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[发明专利]半导体结构与其制作方法-CN201810664093.6有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该制作方法包括：步骤S1，形成第一待键合结构和第二待键合结构，第一待键合结构包括牺牲层和预定键合的结构层，结构层和牺牲层形成异质结；步骤S2，向第一待键合结构和/或第二待键合结构施加作用力F并保持预定时间，使得第一待键合结构和第二待键合结构贴合，且结构层与第二待键合结构接触，对第一待键合结构和第二待键合结构进行加热，形成预半导体结构；步骤S3，去除牺牲层，形成半导体结构。该制作方法将应变施加引入到结构层中，形成质量较好的应变的结构层，进而形成性能较好的半导体结构。
半导体结构与其制作方法

[发明专利]声波滤波器装置、制造声波滤波器装置的封装件和方法-CN201610920628.2有效
发明人：康崙盛;姜珌中;金光洙;南智惠;梁正承;李桢日;宋钟亨 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：声波滤波器装置包括：基体，具有设置在基体上的声波滤波器部件和键合件，键合件围绕声波滤波器部件；盖，具有设置在盖上的键合对应件，键合对应件键合到基体的键合件，键合件包括包含金的第一键合层，键合对应件包括键合到第一键合层并且包含锡的第二键合层
声波滤波器装置制造封装方法

[发明专利]基于激光超声耦合的微连接工艺-CN202210933557.5在审
发明人：宋佳麒;霍永隽;胡世尊;刘煜;葛桉序 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及电子元器件封装技术领域，提供一种基于激光超声耦合的微连接工艺，包括在管壳的敞口的端面上依次附着第一粘附层、种子层、第一键合层、第二键合层及抗氧化层，在半导体晶圆盖板的盖合面上依次附着第二粘附层与第三键合层；将电子元器件放入管壳内，将半导体晶圆盖板的盖合面盖设于敞口的端面上；由敞口确定激光键合路径，开启超声波发生装置以带动管壳及半导体晶圆盖板振动；控制激光发生器发射的激光在半导体晶圆盖板上沿激光键合路径移动；第一键合层与第三键合层的材质相同，第一键合层的熔点高于第二键合层的熔点；本发明通过将激光作为瞬态液相键合的热源，并将超声波介入瞬态液相键合的反应过程，保证了封装的瞬时性与可靠性。
基于激光超声耦合连接工艺

[发明专利]晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法-CN202210850573.8在审
发明人：陶磊;郭育清;张燚;王厚有 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法和背照式图像传感器的形成方法，所述晶圆键合方法包括：提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，所述器件晶圆包括第一衬底和位于所述第一衬底上的第一键合层，所述承载晶圆包括第二衬底和位于所述第二衬底上的第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层键合；对所述晶圆键合结构中的气泡检查并判断气泡是否合格；若不合格，对所述晶圆键合结构进行解键合处理以获得分离的器件晶圆和承载晶圆；去除所述第一键合层的表层部分；对所述器件晶圆和所述承载晶圆进行重新键合在返工流程中，通过去除第一键合层中含水量较高的表层部分，降低了重新键合后的气泡，并且获得了平坦的键合表面。
晶圆键合方法以及背照式图像传感器形成

[发明专利]晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法-CN202210850359.2有效
发明人：陶磊;王厚有;王棒 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法，所述晶圆键合方法包括：提供一晶圆键合结构，晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，器件晶圆包括第一衬底和位于第一衬底上的第一键合层，所述承载晶圆包括第二衬底和位于第二衬底上的第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层之间键合；对晶圆键合结构进行气泡检查并判断气泡是否合格；若不合格，对晶圆键合结构进行解键合处理以获得分离的器件晶圆和承载晶圆，再对解键合处理后的器件晶圆进行氢退火工艺处理，以去除第一键合层中的水分子，然后对器件晶圆和承载晶圆进行重新键合。在返工流程中，通过氢退火工艺降低了器件晶圆第一键合层中的水分子，降低了重新键合后的气泡。
晶圆键合方法以及背照式图像传感器形成

