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[发明专利]薄膜结构-CN201810677661.6在审
发明人：谢文俊;林振吉 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜结构，其包括非晶硅薄膜以及多个纳米粒子。多个纳米粒子于非晶硅薄膜的表面上，且多个纳米粒子的材料包括光热效应材料，因此可以提升非晶硅薄膜于融化再结晶的过程中的大面积结晶均匀性。
非晶硅薄膜纳米粒子结晶均匀性薄膜结构光热效应再结晶融化

[发明专利]薄膜结构-CN201010501804.1有效
发明人：董寰乾;李至隆;邱军浩 -专利权人：中国钢铁股份有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种薄膜结构，其包含基板与金属薄膜，其中金属薄膜是以物理气相沉积法形成于基板上。其中形成金属薄膜之颗粒的底部直径是实质介于0.05微米到2微米之间，而形成金属薄膜之颗粒的高度实质介于0.05微米到3微米之间。其中金属薄膜在可见光区域(波长380nm～770nm)中的明度是实质介于65至90之间、第一色度是实质介于-2.1至2.1之间以及第二色度是实质介于-2.1至2.1之间。
薄膜结构

[实用新型]薄膜结构-CN201320692273.8有效
发明人：黄文荣;李鸿麟;陈昭瑾;于豪文;吴声明 -专利权人：诚创科技股份有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜结构，适于置放于显示屏幕前且其包括基底以及滤蓝光抗菌除臭层。滤蓝光抗菌除臭层配置于基底上，以滤掉部分480nm以下波长的光线。
薄膜结构

[实用新型]薄膜结构-CN201220493167.2有效
发明人：黄文荣;李鸿麟;陈昭瑾 -专利权人：诚创科技股份有限公司
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜结构，适于贴附在一基板上。薄膜结构包括一基材、一纳米材料层以及一粘着层。基材具有彼此相对的一上表面以及一下表面。纳米材料层配置在基材上，且位于上表面。
薄膜结构

[发明专利]一种基于非线性有限元的薄膜褶皱强度评估方法及系统-CN202011604983.1有效
发明人：聂云清;李东旭;王杰;刘望 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于非线性有限元的薄膜褶皱强度评估方法及系统，所述评估方法包括以下步骤：S1，获取薄膜结构的褶皱应变，并构建用于评估薄膜结构褶皱强度的参数；S2，构建用于描述薄膜结构应力增量与应变增量之间关系的雅克比矩阵，并针对薄膜结构的不同受力状态，对雅克比矩阵进行赋值；S3，建立薄膜结构的有限元模型，对薄膜结构进行非线性有限元分析，获取褶皱应变；S4，对非线性有限元分析结果进行后处理，获取整体薄膜结构的褶皱强度因子本发明提出一种薄膜结构褶皱强度评估方法，利用非线性有限元方法计算得到结果，可对薄膜结构褶皱问题进行初步的快速评估，有效改善薄膜结构的防褶皱性能。
一种基于非线性有限元薄膜褶皱强度评估方法系统

[发明专利]用于改善半导体应变器件NBTI的方法和结构-CN201911163029.0在审
发明人：李润领;张彦伟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于改善半导体应变器件NBTI的方法和结构。其中，方法包括：提供一基底以及形成于基底上的器件；在器件上沉积分子塞薄膜结构，分子塞薄膜结构包括至少一层分子塞薄膜；在分子塞薄膜结构上沉积应力薄膜；进行退火工艺，通过退火工艺增大应力薄膜对器件施加的应力其中，结构包括：基底以及形成于基底上的器件；形成于器件上的分子塞薄膜结构，分子塞薄膜结构包括至少一层分子塞薄膜；形成于分子塞薄膜结构上的应力薄膜。本申请通过在应力薄膜下沉积分子塞薄膜结构，使得分子塞薄膜结构与应力薄膜配合作用，以解决相关技术中半导体器件的出现负偏压温度不稳定性的问题。
用于改善半导体应变器件 nbti 方法结构

