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[实用新型]一种MICRO LED结构-CN201920241717.3有效
发明人：郝茂盛;张楠;袁根如 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MICRO LED结构，包括：键合基板；金属键合层，位于键合基板的表面；紫光LED芯片，经由金属键合层键合于键合基板上；紫光LED芯片包括：反射镜层，位于金属键合层远离键合基板的表面；电隔离层，位于反射镜层远离金属键合层的表面；欧姆接触层，位于反射镜层远离金属键合层的表面；半导体发光材料层，至少位于发光区域内的欧姆接触层远离反射镜层的表面；半导体发光材料层受外部激发发射紫光；电极，位于发光区域内的半导体发光材料层远离欧姆接触层的表面；量子点，位于半导体发光材料层形成有电极的表面。本实用新型可以实现电极等金属层之间的电隔离及各芯片之间的光隔离。
金属键合层半导体发光材料反射镜层键合基欧姆接触层电极本实用新型发光区域紫光LED 芯片电隔离层发射紫光电隔离光隔离金属层量子点键合激发外部

[发明专利]晶圆键合的方法及晶圆键合结构-CN202110148378.6在审
发明人：槐宝;刘敏;强力;刘括;赵娅俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆键合的方法及晶圆键合结构，所述晶圆键合的方法包括：提供键合裸晶圆，所述键合裸晶圆包括第一表面；在所述第一表面上形成初始层；在所述初始层和所述键合裸晶圆中形成第一凹槽，作为初始标记，且所述第一凹槽不贯穿所述键合裸晶圆；在所述初始层表面和所述第一凹槽中形成第一氧化层，且所述初始层表面和所述第一凹槽上方的第一氧化层的顶面共面；在所述第一氧化层表面形成键合标记材料层；参考所述初始标记，采用光刻工艺刻蚀所述键合标记材料层，形成第一键合标记，所述第一键合标记覆盖部分所述第一氧化层的表面。本申请技术方案能够提高晶圆堆叠与键合的质量，提升良率。
晶圆键合方法结构

[发明专利]一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法-CN201510267705.4有效
发明人：沈文江 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法，包括：在第一基片的键合面上形成第一金图案层；在第二基片的键合面上形成凸点图案层；在第二基片的键合面上依次形成覆盖所述凸点图案层的第二金图案层和铟图案层；将所述第一基片的键合面与所述第二基片的键合面对准并固定，以进行键合。本发明使用了在金属薄膜底层增加凸点图案层，此凸点图案层不仅降低了键合对准精度，同时也增强了键合过程中的接触力，可以大大提高键合质量。
一种基于 au in 等温凝固低温方法

[发明专利]一种键合结构、多晶圆三维集成结构及其制备方法-CN202110523252.2在审
发明人：孙祥烈;许静;罗军;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及键合工艺技术领域，具体涉及一种键合结构、多晶圆三维集成结构及其制备方法。该结构包括叠放设置的上互连层、上保护层、键合介质层、下保护层和下互连层；上保护层中设置有贯通的上键合通道；键合介质层中设置有贯通的中键合通道；下保护层中设置有贯通的下键合通道；上键合通道、中键合通道和下键合通道组成的空间中设置有键合硅化物层；键合硅化物层分别接触连接上键合通道处的上互连层和下键合通道处的下互连层。本发明采用硅化物来填充键合介质层中的键合通道，使得能够通过退火处理实现良好的键合界面，减少了等离子体处理工序，提高了晶圆键合工艺的可靠性和工艺效率。
一种结构多晶三维集成及其制备方法

[实用新型]薄膜结构半导体器件光电隔离结构-CN201920241318.7有效
发明人：郝茂盛;张楠;袁根如 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜结构半导体器件光电隔离结构，包括键合基板；金属键合层，位于键合基板的表面；及LED芯片，经由金属键合层键合于键合基板上；LED芯片包括：反射镜层，位于金属键合层远离键合基板的表面；半导体发光材料层，位于反射镜层远离金属键合层的一侧；光电隔离层，位于反射镜层远离金属键合层的表面，光电隔离层为环形隔离层，以将LED芯片分割为发光区域及孤岛区域；光电隔离层将位于发光区域内的半导体发光材料层与金属键合层电隔离；欧姆接触层，位于发光区域内；电极，位于发光区域内的半导体发光材料层远离欧姆接触层的表面。本实用新型可以实现电极等金属层之间的电隔离及各芯片之间的光隔离。
金属键合层发光区域光电隔离键合基半导体发光材料反射镜层本实用新型欧姆接触层电隔离电极半导体器件薄膜结构孤岛区域隔离层光隔离金属层键合芯片分割