[发明专利]一种混合键合结构及其制备方法-CN202111574515.9在审
发明人：刘志权;李晓;李哲;高丽茵;孙蓉 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合键合结构及其制备方法。所述混合键合结构包括相对设置的第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和第二衬底上分别设置第一键合层和第二键合层，二者键合形成键合界面；第一键合层和/或所述第二键合层中设置有具有(110)晶面择优取向的铜键合点，所述铜键合点包括孪晶组织，孪晶组织包括孪晶片层，孪晶片层主要沿晶粒生长方向夹角45°分布；具有所述孪晶片层的晶粒在所述铜键合点的晶粒总数中的占比≥50％，和/或所述孪晶组织的体积占所述铜键合点总体积的比值本发明的混合键合结构能够有效地提高芯片间的结合力，同时能保证较好的电气连接，而且铜键合点具有优异的组织热稳定性和力学性能，提升了服役可靠性。
一种混合结构及其制备方法

[发明专利]一种激光解键合装置-CN202111035726.5在审
发明人：侯煜;张紫辰;李纪东;张昆鹏;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯;李曼 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光解键合装置，该激光解键合装置包括载物台，用于将待解键合件保持在其上，待解键合件包括第一层结构、以及通过键合层粘接的第二层结构。还包括吸盘和激光系统。吸盘吸附在第二层结构表面。激光系统用于产生依次透过吸盘及第二层结构后聚焦在键合层的激光束，并控制激光束的焦点在键合层扫描，以对键合层进行解键合。还包括与吸盘连接的拉伸机构，该拉伸机构用于在激光束扫描键合层的部分区域后，向上拉吸盘，以使第一层结构和第二层结构在和该部分区域重合的位置处分离。以采用边激光解键合，边拉吸盘进行分离的剥离方式，防止两个层结构之间由于熔融状态的键合材料再次冷却凝固而使两个层结构再次粘连，降低剥离难度。
一种激光解键合装置

[实用新型]FBAR滤波器-CN201921406463.2有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本实用新型提供一种FBAR滤波器，FBAR滤波器包括：键合衬底，键合衬底一侧设置有与第一键合层键合连接的第二键合层，支撑层设置在第一键合层远离第二键合层的一侧；第一电极，第一电极设置在支撑层远离第一键合层的一侧，支撑层空腔贯穿支撑层、第二键合层且两端分别接触第一电极、键合衬底；压电薄膜，压电薄膜设置在第一电极远离支撑层一侧，电极上引结构贯穿压电薄膜与第一电极连接，顶电极设置在压电薄膜远离第一电极一侧，与电极上引结构部分连接；第一通孔，第一通孔贯穿键合衬底与支撑层空腔连接。本实用新型无需设置牺牲层，保留了压电薄膜的完整性，并且这种在键合衬底上开孔的结构设计，结构稳定，不易塌陷，可以很好的改善压电薄膜的品质。
fbar 滤波器

[发明专利]中介层结构及其制造方法-CN202211021381.2在审
发明人：陆路;胡胜;叶国梁 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种中介层结构及其制造方法。所述制造方法先形成了包括至少一层第一金属层和第一键合层的第一键合基板和包括至少一层第二金属层和第二键合层的第二键合基板，然后将第一键合基板和第二键合基板相对并进行键合，再移除第二衬底，以在第一衬底上形成由第一金属层和第二金属层通过第一键合层和第二键合层键合而共同构成的互联层，第一金属层和第二金属层中至少一个的层数大于1，所述互联层中的金属层的层数大于5，提高了中介层结构的布线充裕程度，并且，相对于通过多次单层堆叠的方法形成同样数量的金属层的方式，可以提高生产效率，降低中介层结构的应力，降低膜层剥落风险。所述中介层结构可以采用上述制造方法形成。
中介结构及其制造方法

