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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]降低CMOS器件漏电的方法-CN202110731420.7在审
发明人：肖瑟;李玉科 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低CMOS器件漏电的方法，包括：提供衬底，所述衬底含有硅；在所述衬底上形成浮栅；从所述浮栅的两侧向所述浮栅的底部的所述衬底内注入氧原子，形成氧原子区；对所述衬底进行退火工艺，使得所述氧原子区的硅变成二氧化硅如果CMOS器件的N型阱区之间产生沟道击穿电流，本发明的沟道电流阻挡结构能阻挡沟道击穿产生的电流，并且，相比于现有技术，本发明的沟道电流阻挡结构由二氧化硅组成，相对于PN结，阻挡沟道击穿电流的效果更好，
降低 cmos 器件漏电方法

[发明专利]非线性度降低的BAW器件-CN202080032009.4在审
发明人： M·希克;W·艾格纳;T·米特迈尔 -专利权人： RF360欧洲有限责任公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种BAW器件，包括第一BAW谐振器(1)和第二BAW谐振器(2)。第一导线(24)从第二BAW谐振器的第一电极延伸到BAW器件的第三电元件(3)、并且将第一电极与第三电元件电连接。
非线性降低 baw 器件

[发明专利]降低耦合噪声的半导体器件-CN200510059255.6有效
发明人：边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：半导体器件、半导体存储器件或闪速存储器包括含有高压元件的高压区、含有低压元件的低压区和诸如低压开关晶体管之类连接高压区和低压区的开关晶体管。开关晶体管降低或消除读出节点之间的耦合噪声，而不会使芯片面积增加。
降低耦合噪声半导体器件

[实用新型]降低沟槽MOSFET器件电容的结构-CN202321136432.6有效
发明人：滕支刚 -专利权人：江苏临德半导体有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种降低沟槽MOSFET器件电容的结构，包括第一导电类型衬底，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有第一类沟槽，第一类沟槽位于器件的元胞区；在第一类沟槽的底部设有厚氧化层和栅极氧化层第一导电类型外延层上部形成自下而上分布的第二导电类型阱区和重掺杂的第一导电类型源区；所述栅极多晶硅的顶部低于第一类沟槽的顶部，但高于第一导电类型源区的底部；所述栅极多晶硅的底部低于第二导电类型阱区的底部；本申请能够降低沟槽MOSFET器件的电容。
降低沟槽 mosfet 器件电容结构

[发明专利]降低半导体器件中有效介电常数的器件和方法-CN200510004272.X有效
发明人：戴维·C·埃德尔斯坦;马修·E·科尔伯恩;艾德华·C·考尼三世;蒂莫西·J·达尔顿;约翰·A·菲茨西蒙斯;杰弗里·P·加姆比诺;黄遏明;迈克尔·W·莱恩;文森特·A·迈克加海伊;李·M·尼科尔森;萨亚纳拉亚纳·V·尼塔;萨姆巴斯·普鲁肖塔曼;苏加萨·桑卡兰;托马斯·M·肖;安德鲁·H·西蒙;安托尼·K·斯塔姆伯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-01-04 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：降低半导体器件中有效介电常数的器件和方法，其中，用于制造结构的方法包括为具有绝缘层的结构提供至少一个互连，并在绝缘层上形成亚光刻模板掩模。
降低半导体器件有效介电常数器件方法

[发明专利]降低MEMS惯性器件封装应力的方法及MEMS器件-CN201911242893.X有效
发明人：赵万良;段杰;成宇翔;李绍良;应俊;白沐炎 -专利权人：上海航天控制技术研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低MEMS惯性器件封装应力的方法及MEMS器件，所述的MEMS惯性器件包含：封装管壳、位于封装管壳内的芯片；所述的方法包含以下步骤：步骤1，将直径一致的硅珠的粉体与贴片胶混合并搅拌均匀本发明通过在贴片胶内添加直径一致的硅珠，并对贴片胶层各个参数量化控制，有效的降低封装应力，提高了工艺过程的稳定性。
降低 mems 惯性器件封装应力方法

[发明专利]降低存储器器件的功率消耗-CN201310669768.3有效
发明人：沃尔特·路易斯·特塞里奥;理查德·蒂托夫·拉拉·赛斯;小阿弗拉尼奥·马格诺·达席尔瓦 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了降低存储器器件的功率消耗。一种操作存储器器件的方法，包括监视多个感测放大器(402)，每个感测放大器被配置成评估存储在存储器单元中的逻辑值；确定多个感测放大器中的每个是否已完成了其评估(403)；和响应于多个感测放大器中的全部完成其评估来停止给多个感测放大器提供参考电流
降低存储器器件功率消耗