[发明专利]一种激光解键合方法-CN202111036061.X在审
发明人：李纪东;张紫辰;侯煜;张昆鹏;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光解键合方法，该激光解键合方法用于对待解键合件进行解键合，其中该待解键合件包括第一层结构、以及通过键合层粘接的第二层结构。该激光解键合方法通过根据键合层材料的禁带宽度，先计算出激光束的本征吸收长波限；之后根据激光束的本征吸收长波限，即可确定最终激光束的波长，从而能够快速确定合适的激光波长，简化确定激光波长的难度，减少工作量且采用最终所确定的波长的激光束扫描键合层时，能够保证键合层的光吸收效率在较为大的区间，进而能够在较短的时间内即可将键合层加热到发生相变的状态，从而快速解除键合层与第一层结构及第二层结构的粘接，便于快速解键合，提高解键合效率。
一种激光解键合方法

[发明专利]一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法-CN201910651652.4有效
发明人：易洪昇;叶国梁;王嘉绮 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片结构、晶圆结构及制造方法，第一芯片和第二芯片之间通过介质材料的键合层实现键合，并从键合后的芯片背面通过通孔将其中的顶层连线层引出，该通孔为键合用通孔，该通孔周围覆盖有键合层，第三芯片的顶层连线层通过键合垫引出，该键合垫形成于键合层中，将通孔与键合垫对准键合，从而实现这芯片的键合，并从第三芯片的背面通过引出衬垫将其中的顶层连线层引出。该堆叠结构中，第一和第二芯片键合后通过通孔引出，进而通过与第三芯片上的键合垫对准键合，并从第三芯片背面将第三芯片的连线层引出，实现堆叠式芯片的互连结构，该互连结构简单且长度短，有效提升器件传输效率，提高器件的性能
一种芯片结构及其制造方法

[发明专利]一种晶圆级封装结构及其制造方法-CN202110349000.2有效
发明人：魏涛;杨清华;唐兆云;赖志国;王家友;钱盈;王友良;于保宁 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级封装结构的制造方法，包括：提供正面形成有第一半导体器件的器件晶圆和封帽晶圆；在器件晶圆和封帽晶圆的正面分别形成第一键合结构和第二键合结构，第一键合结构仅包括第一键合材料层第二键合结构仅包括第二键合材料层，或第一键合结构和第二键合结构均包括交替设置的第一键合材料层和第二键合材料层、但第一键合结构和第二键合结构的顶层是不同的键合材料层，第一键合材料层和第二键合材料层中一个材料是Cu或Cu合金另一个材料是Ni或Ni合金；对第一键合结构与第二键合结构进行键合；将第一半导体器件的电信号引出至基板。
一种晶圆级封装结构及其制造方法

[发明专利]利用光刻曝光补偿修正晶圆键合对准偏差的方法及系统-CN201910120895.5在审
发明人：朱欢;冯耀斌;吴年丰;彭熙锦;颜柏寒;徐陈林 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用光刻曝光补偿修正晶圆键合对准偏差的方法及系统，所述方法包括如下步骤：获取具有键合图形层的第一待键合晶圆和第二待键合晶圆键合时的对准偏差；提供尚未形成所述键合图形层的第三待键合晶圆和第四待键合晶圆，在所述第三待键合晶圆和/或所述第四待键合晶圆的表面形成层间图形层，在形成所述层间图形层的光刻曝光过程中依据所述对准偏差进行光刻曝光补偿。本发明通过在层间图形层的形成过程中引入光刻曝光补偿，对晶圆键合时键合图形层的对准偏差进行修正，避免了晶圆在键合后因对准偏差导致的电性连接断路等缺陷，提高了产品良率。
键合晶圆对准偏差图形层光刻曝光补偿修正晶圆键合层间光刻曝光过程表面形成层产品良率电性连接断路修正引入

[发明专利]扇出型封装方法及封装结构-CN201910696333.5在审
发明人：狄云翔;刘孟彬;许嗣拓 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种扇出型封装方法及封装结构，封装方法包括：提供承载基板；在承载基板上形成临时键合层；提供芯片，包括露出焊垫的芯片正面；在芯片正面形成永久键合层；使永久键合层和临时键合层相对设置，将芯片临时键合于承载基板上；在承载基板上形成封装层，至少填充满芯片之间的空间且包覆永久键合层侧壁和芯片侧壁；进行解键合处理；在解键合处理后，刻蚀永久键合层形成露出焊垫的开口；在开口中形成电连接焊垫的再布线结构。本发明在芯片的芯片正面形成永久键合层，由于永久键合层的粘结力更强，能够降低在形成封装层的过程中发生芯片偏移问题的概率，而且，能够避免因解键合处理后的残胶问题而对再布线结构和焊垫的电连接性能产生影响。
永久键合承载基板焊垫临时键合芯片正面芯片键合扇出型封装封装结构封装层再布线开口电连接性能相对设置芯片侧壁芯片偏移电连接粘结力包覆残胶侧壁刻蚀封装概率

