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[发明专利]半导体装置-CN202180092343.3在审
发明人：佐田诚;宅间彻;高桥俊太郎 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：半导体装置(1)具有：栅极分割晶体管(9)，其连接于漏极电极(11)即输出电极OUT与接地电极之间且能够进行多个通道区域的个别控制；有源钳位电路(26)，其构成为将出现在输出端子(11)的输出电压VOUT限制为钳位电压以下；以及栅极控制电路(25)，其构成为在栅极分割晶体管(9)从接通状态向断开状态迁移后、且输出电压VOUT被有源钳位电路(26)限制之前，使栅极分割晶体管(9)的接通电阻缓慢地或者阶段性地升高。
半导体装置

[发明专利]半导体设备-CN201680076680.2有效
发明人：结城浩文;高桥俊太郎;古谷博司 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：半导体设备包括：连接到输出端子的n型半导体基板；形成在所述n型半导体基板中的第一p型阱；形成在所述第一p型阱中并且连接到所述控制端子的第一n型半导体区域；以及连接在所述第一p型阱与接地端子之间的电位分离部。当所述输出端子被保持在高于接地端子的电位时，所述电位分离部将所述第一p型阱和所述接地端子设置为相同的电位，并且当所述输出端子被保持在低于所述接地端子的电位时，将所述第一p型阱和所述输出端子设置为相同的电位。
半导体设备

[发明专利]保护电路、保护电路的动作方法以及半导体集成电路装置-CN201780012200.0有效
发明人：高桥直树;高桥俊太郎;宅间彻 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：保护电路(12)具备：高侧开关(10)，其被连接于从车载用电池供给预定的电源电压(VBB)的电源端子(102)上；NMOS晶体管(MT1)，其被连接于高侧开关(10)，在车载用电池反向连接到电源端子(102)时，阻止向高侧开关(10)通电，保护电路(12)保护半导体集成电路免受因外部电源的反向连接而产生的破坏。半导体集成电路装置具有上述保护电路，该保护电路保护被连接于从外部电源供给预定的电源电压的电源端子(102)和接地端子之间的半导体集成电路免受静电破坏。保护电路被连接于插入到电源端子(102)和接地端子之间的钳位电路部(131)，在外部电源反向连接到电源端子(102)时，保护钳位电路部(131)免受破坏。
保护电路动作方法以及半导体集成电路装置

[发明专利]过电流保护电路-CN201911107686.3有效
发明人：宅间彻;高桥直树;高桥俊太郎 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H02H3/087 文献下载
摘要：为了能够根据负载同时提供瞬时电流以及过电流保护，过电流保护电路71具有：阈值生成单元130，其根据阈值控制信号S170在将过电流检测阈值Vth设置为第一设置值(∝Iref)与低于第一设置值的第二设置值(∝Iset)之间切换；过电流检测单元140，将根据被监测电流的感测信号Vs与过电流检测值Vth进行比较，并产生过电流保护信号S71；参考值生成单元150，其根据第二设置值生成参考值VIset(∝Iset)；比较单元160，其比较感测信号Vs和参考值VIset，并生成比较信号VCMP；阈值控制单元170，其监测比较信号VCMP，并产生阈值控制信号S170。
电流保护电路

[发明专利]半导体装置-CN201980085350.3在审
发明人：奥田肇;福田泰诏;宅间彻;高桥俊太郎;高桥直树 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括：半导体层；绝缘栅极型的第一晶体管，其形成于上述半导体层；绝缘栅极型的第二晶体管，其形成于上述半导体层；以及控制配线，其以与上述第一晶体管以及上述第二晶体管电连接的方式形成于上述半导体层之上，传递在通常动作时将上述第一晶体管以及上述第二晶体管控制为接通状态、在有源钳位动作时将上述第一晶体管控制为断开状态并且将上述第二晶体管控制为接通状态的控制信号。
半导体装置

[发明专利]高侧开关-CN202010498668.9在审
发明人：高桥直树;高桥俊太郎 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明提供一种高侧开关，能够防止向电源端子与接地端子之间施加了反向偏压时的破坏。高侧开关具备：电源端子，其被施加电源电压；输出端子，其外部连接有负荷；接地端子，其被施加接地电压；以及输出晶体管，其设置于上述电源端子与上述输出端子之间，且具有体二极管。上述高侧开关还具备：充电部，其在上述电源电压比上述接地电压低的情况下，对上述输出晶体管的控制端进行充电；以及切断部，其在上述电源电压比上述接地电压低的情况下，切断从上述接地端子到上述电源端子的电流路径。
开关

[发明专利]半导体装置-CN201980023618.0在审
发明人：奥山一树;高桥俊太郎;芳我基治;吉田真悟;熊谷和寿;奥田肇 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括半导体元件和第一连接构件。半导体元件具有基板和电极焊盘。基板包含形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域。上述电极焊盘位于上述晶体管形成区域上。第一连接构件在1个部位与电极焊盘连接。电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖晶体管形成区域的重心。在平面观察时，第一连接构件与电极焊盘连接的连接区域包含晶体管形成区域的重心位置。
半导体装置

[发明专利]过电流保护电路-CN201780026285.8有效
发明人：宅间彻;高桥直树;高桥俊太郎 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H02H3/087 文献下载
摘要：为了能够根据负载同时提供瞬时电流以及过电流保护，过电流保护电路71具有：阈值生成单元130，其根据阈值控制信号S170在将过电流检测阈值Vth设置为第一设置值(∝Iref)与低于第一设置值的第二设置值(∝Iset)之间切换；过电流检测单元140，将根据被监测电流的感测信号Vs与过电流检测值Vth进行比较，并产生过电流保护信号S71；参考值生成单元150，其根据第二设置值生成参考值VIset(∝Iset)；比较单元160，其比较感测信号Vs和参考值VIset，并生成比较信号VCMP；阈值控制单元170，其监测比较信号VCMP，并产生阈值控制信号S170。
过电流保护电路阈值控制信号过电流检测比较信号感测信号参考值生成单元过电流保护信号过电流检测单元阈值控制单元阈值生成单元过电流保护比较单元监测电流瞬时电流参考监测