[发明专利]一种电子设备-CN201510612196.4有效
发明人：王瑜 -专利权人：联想(北京)有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种电子设备，至少包括第一器件和第二器件，第一器件和第二器件可以通过一粘结剂粘结，并且在未接触第一器件和第二器件的外界因素作用下粘结剂的结构发生变化使得粘结剂的粘性降低，以在粘性降低后可以使第一器件和第二器件自动分离，从而降低器件间的分离难度。并且这种通过未接触第一器件和第二器件的外接因素作用下降低粘结剂的粘性以自动分离第一器件和第二器件的方式相对于操作者手动分离第一器件和第二器件的方式，会降低分离过程中由于粘结剂的强粘力作用导致的第一器件和第二器件的损坏率，从而降低第一器件和第二器件由于损坏而被更换的概率，降低设备成本。
一种电子设备

[实用新型]一种SGT MOSFET器件结构-CN202321182501.7有效
发明人：田甜;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SGTMOSFET器件结构，该器件结构为双层浓度的外延结构，包括用于降低器件比导通电阻的顶部外延层(3)和用于降低器件反偏漏电的底部外延层(4)。本器件结构采用双层浓度的外延结构，顶部浓度的外延层用于降低器件比导通电阻(Rsp)，底部浓度的外延层起降低反偏漏电作用，既有效地降低了器件的比导通电阻，又保证了器件反偏时的低漏电。
一种 sgt mosfet 器件结构

[发明专利]一种基于降低氢元素含量的双极器件抗辐照加固方法-CN201610911436.5在审
发明人：刘超铭;李兴冀;杨剑群;马国亮 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/328 文献下载
摘要：一种基于降低氢元素含量的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域，具体涉及抗辐照双极器件。所述方法包括用于降低双极器件内部的氢含量的步骤。本发明在现有的双极器件制备工艺基础上，通过控制双极器件内部的氢含量，在相同的辐照剂量条件下，可大大降低双极器件的复合漏电流，降低双极器件的电流增益损伤程度，达到提高双极器件抗辐照能力的目的。本发明适用于抗辐照加固双极器件。
一种基于降低元素含量器件辐照加固方法

[发明专利]应用于MMC的大功率电力电子器件及其操作方法-CN201810002005.6在审
发明人：陈政宇;曾嵘;余占清;赵彪;宋强 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：一种应用于MMC的大功率电力电子器件及其操作方法。电力电子器件包括并联的IGCT器件和IGBT器件，IGCT器件和IGBT器件具有同等电压等级、一定电流等级比例；进一步，可以将IGCT器件和IGBT器件封装到特殊设计的器件管壳内，进而减小两器件间的杂散电感此应用于MMC的大功率电力电子器件能够降低整体通态压降，提高MMC的工作效率；降低损耗，减小整体器件体积，降低成本。
应用于 mmc 大功率电力电子器件及其操作方法

[实用新型]应用于MMC的大功率电力电子器件-CN201820003292.8有效
发明人：陈政宇;曾嵘;余占清;赵彪;宋强 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：一种应用于MMC的大功率电力电子器件及其操作方法。电力电子器件包括并联的IGCT器件和IGBT器件，IGCT器件和IGBT器件具有同等电压等级、一定电流等级比例；进一步，可以将IGCT器件和IGBT器件封装到特殊设计的器件管壳内，进而减小两器件间的杂散电感此应用于MMC的大功率电力电子器件能够降低整体通态压降，提高MMC的工作效率；降低损耗，减小整体器件体积，降低成本。
大功率电力电子器件减小应用电力电子器件工作效率通态压降杂散电感整体器件并联管壳封装

[发明专利]光伏组件功率变换器过温保护控制方法及装置-CN201811188502.6在审
发明人：杨宗军;吴金龙 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本申请提供了光伏组件功率变换器过温保护控制方法及装置，检测功率变换器内开关器件的运行温度，当该运行温度大于或等于第一温度阈值时，降低开关器件的开关频率，从而降低开关器件的开关损耗，进而降低了开关器件的发热量，最终降低了开关器件的运行温度确保开关器件运行在合适的温度范围内。因此，提高了开关器件的使用寿命，以及，提高了整个系统的可靠性。而且，该方法通过改变开关器件的开关频率降低损耗，并没有降低功率变换器的输出功率；因此，功率变换器仍工作在最大功率点附近。
开关器件功率变换器光伏组件过温保护开关频率最大功率点发热量降低功率开关损耗使用寿命输出功率变换器阈值时检测申请

[发明专利]降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法-CN201410107152.1在审
发明人：吕元杰;冯志红;王元刚;徐鹏;尹甲运;敦少博 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，涉及氮化物的制备方法技术领域。所述方法改善了n型重掺杂GaN与GaN异质结侧壁的欧姆接触，降低了n型重掺杂GaN与GaN异质结侧壁的接触电阻。
降低 hemt 器件欧姆接触电阻方法

[发明专利]降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法-CN201410107138.1在审
发明人：吕元杰;冯志红;顾国栋;郭红雨;尹甲运;敦少博 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，涉及氮化物的制备方法技术领域。所述方法改善了n型重掺杂GaN与GaN异质结侧壁的欧姆接触，降低了n型重掺杂GaN与GaN异质结侧壁的接触电阻。
降低 hemt 器件欧姆接触电阻方法

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