[发明专利]化学机械研磨的监控测量方法-CN02103154.1有效
发明人：苏俊联;秦启元;卓世耿;陈铭祥;林益世 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-01-31 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： B23Q17/20 文献下载
摘要：一种监控测量半导体薄膜结构的厚度变化方法，通过半导体上的测试区测量监控在化学机械研磨过程中半导体上元件区薄膜结构的厚度变化，该方法是蚀刻测试区的薄膜结构，使蚀刻后测试区薄膜结构的图案密度实质近似于元件区薄膜结构的图案密度，以利于化学机械研磨工艺中实质仿真该元件区薄膜结构的厚度变化。
化学机械研磨监控测量方法

[发明专利]一种具有选择吸收特性的薄膜结构及其制备方法-CN201610472957.5在审
发明人：周文超;吴一辉;余慕欣;刘永顺;迟明波 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有选择吸收特性的薄膜结构及其制备方法，其中，薄膜结构包括：基底；位于基底表面的第一金属薄膜；位于第一金属薄膜背离基底一侧表面的介质薄膜层；位于介质薄膜层背离第一金属薄膜一侧表面的第二金属薄膜发明人研究发现上述结构的薄膜结构为具有MIM波导特性的选择吸收结构，并且通过MIM波导特性计算发现，通过改变介质薄膜层的厚度可以改变具有选择吸收特性的薄膜结构的吸收峰的中心波长，通过改变第二金属薄膜的厚度可以改变具有选择吸收特性的薄膜结构的吸收峰的半波带宽，从而可以通过调整介质薄膜层以及第二金属薄膜的厚度改变具有吸收特性的薄膜结构的选择吸收特性。
一种具有选择吸收特性薄膜结构及其制备方法

[发明专利]一种薄膜保温大棚-CN201310004481.9无效
发明人：郁蔚文;周寅;王健;顾兆俊;程果峰;时旭 -专利权人：中国水产科学研究院渔业机械仪器研究所
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： A01G9/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜保温大棚，其特征在于：薄膜保温大棚覆盖相邻的两块呈矩形的养殖/种植区域；包括框架结构，丝带及其固定装置，薄膜结构；薄膜结构包括上薄膜结构和下薄膜结构；上薄膜结构位于上主梁上丝带、上圈梁上丝带交织形成的支撑面，与上主梁下丝带形成的支撑面之间；下薄膜结构位于下主梁上丝带、下圈梁上丝带交织形成的支撑面，与下主梁下丝带形成的支撑面之间。丝带对薄膜结构进行限位和承载，利用丝带的柔性特质，使得薄膜保温大棚的抗风能力大大加强，由于丝带直接与混凝土层5进行固定，其稳固性也能得到保证，能够满足大跨度的保温大棚的结构强度要求。
一种薄膜保温大棚

[发明专利]用于改善半导体器件NBTI的方法和结构-CN201911163174.9在审
发明人：李润领;张彦伟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种用于改善半导体应变器件NBTI的方法和结构。其中，方法包括：提供一基底以及形成于基底上的器件；在器件上沉积氧化薄膜层；在氧化薄膜层上沉积分子塞薄膜结构，分子塞薄膜结构包括至少一层分子塞薄膜；在分子塞薄膜结构上沉积应力薄膜；进行退火工艺，通过退火工艺增大应力薄膜对器件施加的应力结构包括：基底以及形成于基底上的器件；形成于器件上的氧化薄膜层；形成于氧化薄膜层上的分子塞薄膜结构，分子塞薄膜结构包括至少一层分子塞薄膜；形成于分子塞薄膜结构上的应力薄膜。通过在氧化薄膜层和应力薄膜之间沉积分子塞薄膜结构，可以解决相关技术中半导体器件的出现负偏压温度不稳定性的问题。
用于改善半导体器件 nbti 方法结构