[发明专利]一种垂直结构发光二极管及其制造方法-CN201611010315.X在审
发明人：章帅;徐慧文;吕孟岩 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直结构发光二极管及其制造方法，该垂直结构发光二极管包括：键合衬底；金属键合层；金属阻挡层，位于所述金属键合层的背离键合衬底的一侧；反射层，位于所述金属阻挡层的背离键合衬底的一侧；透明导电层，位于所述反射层的背离键合衬底的一侧；发光外延结构，包括依次层叠于所述透明导电层的背离键合衬底的一侧的P‑GaN层、活性层、N‑GaN层；N电极，位于所述N‑GaN层的背离键合衬底的一侧；荧光粉涂层，位于所述N‑GaN层的背离所述键合衬底的一侧；P电极，位于所述键合衬底的背离发光外延结构的一侧上。该垂直结构发光二极管能够显著增强键合衬底与金属阻挡层的连接强度，避免高温破坏反射层或透明导电层与P型GaN的接触特性。
一种垂直结构发光二极管及其制造方法

[发明专利]具有由不扩散导电材料制成的键合触点的键合半导体结构及其形成方法-CN201980000297.2在审
发明人：霍宗亮;刘峻;朱继锋;陈俊;华子群;肖莉红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了键合半导体结构及其制造方法的实施例。在示例中，半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、以及第一半导体结构和第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括衬底、设置在衬底上的第一器件层、以及设置在第一器件层上方并包括第一键合触点的第一键合层。第二半导体结构包括第二器件层和第二键合层，第二键合层设置在第二器件层下方并包括第二键合触点。第一键合触点在键合界面处与第二键合触点接触。第一键合触点或第二键合触点中的至少一个由不扩散导电材料制成。
半导体结构键合触点器件层键合层键合半导体结构导电材料键合界面衬底半导体器件扩散触点接触制造

[发明专利]晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法-CN202210894742.8在审
发明人：陶磊;郭育清;张燚;王厚有 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法和背照式图像传感器的形成方法，所述晶圆键合方法包括：提供一晶圆键合结构，晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，器件晶圆包括第一衬底和位于第一衬底上的第一键合层，承载晶圆包括第二衬底和位于第二衬底上的第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层键合；对晶圆键合结构进行气泡检查，并判断气泡是否合格；若不合格，对晶圆键合结构进行解键合处理以获得分离的器件晶圆和承载晶圆；对器件晶圆进行湿法清洗工艺处理，以去除第一键合层中的表层部分；对器件晶圆和承载晶圆进行重新键合。在返工流程中，通过湿法清洗工艺去除了第一键合层中的含水量高的表层部分，降低了重新键合后的气泡。
晶圆键合方法以及背照式图像传感器形成

[发明专利]具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法-CN201980002051.9有效
发明人：程卫华;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：在示例中，半导体器件包括NAND存储器单元和包含第一键合接触部的第一键合层。半导体器件还包括包含DRAM单元和含有第二键合接触部的第二键合层的第二半导体结构。半导体器件还包括包含处理器、SRAM单元和含有第三键合接触部的第三键合层的第三半导体结构。半导体器件还包括在第一和第三键合层之间的第一键合界面，以及在第二和第三键合层之间的第二键合界面。第一键合接触部在第一键合界面处与第一组第三键合接触部接触。第二键合接触部在第二键合界面处与第二组第三键合接触部接触。第一键合界面和第二键合界面在同一平面中。
具有处理器存储器一体化半导体器件及其形成方法

[发明专利]具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法-CN202011488127.4有效
发明人：程卫华;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：在示例中，半导体器件包括NAND存储器单元和包含第一键合接触部的第一键合层。半导体器件还包括包含DRAM单元和含有第二键合接触部的第二键合层的第二半导体结构。半导体器件还包括包含处理器、SRAM单元和含有第三键合接触部的第三键合层的第三半导体结构。半导体器件还包括在第一和第三键合层之间的第一键合界面，以及在第二和第三键合层之间的第二键合界面。第一键合接触部在第一键合界面处与第一组第三键合接触部接触。第二键合接触部在第二键合界面处与第二组第三键合接触部接触。第一键合界面和第二键合界面在同一平面中。
具有处理器存储器一体化半导体器件及其形成方法