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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911122031.3有效
发明人：刘琦;邹文 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：对用于键合的晶圆上的表面氧化层进行平坦化，并在所述表面氧化层的表面上形成键合界面层；湿法清洗所述键合界面层的表面；检测所述键合界面层的表面上的缺陷是否在规格以内，若所述键合界面层的表面上的缺陷未在规格以内，则去除所述键合界面层或者去除所述键合界面层和部分厚度的所述表面氧化层；循环执行上述步骤，直至形成的新的键合界面层的表面上的缺陷在规格以内；将至少两片所述晶圆进行键合，以形成晶圆键合结构。本发明的技术方案使得至少两片晶圆键合形成的晶圆键合结构的键合界面上的缺陷得到改善，进而使得产品良率得到提高。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有可编程逻辑器件和异构存储器的统一半导体器件及其形成方法-CN201980002585.1有效
发明人：刘峻;程卫华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一半导体结构，第一半导体结构包括NAND存储器单元和第一键合层，第一键合层包括第一键合触点。半导体器件还包括第二半导体结构，第二半导体结构包括DRAM单元和第二键合层，第二键合层包括第二键合触点。半导体器件还包括第三半导体结构，第三半导体结构包括可编程逻辑器件和第三键合层，第三键合层包括第三键合触点。半导体器件还包括在第一键合层和第三键合层之间的第一键合界面、以及在第二键合层和第三键合层之间的第二键合界面。第一键合触点在第一键合界面处与第三键合触点的第一集合接触。第二键合触点在第二键合界面处与第三键合触点的第二集合接触。第一键合界面和第二键合界面在相同的平面中。
具有可编程逻辑器件存储器统一半导体器件及其形成方法

[发明专利]具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法-CN201980002051.9有效
发明人：程卫华;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：在示例中，半导体器件包括NAND存储器单元和包含第一键合接触部的第一键合层。半导体器件还包括包含DRAM单元和含有第二键合接触部的第二键合层的第二半导体结构。半导体器件还包括包含处理器、SRAM单元和含有第三键合接触部的第三键合层的第三半导体结构。半导体器件还包括在第一和第三键合层之间的第一键合界面，以及在第二和第三键合层之间的第二键合界面。第一键合接触部在第一键合界面处与第一组第三键合接触部接触。第二键合接触部在第二键合界面处与第二组第三键合接触部接触。第一键合界面和第二键合界面在同一平面中。
具有处理器存储器一体化半导体器件及其形成方法

[发明专利]具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法-CN202011488127.4有效
发明人：程卫华;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：在示例中，半导体器件包括NAND存储器单元和包含第一键合接触部的第一键合层。半导体器件还包括包含DRAM单元和含有第二键合接触部的第二键合层的第二半导体结构。半导体器件还包括包含处理器、SRAM单元和含有第三键合接触部的第三键合层的第三半导体结构。半导体器件还包括在第一和第三键合层之间的第一键合界面，以及在第二和第三键合层之间的第二键合界面。第一键合接触部在第一键合界面处与第一组第三键合接触部接触。第二键合接触部在第二键合界面处与第二组第三键合接触部接触。第一键合界面和第二键合界面在同一平面中。
具有处理器存储器一体化半导体器件及其形成方法

[发明专利]引线键合界面透射电子显微镜样品的制备方法及观测金属间化合物演化过程的方法-CN202111385254.6在审
发明人：吴幸;王亚男;张子健;叶长青;骆晨;王超伦 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及引线接合界面金属间化合物技术领域，尤其涉及引线键合界面透射电子显微镜样品的制备方法及观测金属间化合物演化过程的方法。本发明提供的制备方法，首先将键合球表面、与所述键合球接触的焊盘表面沉积金属保护层，防止离子束切割时对键合球和焊盘的破坏，得到键合球‑焊盘样品后，对键合球‑焊盘样品纵向离子束切割，得到裸露的引线键合界面，再次对裸露引线键合界面的键合球‑焊盘样品的引线键合界面区域沉积金属保护层进行离子束切割，有效防止离子束切割时引线键合界面的破坏。本发明提供的制备方法选择芯片封装体内的引线键合界面制样，制备得到的引线键合界面透射电子显微镜样品精准度更高。
引线界面透射电子显微镜样品制备方法观测金属化合物演化过程

