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[发明专利]大板级扇出型封装方法及大板级扇出型封装结构-CN202310786144.3在审
发明人：何聪华;刘长春;罗广豪 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开一种大板级扇出型封装方法及大板级扇出型封装结构。大板级扇出型封装方法包括：提供临时载板和若干芯片，将芯片贴于临时载板上并切块，形成切框芯片；对每个切框芯片上的芯片进行表面处理，将若干切框芯片排版、拼框；制作框架，将框架贴合于拼框后的临时载板上，使框架覆盖临时载板之间缝隙，使芯片均外露于框架；对芯片塑封，分离临时载板，制得芯片塑封体；将芯片I/O口由芯片塑封体双面电性引出。本发明在Die‑First工艺基础上改善板翘曲，缩短生产流程和避免流片过程中碎片，在分离临时载板后不需贴胶带或者胶片以固定或者提高塑封体的强度，达到翘曲小、无碎片、无残胶、工序少，提高生产效率及良率、降低成本的目的。
大板级扇出型封装方法结构

[发明专利]GaN功率器件的缺陷可容布局和封装-CN201910490973.0有效
发明人：李湛明;罗广豪;傅玥;吴伟东;刘雁飞 -专利权人：苏州量芯微半导体有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种GaN功率器件的缺陷可容布局和封装。一种GaN功率开关器件，包括：至少有一个包含数个子器件的晶片，其中每一个子器件都是一个开关器件；将这至少一个晶片中仅正常子器件选择性地连接在一起来构成功率开关器件；在封装之前，正常子器件与缺陷子器件通过缺陷子器件上的标注区分。本发明采用包含数个低功率子器件的晶片来获得高额定功率。这种晶片中仅正常子器件相互连接，并通过有选择性地排除缺陷子器件来允许缺陷子器件的存在。本发明所述封装和方法特别应用于GaN功率开关器件比如高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)，可以最大程度的提高整个晶片的良品率。
gan 功率器件缺陷布局封装

[实用新型]一种基于MQA全解码输出高清音频系统-CN202120930413.5有效
发明人：邓自成;罗广豪 -专利权人：深圳市木瓜电子科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本实用新型适用于音频解码技术改进领域，提供了一种基于MQA全解码输出高清音频系统，包括音频处理模块、模拟电子模块、功放/运放模块、存储模块、供电转换模块及转接模块，所述转接模块的输出端连接所述音频处理模块的输入端，所述音频处理模块的输出端连接所述模拟电子模块的输入端，所述模拟电子模块的输出端连接所述功放/运放模块的输入端，所述存储模块的输出端连接所述音频处理模块的输入端，所述供电转换模块的输出端连接所述音频处理模块的输入端。利用USB高解析和高采样支持，使得结构更加的简单、使用更加方便，成本低廉。通过单芯片硬解MQA进行全解码使得解析更加简单，利用率高，解析速率得到有效的提升。
一种基于 mqa 解码输出音频系统

[发明专利]一种无线涡流加热的生活电器系统-CN202010212125.6在审
发明人：李孟;卢佳纯;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： A47J36/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种无线涡流加热的生活电器系统，包括：内胆和电能接收单元，所述电能接收单元包括：温度传感器、接收端控制模块和至少两组谐振式中继线圈网络，至少两组谐振式中继线圈网络分别设置与内胆的不同位置，每一个谐振式中继线圈网络均串联有控制开关，所述控制开关的控制端与接收端控制模块连接，所述温度传感器用于检测内胆的温度，并将检测到的温度值传递给接收端控制模块，所述接收端控制模块根据所述温度值控制所述控制开关断开或者闭合，所述谐振式中继线圈网络既能通过无线谐振方式接收能量并向内胆发射磁能以使得内胆产生涡流。本发明主要用于生活电器中。
一种无线涡流加热生活电器系统

[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法-CN201811356512.6在审
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法，所述氮化镓器件包括：包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本发明能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题，同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。
一种氮化器件封装方法

[发明专利]一种三相全桥电路及智能功率模块-CN201810140185.4在审
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种三相全桥电路及智能功率模块，该智能功率模块IPM内部的三相全桥电路包括6个功率开关器件，该6个功率开关器件使用氮化镓集成组芯片。三相全桥电路具体包括：实现三相全桥电路连接走线的PCB板和倒装在所述PCB板上并借助于所述连接走线形成三相全桥电路的至少一个氮化镓集成组芯片；氮化镓集成组芯片的所有连接焊盘均位于所述组芯片的同一面，且朝向所述PCB板，利用倒装工艺与所述PCB板上对应的焊盘焊接。本发明可降低IPM的成本、减少体积、减少智能功率模块中三相全桥电路部分的功率损耗，大大减少焊线和引线带来的寄生参数而导致的开关损耗、振铃等问题，同时降低了IPM在SIP封装时的工艺复杂度。
三相全桥电路智能功率模块氮化镓芯片功率开关器件倒装智能功率模块IPM 工艺复杂度功率损耗寄生参数开关损耗连接焊盘走线形成同一面焊盘焊线振铃走线封装焊接

