生产领域中的高纯多晶硅硅块清洗的方法，在混酸腐蚀和纯水(EW-I)漂洗工序后设置氢氟酸溶液腐蚀工序；氢氟酸溶液为电子级氢氟酸和纯水(EW-I)按1∶2～5(重量份)的配比稀释而成，腐蚀浸泡时间根据硅块表面的氧化层厚薄及氢氟酸的溶液浓度的决定；超声清洗之后再用热氮气切水、真空烘干从而得到满足直拉单晶要求的高纯免洗多晶硅硅块。通过增加氢氟酸溶液腐蚀工序，去除硅块经过混酸腐蚀的多晶硅硅块再次接触空气后产生的表面氧化层，从而得到表面金属光泽度好、表面质量更优的免洗高纯多晶硅料。
一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗方法

[实用新型]一种多晶硅硅块清洗转篮-CN201120154805.3有效
发明人：王晓楠;李峰;侯俊峰;胡永;杨光军 -专利权人：国电宁夏太阳能有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型提供的多晶硅硅块清洗转篮，包括转盘、驱动转盘的驱动装置、与转盘同轴设置的转篮本体及与转篮本体的开口相适配的盖板，转篮本体的开口端设有用于卡接所述盖板的卡接装置。如此设置，本实用新型提供的多晶硅硅块清洗转篮，可有效解决在拆卸或安装盖板时因反复拆卸和安装螺栓，而造成的多晶硅硅块清洗转篮处理硅块效率低下的技术问题。
一种多晶硅硅块清洗

[发明专利]湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺-CN201810355625.8在审
发明人：吉鑫;阮文娟;宫龙飞 -专利权人：苏州协鑫光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺。包括以下步骤：判断湿法黑硅硅片不良品的绒面结构是否合格，若湿法黑硅硅片不良品的绒面结构合格，则采用步骤A；若湿法黑硅硅片不良品的绒面结构不合格，则采用步骤B；其中，步骤A包括如下步骤：将湿法黑硅硅片不良品依次经碱洗、纯水漂洗以及酸洗，以除去湿法黑硅硅片不良品表面的脏污，得到再处理之后的湿法黑硅硅片。其中，步骤B包括如下步骤：将湿法黑硅硅片不良品依次经碱抛光、金属沉积、金属诱导催化、金属祛除、扩孔、碱洗以及酸洗，得到再处理之后的湿法黑硅硅片。经过本发明的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺处理之后的湿法黑硅硅片减重较少，能够避免影响黑硅硅片后续使用。
硅片黑硅湿法不良品再处理绒面结构碱洗酸洗纯水漂洗工艺处理金属沉积金属诱导抛光减重扩孔脏污催化金属

[发明专利]一种等离子体刻蚀后的单晶体硅硅片的检测方法-CN201110359693.X无效
发明人：孙伟;贺建华 -专利权人：浚鑫科技股份有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的检测方法，用于确定等离子体刻蚀后的单晶硅硅片是否合格。本发明实施例方法包括：将等离子体刻蚀后的单晶硅硅片置于绝缘电阻测试仪中，开启绝缘电阻测试仪；读取绝缘电阻测试仪显示的单晶硅硅片的电阻值；根据单晶硅硅片的电阻值判断单晶硅硅片是否合格。本发明实施例中的方法能够有效的提高等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的电阻值测量的准确率。
一种等离子体刻蚀单晶体硅片检测方法

[发明专利]一种高效铸锭的诱导长晶工艺-CN201310467019.2有效
发明人：李鹏廷;王峰;任世强;熊华江;谭毅;姜大川;黄佳琪;邵伟;刘燕 -专利权人：青岛隆盛晶硅科技有限公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：包括装料抽真空、加热熔化、诱导长晶、退火冷却，装料时，首先在方形石英坩埚底部平铺一层半圆柱状的单晶硅硅料，单晶硅硅料的矩形平面紧贴坩埚底上表面，且相邻单晶硅硅料紧密排布；方形石英坩埚内壁贴壁放置平滑的方形多晶硅硅料，贴满整个坩埚内壁，且保证方形多晶硅硅料之间没有间隙；在其余位置填充多晶硅碎料，最后上层放置方形多晶硅硅料；在熔化过程中，保证方形石英坩埚底部单晶硅硅料的温度低于1380℃。采用该工艺方法，通过半圆柱形单晶硅硅料诱导晶体长晶从而实现高效铸锭，使光电转换效率提高0.1%，节约生产成本5%以上。
一种高效铸锭诱导工艺

