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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]控制电路及电子设备-CN202180063261.6在审
发明人：小林英智;八洼裕人;池田隆之 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：提供一种二次电池的保护电路、控制电路等。提供一种功耗低的电路。提供一种集成度高的电路。控制电路包括第一电阻电路、第二电阻电路、比较器及存储电路。第一电阻电路的一个端子与二次电池的正极电连接，第一电阻电路的另一个端子与比较器的第一输入端子及第二电阻电路的一个端子电连接，存储电路具有保持第一数据的功能，控制电路具有使用第一数据生成第一信号及第二信号的功能、通过将第一信号供应到第一电阻电路来调整第一电阻电路的电阻的功能、通过将第二信号供应到第二电阻电路来调整第二电阻电路的电阻的功能以及根据比较器的输出停止二次电池的充电及放电中的一个的功能，存储电路包括作为介电层使用铁电层的电容器。
控制电路电子设备

[发明专利]半导体装置-CN202180035229.7在审
发明人： 八洼裕人;宫田翔希;铃木阳夫;池田隆之 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括混频器电路及偏置电路。混频器电路包括电压电流转换部、电流开关部及电流电压转换部。此外，偏置电路包括偏置供应部及第一晶体管。电压电流转换部包括第二晶体管及第三晶体管。偏置供应部具有输出对第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极供应的偏置电压的功能。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极电连接。当供应偏置电压时使第一晶体管处于关闭状态，当停止偏置电压的供应时使第一晶体管处于开启状态。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180035657.X在审
发明人：山崎舜平;池田隆之;大贯达也;八洼裕人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种能够植入生物的半导体装置。该半导体装置包括通信部、控制部、存储部、运算部及传感器部。控制部具有控制通信部、运算部、存储部的功能。存储部具有保持识别信息的功能。此外，运算部具有使用第一信息及从所述传感器部供应的第二信息生成第三信息的功能。控制部具有对应于通过通信部输入的信号使运算部进行运算処理的功能。控制部具有对应于通过通信部输入的信号将识别信息和第三信息中的一方或双方通过通信部输出到外部的功能。运算部包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管。半导体装置优选被覆盖材料覆盖。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、蓄电装置以及半导体装置的工作方法-CN202080045169.2在审
发明人：井上广树;佐佐木宏辅;八洼裕人;高桥圭 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H03K3/354 文献下载
摘要：提供一种新颖的振荡器、放大电路、反相器电路、放大电路、电池控制电路、电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电气装置等。该半导体装置包括具有包含金属氧化物的第一晶体管以及第二至第五晶体管的振荡器，使第一晶体管成为开启状态而向第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极供应第一电位，使第一晶体管成为关闭状态而保持第一电位，振荡器向第一电路供应根据第一电位的第一信号，并且第一电路对第一信号进行整形和放大中的至少一方。第二晶体管与第四晶体管串联地连接，第三晶体管与第五晶体管串联地连接，第三晶体管的源极或漏极与第四晶体管的栅极电连接，并且第四晶体管的源极或漏极与第三晶体管的栅极电连接。
半导体装置以及工作方法

[发明专利]半导体装置以及具有该半导体装置的电器设备-CN202080014280.5在审
发明人：大贯达也;八洼裕人;斋藤圣矢 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括驱动电路及第一晶体管层至第三晶体管层。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第二晶体管层包括具有第二晶体管及第二电容器的第二存储单元。第三晶体管层包括切换电路及放大电路。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管与第二局部位线电连接。切换电路具有选择第一局部位线或第二局部位线与放大电路电连接的功能。第一晶体管层至第三晶体管层设置在硅衬底上。第三晶体管层设置于第一晶体管层与第二晶体管层之间。
半导体装置以及具有电器设备

[发明专利]半导体装置及包括该半导体装置的电子设备-CN201980089579.4在审
发明人：大贯达也;八洼裕人;冈本佑树;斋藤圣矢;加藤清;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供一种新颖结构的半导体装置。半导体装置包括：包括第一存储单元的第一元件层；包括第二存储单元的第二元件层；以及包括驱动电路的硅衬底。第一元件层设置在硅衬底和第二元件层之间。第一存储单元包括第一晶体管及第一电容器。第二存储单元包括第二晶体管及第二电容器。第一晶体管的源极和漏极中的一个及第二晶体管的源极和漏极中的一个分别与用来电连接到驱动电路的布线电连接。布线接触于第一晶体管所包括的第一半导体层及第二晶体管所包括的第二半导体层，并且设置在相对于硅衬底的表面的垂直方向或大致垂直方向上。
半导体装置包括电子设备

[发明专利]半导体装置、半导体晶片以及电子设备-CN201980067176.X在审
发明人：佐藤绘莉;大贯达也;八洼裕人;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：提供一种能够测量微小电流的半导体装置。一种包括运算放大器及二极管元件的半导体装置，电流被输入的第一端子与运算放大器的反相输入端子及二极管元件的输入端子电连接，电压被输出的第二端子与运算放大器的输出端子及二极管元件的输出端子电连接。作为二极管元件，使用在沟道形成区域中包括金属氧化物的二极管连接的晶体管。因为该晶体管的关态电流极低，所以可以在第一端子和第二端子之间流过微小电流。由此，通过从第二端子输出电压，可以根据该电压估计流过到第一端子的微小电流。
半导体装置晶片以及电子设备

[发明专利]半导体装置-CN201180053060.4有效
发明人：加藤清;盐野入丰;长塚修平;八洼裕人;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：延长半导体装置或半导体存储装置中的数据保持期间。半导体装置或半导体存储器包含存储电路，该存储电路包含第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管包含第一半导体层及第一栅极，第二晶体管包含第二半导体层、第二栅极、及第三栅极。第一半导体层与包含第二栅极的层同時形成。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810133477.1有效
发明人：山崎舜平;小山润;加藤清;高缘贵章;八洼裕人;柳泽真;大谷久;杉山荣二;堀越望 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：一种能够进行无线通信的半导体器件，其具有在对外力、尤其是压紧力的抵抗力方面的高可靠性，并且能在不妨碍电波接收的情况下防止集成电路中的静电放电。该半导体器件包括连接到集成电路的芯片上天线和在无接触的情况下将包括在接收的电波中的信号或功率发送到芯片上天线的增益天线。在该半导体器件中，集成电路和芯片上天线插在通过用树脂填充纤维体形成的一对结构体之间。结构体中的一个设置在芯片上天线与增益天线之间。具有约为10⁶～10¹⁴Ω/cm²的表面电阻值的导电膜在每个结构体的至少一个表面上形成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]天线及具有该天线的半导体装置-CN200710160854.6无效
发明人： 八洼裕人;高缘贵章 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够抑制在电磁感应方式的天线中的电流密度分布的不均匀来产生歪斜少的磁场的天线。另外，本发明提供一种响应频率和通信距离的不均匀性低的半导体装置。本发明的技术要点如下：一种在环形导体图案的一部分具有缺口部的天线，其中所述缺口部的所述导体图案的截面相对置。另外，在所述缺口部中，天线的导体图案电耦合而形成电容。另外，本发明是一种所述天线及集成电路通过供电部而电连接的半导体装置。
天线具有半导体装置

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