[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓封装结构-CN201711491070.1在审
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，所述氮化镓器件包括：硅芯片正装在所述PCB双面基板的顶面上，氮化镓芯片倒装在所述PCB双面基板的顶面上，并借助于Cascode级联方式在所述PCB双面基板的顶面形成氮化镓器件的至少一个焊盘电极；其中，焊盘电极中的任一个，借助导通孔延伸至所述PCB双面基板的底面，在PCB双面基板的顶面上，导通孔的投影区域被焊盘电极的投影区域完全覆盖或与之交叠。上述氮化镓器件的制备工艺简单，散热效果好，同时能够实现把D－Mode的Gan HEMT通过Cascode级联转变成常关型的器件，推广方便，使用范围广。
氮化镓器件双面基板焊盘电极封装结构投影区域氮化镓导通孔硅芯片氮化镓芯片级联方式散热效果制备工艺倒装底面顶面级联交叠正装延伸

[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法-CN201711366939.X在审
发明人：李孟;罗广豪;李幸辉 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法，所述氮化镓器件包括：设计好走线的覆铜PCB板(陶瓷或铝基的覆铜PCB板)和焊接在覆铜PCB板上的硅芯片和氮化镓芯片，硅芯片和氮化镓芯片之间采用Cascode的方式连接，其中，所述硅芯片正装在覆铜PCB板上，氮化镓芯片倒装在覆铜PCB板上。氮化镓器件主要使用覆铜PCB板上的走线实现所述氮化镓芯片和所述硅芯片之间的电气连接；其中，所述硅芯片的漏极直接与覆铜PCB板内走线上的焊盘焊接；所述氮化镓芯片的源极、栅极和漏极位于朝向覆铜PCB板的面上，且所述氮化镓芯片的源极、栅极和漏极均直接与覆铜PCB板内走线上的焊盘焊接。上述氮化镓器件的制备工艺简单，散热效果好。
覆铜氮化镓器件氮化镓芯片硅芯片漏极焊接内走线焊盘源极封装电气连接散热效果制备工艺倒装铝基正装走线陶瓷

[实用新型]一种氮化镓器件-CN201821877443.9有效
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓器件，所述氮化镓器件包括：包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本实用新型能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题，同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。
氮化镓裸芯片氮化镓器件基岛引脚本实用新型贴片封装电流通过顶部安装封装材料功率器件能力问题散热效果引线框架功率管散热片电极散热外露热阻背面

[实用新型]一种氮化镓芯片的三相全桥电路及智能功率模块-CN201821053251.6有效
发明人：李孟;罗广豪;李幸辉 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓芯片的三相全桥电路及智能功率模块，该智能功率模块IPM内部的三相全桥电路包括6个功率开关器件和提供6个功率开关器件之间三相全桥电路连接走线的PCB板，所述6个功率开关器件采用至少一个氮化镓集成组芯片形成，所述至少一个氮化镓集成组芯片正装在所述PCB板上；每一个氮化镓集成组芯片的所有连接焊盘均位于远离所述PCB板的一面，且采用引线与所述PCB板上对应的焊盘焊接。本实用新型在IPM里使用GaN HEMT取代IGBT或MOS，在保持原有的生产线设备和工艺上，减少IPM的体积，降低IPM在SIP封装时的工艺复杂度，降低成本。
三相全桥电路功率开关器件氮化镓智能功率模块本实用新型氮化镓芯片智能功率模块IPM 芯片工艺复杂度生产线设备连接焊盘芯片正装原有的焊盘走线封装焊接

[实用新型]一种氮化镓器件-CN201721770787.5有效
发明人：李孟;罗广豪;李幸辉 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓器件，所述氮化镓器件包括：设计好走线的覆铜PCB板(陶瓷或铝基的覆铜PCB板)和焊接在覆铜PCB板上的硅芯片和氮化镓芯片，硅芯片和氮化镓芯片之间采用Cascode的方式连接，其中，所述硅芯片正装在覆铜PCB板上，氮化镓芯片倒装在覆铜PCB板上。氮化镓器件主要使用覆铜PCB板上的走线实现所述氮化镓芯片和所述硅芯片之间的电气连接；其中，所述硅芯片的漏极直接与覆铜PCB板内走线上的焊盘焊接；所述氮化镓芯片的源极、栅极和漏极位于朝向覆铜PCB板的面上，且所述氮化镓芯片的源极、栅极和漏极均直接与覆铜PCB板内走线上的焊盘焊接。上述氮化镓器件的制备工艺简单，散热效果好。
覆铜氮化镓芯片硅芯片氮化镓器件漏极焊接内走线焊盘源极本实用新型电气连接散热效果制备工艺倒装铝基正装走线陶瓷

[实用新型]一种氮化镓器件及氮化镓封装结构-CN201721906974.1有效
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，所述氮化镓器件包括：硅芯片正装在所述PCB双面基板的顶面上，氮化镓芯片倒装在所述PCB双面基板的顶面上，并借助于Cascode级联方式在所述PCB双面基板的顶面形成氮化镓器件的至少一个焊盘电极；其中，焊盘电极中的任一个，借助导通孔延伸至所述PCB双面基板的底面，在PCB双面基板的顶面上，导通孔的投影区域被焊盘电极的投影区域完全覆盖或与之交叠。上述氮化镓器件的制备工艺简单，散热效果好，同时能够实现把D－Mode的Gan HEMT通过Cascode级联转变成常关型的器件，推广方便，使用范围广。
氮化镓器件双面基板焊盘电极封装结构投影区域氮化镓导通孔硅芯片本实用新型氮化镓芯片级联方式散热效果制备工艺倒装底面顶面级联交叠正装延伸

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