[发明专利]半导体衬底层的处理方法和太阳能电池的制备方法-CN202210189426.0在审
发明人：张良;张景;周锡伟;周肃;龚道仁;徐晓华 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：半导体衬底层的处理方法包括提供单晶硅硅片的步骤、对所述单晶硅硅片的表面喷淋扩散液的步骤和对单晶硅硅片进行退火处理的步骤，还包括：在对单晶硅硅片的表面喷淋扩散液之前，对所述单晶硅硅片进行表面氧化处理，所述表面氧化处理用于增加所述单晶硅硅片的表面对所述扩散液的亲液性，以增加所述单晶硅硅片退火处理的均匀性。
半导体衬底处理方法太阳能电池制备

[发明专利]印刷后黑硅硅片的返工清洗方法及返工方法-CN201810224471.9在审
发明人：吕强;焦如意 -专利权人：徐州鑫宇光伏科技有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种印刷后黑硅硅片的返工清洗方法及返工方法。其中，印刷后黑硅硅片的返工清洗方法包括如下步骤：取待返工的黑硅硅片置于去离子水中超声清洗，然后用有机溶剂擦拭黑硅硅片的表面，将有机溶剂擦拭后的黑硅硅片先置于氨水中鼓泡清洗20min‑40min，然后再置于去离子水中鼓泡清洗上述返工清洗方法适用于黑硅硅片的返工清洗，经此返工清洗方法最终制备得到的黑硅电池片可以达到黑硅电池片的合格标准，达到了返工清洗的目的。此外，该返工清洗方法简单，省去了松油醇擦拭的步骤，缩短了黑硅硅片的返工清洗时间。
返工黑硅清洗硅片水中擦拭有机溶剂电池片印刷鼓泡离子超声清洗合格标准松油醇制备

[发明专利]一种基于硅硅键合的隔离封装应力的压力传感器-CN201410306360.4有效
发明人：郭述文;周铭 -专利权人：苏州大学
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅硅键合的隔离封装应力的压力传感器，包括芯片层和支撑层，所述支撑层表面刻蚀出一块用于硅硅键合的凸块，所述支撑层的其他区域与芯片层之间有间隙。
一种基于硅硅键合隔离封装应力压力传感器

[发明专利]一种电子级多晶硅硅块酸洗装置及酸洗笼-CN202111026971.X在审
发明人：孙彦虎;郭海龙;周国峰;张万军;万金兰;刘虹宾;马玉通;赵彩霞 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司;青海芯测科技有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级多晶硅硅块酸洗装置及酸洗笼，酸洗装置包括酸洗笼、酸洗池和驱动臂，酸洗笼的滚筒内形成供硅块容纳的空腔，滚筒的周向上间隔地开设有连通空腔的若干进液孔；滚筒具有周向上连续的啮合齿面，酸洗池的第一侧壁的内表面凸设有沿其高度方向上延伸的齿面本发明的酸洗笼可以在酸洗液内上下移动的过程中进行旋转，从而带动笼内的多晶硅硅块翻转，实现了多晶硅硅块与酸洗液的充分接触反应，高效去除表面金属和酸斑，使得蚀刻更加均匀，因此，在提高酸洗效率的同时大幅度提升了电子级多晶硅的产品质量
一种电子多晶硅硅块酸洗装置