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202011452022.3在审
发明人：陈坦林;郭万里;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：所述方法包括：形成第一晶圆的正面键合界面和背面键合界面；对所述第一晶圆进行芯片切分，并将所述第一晶圆中的各芯片作为第一目标芯片；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第一基板进行临时键合；将所述第一目标芯片的正面键合界面与目标晶圆进行键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第一基板进行解键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片进行键合。本发明能够实现多层芯片和晶圆的混合键合，满足半导体器件的多样化需求。
半导体器件制作方法

[发明专利]一种混合键合方法-CN201410389773.3在审
发明人：梅绍宁;程卫华;陈俊;朱继锋 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供一种混合键合方法，所述方法包括：提供两片需要进行键合的硅片，每片所述硅片的键合界面上既包含金属又包含绝缘物；将所述两片硅片的键合界面对准后对该两片硅片进行键合工艺和热退火工艺；其中，在进行所述键合工艺和热退火工艺的过程中，将环境温度控制在200℃以上，同时在两片硅片上各施加一大小相等方向相反并均指向所述键合界面的压力，所述压力为1000牛以上。通过本发明方法可以减小键合界面的变形程度，使晶圆在键合界面上的平整度得以提高，有效避免了界面错位情况的发生，提高了混合键合的成功率。
一种混合方法

[发明专利]键合界面缺陷检测方法及装置-CN202111639615.5在审
发明人：苏盼盼;楚文 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合界面缺陷检测方法及装置。所述键合界面缺陷检测方法包括如下步骤：放置键合结构于一容纳有流体的处理腔内，使得所述键合结构中的键合界面浸没于所述流体内；控制一探测源在所述流体内沿第一预设轨迹运动，以获得所述键合界面的第一检测图像；根据所述第一检测图像判断所述流体内是否存在干扰物，若是，则控制所述探测源在所述流体内沿第二预设轨迹运动，以获得所述键合界面的第二检测图像；合并所述第一检测图像和所述第二检测图像，以获取所述键合界面的第三检测图像。本发明减少甚至是避免了因干扰物的存在而造成的键合界面缺陷检测的误判或者漏检问题，提高了键合界面缺陷检测的准确度和可靠性。
界面缺陷检测方法装置

[发明专利]一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法-CN201711071283.9在审
发明人：王喜龙 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法，应用于键合工艺的晶圆，其中，晶圆具有一键合界面，键合界面的硅原子具有悬挂键；提供一第一反应腔体，用以放置晶圆；包括以下步骤步骤S1、向第一反应腔体中通入氧气；步骤S2、对通入的反应气体进行解离以在键合界面形成一层氧离子层；步骤S3、于氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构；步骤S4、通过退火工艺对复合结构进行处理，使位于介电层与键合界面之间的氧原子与悬挂键键合其技术方案的有效果在于，效的提高了晶圆界面上悬挂键的键合程度，减少因为悬挂键的键合程度对器件的性能造成不利影响。
一种提高界面悬挂键键合方法

[发明专利]一种晶圆结构、制造方法和三维存储器-CN202111296139.1在审
发明人：尹朋岸;胡思平;姚兰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆结构、制造方法和三维存储器，该晶圆结构包括：衬底，位于衬底上的膜层，位于膜层中或上的反光图案，位于膜层上的氧化层中的界面键合标记，氧化层位于反光图案远离衬底的一侧，反光图案与界面键合标记在衬底所在平面的正投影重叠反光图案的图案密度和界面键合标记的图案密度的差值的绝对值大于或等于临界阈值。由于设置的反光图案的图案密度和界面键合标记的图案密度差异较大，从而反光图案和界面键合标记经键合机台光源照射反射的光量也差异较大，在镜头下界面键合标记的明暗对比度较高，可以准确识别界面键合标记，从而提高了晶圆键合对准的准确度
一种结构制造方法三维存储器