[发明专利]电容式微机械超声换能器-CN202310798722.5在审
发明人：郭康;孙永旗;谷新 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B06B1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电容式微机械超声换能器，包括：振膜层；与振膜层相对设置的绝缘层；位于振膜层与绝缘层之间的键合件，键合件为金属键合件或粘结胶层，键合件用以连接振膜层与绝缘层，并在振膜层与绝缘层之间形成若干密闭空腔金属键合件或粘结胶层的形成对键合膜层的表面粗糙度要求较低，这降低了键合件的形成难度，从而有利于降低电容式微机械超声换能器的制备成本；同时，金属键合件或粘结胶层的形成使得振膜层与绝缘层以化学键键合在一起，
电容式微机械超声换能器

[发明专利]键合的三维存储器件及其形成方法-CN201980003413.6在审
发明人：黄诗琪;刘威;巴特尔·谢伦;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了键合的3D存储器件及其制作方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括具有多个第一导体层的第一存储堆叠层以及具有分别导电连接至所述多个第一导体层的多个第一字线键合触点的第一键合层。第二半导体结构包括具有多个第二导体层的第二存储堆叠层以及具有分别导电连接至所述多个第二导体层的多个第二字线键合触点的第二键合层。所述3D存储器件还包括处于第一键合层和第二键合层之间的键合界面，在所述键合界面处，第一字线键合触点与第二字线键合触点发生接触。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]键合的统一半导体芯片及其制造和操作方法-CN201980001586.4在审
发明人：刘峻;程卫华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：公开了键合的统一半导体芯片及其制造和操作方法的实施例。在示例中，统一半导体芯片包括第一半导体结构，其包括一个或多个处理器、嵌入式DRAM单元阵列以及包括多个第一键合触点的第一键合层。统一半导体芯片还包括第二半导体结构，该第二半导体结构包括NAND存储器单元阵列和第二键合层，该第二键合层包括多个第二键合触点。统一半导体芯片还包括第一键合层和第二键合层之间的键合界面。第一键合触点在键合界面处与第二键合触点接触。
键合层键合半导体芯片半导体结构触点键合界面统一嵌入式DRAM单元触点接触单元阵列处理器制造

[发明专利]一种大功率模块粗铜线键合结构-CN202011477028.6在审
发明人：王志超 -专利权人：华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开的一种大功率模块粗铜线键合结构，包括双面覆铜陶瓷基板与铜键合线，所述双面覆铜陶瓷基板上设置有芯片，所述芯片上设置有铜箔缓冲层，铜箔缓冲层通过焊接层与芯片的键合表面固定连接，所述铜键合线与铜箔缓冲层键合连接本发明通过设置铜箔缓冲层，实现了铜键合线与芯片键合表面的键合连接，提升了载流能力，进而提升了功率模块的可靠性。
一种大功率模块铜线结构

[发明专利]互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺-CN201410405897.6有效
发明人： R·纳加拉贾;陈福勤;卢家辉;易俊豪;吴稼祺;田晶泽;P·R·耶勒汉卡;R·库马尔 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺，揭露一种晶圆键合层及使用晶圆键合层键合晶圆的晶圆键合工艺。该晶圆键合工艺包含设置第一晶圆，设置第二晶圆，及设置晶圆键合层。该晶圆键合层是分开设置在第一和第二晶圆的接触表面层，而成为CMOS相容工艺配方的一部分。
互补金属氧化物半导体相容晶圆键合层工艺

[实用新型]一种MEMS器件-CN201921806997.4有效
发明人：闻永祥;季锋;刘琛;陈有鑫;张小丽 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种MEMS器件，包括器件硅片、封帽硅片和防粘附层，器件硅片包括位于其第一表面的微机械结构区和第一键合层，封帽硅片包括位于其第二表面的第二键合层，第一键合层与第二键合层彼此接触且键合，防粘附层覆盖微机械结构区的暴露表面以及第一键合层的侧壁，第一键合层包括依次堆叠于器件硅片的第一表面的第一接触层、隔离层、第一金属层以及第二金属层，其中，第一金属层为铝金属层，第二金属层为锗金属层，当第一键合层和第二键合层接触时，直接将器件硅片上悬浮的防粘附层挤出，在器件硅片和封帽硅片的接触表面上实现无防粘附层的共晶键合，有利于提高MEMS器件的稳定性。
一种 mems 器件