[发明专利]一种晶硅硅片的除杂方法及晶硅太阳能电池-CN202310094623.9在审
发明人：王龙;夏志鹏;黄纪德;刘长明;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种晶硅硅片的除杂方法及晶硅太阳能电池，晶硅硅片的除杂方法包括：在晶硅硅片的表面形成除杂层，其中，所述除杂层的材料包括具有孔穴的金属离子印迹聚合物；通过所述除杂层吸收所述晶硅硅片内的金属离子本发明可选择性的对晶硅硅片内的金属离子杂质进行吸附，除杂效果好。
一种硅片方法太阳能电池

[发明专利]带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器及其制作方法-CN200910072796.0无效
发明人：刘晓为;王喜莲;揣荣岩;陆学斌;施长治 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-09-07 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：它是由单晶硅硅杯、绝缘层、多晶硅纳米膜压敏电阻和薄膜电阻组成的，单晶硅硅杯连接绝缘层，绝缘层连接多晶硅纳米膜压敏电阻和薄膜电阻。单晶硅硅杯包括感压膜和周边固支结构，感压膜位于单晶硅硅杯上部，周边固支结构位于单晶硅硅杯两边。由单晶硅通过腐蚀制作单晶硅硅杯，利用化学气象淀积法在单晶硅硅杯的上部淀积一层二氧化硅或氮化硅作为绝缘层，将压力测量单元和温度测量单元集成在一个芯片上，能够同时实现压力和温度的测量，减小芯片面积，降低成本
温度传感器多晶纳米压力传感器及其制作方法

[实用新型]一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置-CN201820627841.9有效
发明人：汪成洋;张孝山;陈斌 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置。本实用新型提供的多晶硅硅棒预处理装置包括加热装置以及冷却装置，冷却槽内盛放有超纯水，将多晶硅硅棒输送至加热通道中，经过加热通道将多晶硅硅棒加热至预设温度，并从加热通道的出口端输出，置于第二传送装置的进料口本实用新型提供的多晶硅硅棒预处理装置具备有破碎效率高，结构简单、操作方便、节约资源且不易污染多晶硅硅棒的有益效果。本实用新型提供的破碎装置，包括上述的多晶硅硅棒预处理装置，因此也具有上述的有益效果。
多晶硅硅棒预处理装置本实用新型破碎装置加热通道传送装置超纯水破碎多晶硅棒加热装置节约资源冷却装置出口端出料口多晶硅进料口冷却槽敲击盛放预设加热冷却传送输出污染

[发明专利]无粘结剂纯硅硅沸石-3吸附剂制备方法-CN202010194240.5在审
发明人：龙英才;李亨利;林德昌 -专利权人：复榆（张家港）新材料科技有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： B01J20/16 文献下载
摘要：本发明提供一种无粘结剂纯硅硅沸石‑3吸附剂制备方法，包括：无粘结剂纯硅硅沸石‑3吸附剂以纯硅硅沸石‑1结构沸石分子用无定形纯二氧化硅为粘结剂成形制成的吸附剂，在水蒸气中通过气‑固相转晶为无粘结剂纯硅硅沸石‑1吸附剂作为其前驱体，该前驱体再在一定的气氛下高温焙烧使其晶胞收缩制成无粘结剂纯硅硅沸石‑3吸附剂，本发明所述无粘结剂纯硅硅沸石‑3吸附剂具有良好的亲油疏水吸附性质，可用于小分子异构体的吸附分离、催化剂载体以及废水废气中的有机物去除
粘结剂纯硅硅沸石吸附剂制备方法

[发明专利]一种多晶硅硅芯的制备方法及其结构-CN202011087582.3在审
发明人：丁小海;杨明财;施光明;郑连基;宗冰;吉红平;肖建忠;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅硅芯的制备方法及其结构，涉及多晶硅生产技术领域，旨在解决目前切割后得到的多晶硅硅芯难以满足CVD反应器的使用要求的问题，提供了以下技术方案，包括以下步骤：将多晶硅棒夹持于线切割机内，切除所述多晶硅棒的边皮部分，以制备符合预设形状和/或预设尺寸的多晶硅硅芯；将所述多晶硅棒的边皮部分制备成嫁接套管；连接所述嫁接管套和所述多晶硅硅芯，以得到符合预设长度的多晶硅硅芯。
一种多晶硅硅芯制备方法及其结构

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