[发明专利]一种键合结构的缺陷扫描方法及设备-CN201910409848.2有效
发明人：王琼 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种键合结构的缺陷扫描方法及设备，键合结构可以包括至少三个晶圆，这至少三个晶圆被垂直键合形成多个键合界面，通过对键合结构进行平面超声波扫描，可以得到所有键合界面的气泡缺陷的平面分布信息，通过对气泡缺陷进行剖面扫描，可以得到气泡缺陷的剖面分布信息，通过剖面分布信息，可以确定气泡缺陷所在的键合界面。这样，通过平面扫描和剖面扫描，可以准确获取气泡缺陷所在的平面位置以及垂直位置，从而实现各个键合界面的分层监控，及时发现各键合界面处的气泡缺陷。
一种结构缺陷扫描方法设备

[发明专利]一种基于二维材料界面的混合键合结构及方法-CN202210738227.0有效
发明人：王伟豪;李顺斌;刘冠东;张汝云 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料界面的混合键合结构及方法，对待键合的芯粒下表面的绝缘层进行凹陷化处理；对待键合的半导体晶圆上表面键合区域的绝缘层进行凹陷化处理，凹陷处设置二维材料层，再将芯粒下表面与半导体晶圆上表面键合，利用二维材料薄层覆盖绝缘层，有效消除绝缘层表面的悬挂键，使键合界面达到原子级平整，有效降低键合的压力和温度，提升键合良率；此外，二维材料键界面可以降低键合界面缺陷密度，减少电迁移的发生，并通过热导率较高的二维材料界面，可以均匀化芯粒向晶圆的散热，从而提高键合的可靠性。
一种基于二维材料界面混合结构方法

[发明专利]超声键合界面元素扩散浓度预测方法-CN202310734111.4在审
发明人：罗皎;陈肖宏;张末希 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种超声键合界面元素扩散浓度预测方法，包括根据超声键合工艺，对超声Al‑Au键合界面元素扩散偶在扩散过程中原子浓度分布公式中扩散系数D值和扩散浓度C值的修正，进而建立超声Al‑Au键合界面处原子扩散浓度、扩散位置与所述超声键合工艺条件参数的定量关联模型，从而实现了在所述超声Al‑Au键合工艺参数条件下，对所述键合界面元素扩散浓度的预测；本发明关联模型中引入了超声键合工艺参数，更加准确地反映超声键合过程中原子浓度的变化规律，可准确预测在超声键合过程中原子浓度的分布情况，并采用遗传算法实现超声键合中材料参数的全局最优搜索，从而提高超声键合界面元素扩散浓度预测模型中材料参数的精度。
超声键合界面元素扩散浓度预测方法

[发明专利]异质键合结构及制备方法-CN202110379342.9在审
发明人：欧欣;瞿振宇;游天桂;徐文慧 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种异质键合结构及制备方法，通过对异质衬底进行离子注入与退火，在异质衬底中形成结构松散层，以容纳亲水性键合过程中界面处产生的水汽，以及离子束剥离与转移工艺中键合界面处的离子和气体分子，解决了亲水性键合过程中键合界面处水汽聚集引起的起泡问题和利用离子束剥离与转移技术进行半导体材料异质集成时注入离子聚集在键合界面处引起的电场拥簇和起泡的问题，优化了异质键合工艺，提高了异质衬底与键合材料的界面质量，以及利用该异质键合结构制成的器件的可靠性，对由异质键合结构制成的器件的发展意义重大。
异质键合结构制备方法

[发明专利]堆叠三维异质存储器件及其形成方法-CN201980002601.7在审
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：例如，3D存储器件包括：NAND存储单元和包括第一键合触点的第一键合层。3D存储器件还包括第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：DRAM单元和包括第二键合触点的第二键合层。3D存储器件还包括第三半导体结构，所述第三半导体结构包括：SRAM单元、包括第三键合触点的第三键合层、和包括第四键合触点的第四键合层。第三键合层和第四键合层处于SRAM单元的两侧。半导体器件还包括在第一键合层和第三键合层之间的第一键合界面。第一键合触点在第一键合界面处与第三键合触点相接触。3D存储器件还包括在第二键合层和第四键合层之间的第二键合界面。第二键合触点在第二键合界面处与第四键合触点相接触。
堆叠三维存储器件及其形成方法

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