[发明专利]薄膜结构及薄膜结构制作方法-CN202111370693.X在审
发明人：陈发祥;郭恩卿;邢汝博;李俊峰 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供的薄膜结构及薄膜结构制作方法，涉及显示技术领域。采用不同金属氧化层作为有源层的第一金属氧化物薄膜晶体管与第二金属氧化物薄膜晶体管具有不同的次临界斜率值，可以用于电流驱动发光元件的像素驱动电路中以满足不同功能薄膜晶体管对次临界斜率值的要求。采用同种类型的薄膜晶体管制作薄膜结构相对于采用不同种类型的薄膜晶体管制作薄膜结构，可以简化制作工艺流程，降低制作成本。另外，上述薄膜结构相对于非晶硅薄膜晶体管组成的薄膜结构的功耗更低，且相对于低温多晶硅薄膜晶体管组成的薄膜结构具有更优的均一性。
薄膜结构制作方法

[发明专利]薄膜结构制造方法-CN201811587210.X在审
发明人：欧阳亚元 -专利权人：世洋科技股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01H13/14 文献下载
摘要：本申请涉及薄膜结构制造方法。本发明揭露一种制造键盘装置的按键的键帽的方法，该方法包括：提供面料层及设置于面料层下方的塑形薄膜；塑形该塑形薄膜及面料层以形成具有薄膜结构下表面的薄膜结构；以及提供具有上表面的键帽本体，其中上表面的轮廓符合薄膜结构下表面的轮廓在本发明中，以塑料射出或黏合技术将薄膜结构及键帽本体一同成形为键帽、再加工为按键并以激光雕刻在薄膜结构上表面形成符号，用户可察知光线通过符号而穿透薄膜结构或按键，并识别该按键的符号。
薄膜结构制造方法

[发明专利]热塑贴合方法及其预成型方法、透光结构件及电子设备-CN202110261338.2有效
发明人：吴俊翰;涂晋益 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B32B37/06 文献下载
摘要：本申请涉及热塑贴合的预成型方法、热塑贴合方法、透光结构件及电子设备；根据基体的贴合形状设置预处理治具，预处理治具设有预设端部，预设端部的形状与贴合形状相对应；加热薄膜结构，且将预处理治具靠近薄膜结构至与薄膜结构相接触，以使薄膜结构按贴合形状发生形变；保持预处理治具的位置及加热薄膜结构，向薄膜结构施压，用于塑形薄膜结构以使其部分结构与贴合形状相匹配；塑形完成后在预设时间段内持续施压且保持预处理治具的位置及加热薄膜结构
贴合方法及其成型透光结构件电子设备

[发明专利]改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构-CN201911163109.6在审
发明人：李润领;李中华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构。其中，方法包括：提供一基底以及形成于所述基底上的器件；通过ALD工艺，在所述器件上沉积应力薄膜结构，所述应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜；进行退火工艺，通过退火工艺增大所述应力薄膜结构对所述器件施加的应力结构包括：基底以及形成于基底上的器件；通过ALD工艺，形成于氧化薄膜层上的应力薄膜结构，应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜。本发明通过ALD工艺，在器件上沉积应力薄膜结构可以减少扩散进入器件栅氧层界面的H原子，能够显著提升器件的NBTI寿命。
改善器件偏压温度不稳定性方法结构

[实用新型]可卷折顶棚设备-CN201320102275.7有效
发明人：赵彦杰 -专利权人：赵彦杰
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： E04H15/54 文献下载
摘要：可卷折顶棚设备，就是双层透明塑料薄膜结构，将预定大小的双层透明塑料薄膜结构的周边的双层设制在一起。在预定大小的双层透明塑料薄膜结构的中部，每间隔一定距离设置一个点使点处的双层透明塑料薄膜结合在一起。使预定大小的双层透明塑料薄膜结构不漏气。在预定大小的双层透明塑料薄膜结构的某处设置一个气门芯。可以向预定大小的双层透明塑料薄膜结构中充气。如果用多个的预定大小的双层透明塑料薄膜结构作可卷折顶棚设备，就是使多个的预定大小的双层透明塑料薄膜结构的边在制造时互相连接在一起。
可卷折顶棚设备

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