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[实用新型]一种用于制造硅基异质结电池的工装-CN201821170004.4有效
发明人：沙明星 -专利权人：东腾投资集团有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于制造硅基异质结电池的工装，用于夹持硅片，包括上下设置的上盖和托盘，所述托盘上设置有用于固定硅片的安装槽；所述上盖与托盘之间设置有限位机构，所述限位机构设置在所述安装槽的边沿，用于水平限位硅片本申请涉及硅基异质结电池的制造设备，提供了一种用于制造硅基异质结电池的工装，能够避免由于硅片在工装中移动而造成的镀膜失败问题，保证了稳定镀膜和硅片的边缘处绝缘，无需其他化学清洗。
硅基异质结工装硅片托盘电池安装槽镀膜上盖制造固定硅片化学清洗上下设置水平限位限位机构制造设备边缘处夹持绝缘申请失败移动保证

[发明专利]一种富含氧空位的氧化铝基异质结材料及其制备方法-CN202111621214.7有效
发明人：李发堂;李奇;李少强;刘英;刘瑞红 -专利权人：河北科技大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B01J20/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种富含氧空位的氧化铝基异质结材料及其制备方法。所述氧化铝基异质结材料由富含氧空位的氧化铝与富铋型氯氧铋组成。制备过程包括：将一定量九水合硝酸铝，五水合硝酸铋，铵盐，尿素搅拌混合均匀后，置于电子炉上加热并继续搅拌，原料逐渐熔化形成离子液体，之后进一步在还原气氛中发生自燃反应形成富含氧空位的氧化铝基异质结材料前驱体将获得的前驱体在马弗炉中加热到400‑500℃以去除残留的杂质即获得纯净的氧空位型氧化铝异质结材料。本发明的制备方法简单，原料廉价，不需要复杂设备，过程无污染，适合工业化批量生产。
一种富含空位氧化铝基异质结材料及其制备方法

[发明专利]GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法-CN201510995925.9在审
发明人：马晓华;宋芳;雷毅敏;马佩军;钟决坤;王湛 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法，主要解决现有制备方法中GaN基异质结透明薄膜样品在离子减薄时容易造成薄膜减薄过度导致样品制备成功率低的问题。其技术方案是：1.对GaN基异质结薄膜材料和Si片进行切割、清洗；2.将清洗后的样品与Si片进行胶对粘，并在加热台上加热固化；3.将样品截面机械研磨至20～30μm时，采用倾斜磨抛工艺，使Si片一侧出现楔形刃口本发明具有省时、高效的特点，可用于表征GaN基异质结透明薄膜的透射电子显微镜微观缺陷结构。
gan 基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法

[发明专利]氮化镓基晶体管器件外延结构及其制备方法、器件-CN202010902507.1在审
发明人：何俊蕾;林科闯;刘成;郭德霄;赵杰;徐宁;汪晓媛;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基晶体管器件外延结构及其制备方法、器件，属于半导体器件技术领域。氮化镓基晶体管器件外延结构，包括：衬底及依序形成于衬底上的缓冲层、第一层异质结、刻蚀终止层和第二层异质结，第二层异质结形成有凹槽，第二层异质结背离刻蚀终止层的一侧形成有P型氮化物层，且P型氮化物层填充凹槽本发明，一方面，能够通过形成的第一层异质结和第二层异质结，使两个异质结的二维电子气沟道之间可产生强耦合，从而降低该功率器件的导通电阻；另一方面，增加非凹槽处外延层厚度，降低表面态对沟道二维电子气的影响，
氮化晶体管器件外延结构及其制备方法

[发明专利]一种纳米三金属氧化物异质结材料、其制备方法及应用-CN202310816573.0在审
发明人：孙念荣;邓春晖;姚群燕;史芳瑛 -专利权人：复旦大学附属中山医院
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米三金属氧化物异质结、其制备方法及应用。纳米三金属氧化物异质结为过渡金属氧化物。本发明的纳米三金属氧化物异质结，含有铁、钴和镍氧化物三个组分，在二元和三元金属氧化物中合理添加和整合金属元素，由于活性位点的增加，可以产生协同效应。本发明的异质性复合材料表面粗糙，紫外吸收能力强，可以实现肝细胞癌生物流体代谢物的有效质谱检测。
一种纳米金属氧化物异质结材料制备方法应用

[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202210805561.3在审
发明人：周大华;石彪;张永娜;赵洪泉;朱海鹏;冯双龙;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，其中隧穿场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、异质结、导电电极层以及介质层，所述半导体衬底的上方设置所述绝缘层，所述绝缘层上方设置所述异质结，所述异质结的上方设置所述介质层，在所述异质结的两侧以及所述介质层的上方设置所述导电电极层，所述异质结包括错开堆叠的硒化钨层和硒化锆层。本发明采用硒化锆/硒化钨异质结作为隧穿层，通过栅压调节异质结界面能带结构，使得该晶体管具有较高的开态电流，解决硅基隧穿场效应晶体管开态电流小的问题。
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种宽光谱硅基-硫化钼异质结光电探测器的制备方法-CN202111597763.5有效
发明人：南海燕;王成林;肖少庆;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的方法包括如下步骤：先利用温和等离子体技术处理硅基衬底表面的SiO2层，使得SiO22薄膜；之后通过干法转移技术将MoS2薄膜转移至预处理的衬底表面，得到硅基MoS2异质结；最后利用光刻技术刻出器件结构，蒸镀电极，得到所述的宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器。
一种光谱硫化钼异质结光电探测器制备方法

[发明专利]管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂及其制备方法和应用-CN202210527800.3有效
发明人：梁清华;刘智峰;童设华;何清云;邵彬彬;吴婷;潘园;张贤胜;葛霖;何苗 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂及其制备方法和应用，该管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂以管状氮化碳为骨架，管状氮化碳表面修饰有钒掺杂碘酸氧铋和碳化钨；管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂中管状氮化碳的质量百分含量为本发明的管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂，具有光吸收能力强、光生电子‑空穴分离效率高、催化活性高、结构稳定性好等优点，是一种新型的氮化碳基光催化材料，可快速去除水中的污染物，能够广泛用于光催化去除环境中的有机污染物
管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化镓基增强型器件的制造方法-CN201410456503.X在审
发明人：周琦;鲍旭;牟靖宇;汪玲;施媛媛;章晋汉;靳旸;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及到一种氮化镓基增强型器件的制造方法。本发明主要采用两步刻蚀法，第一步为快速刻蚀，使用氯气或氯化硼刻蚀异质结势垒层总厚度的三分之一至三分之二；第二步为慢速刻蚀，采用氧气等离子体反应技术，使用氧气等离子体氧化剩余的异质结势垒层，将异质结势垒层表面氧化；然后采用湿法刻蚀技术，将异质结势垒层一层一层刻蚀掉，直至异质结势垒层剩余厚度为0.5～2nm。本发明在保证刻蚀效率的同时，有效改善III族氮化物刻蚀后的表面形貌，降低刻蚀后的表面漏电，该方法能够提高氮化镓基凹槽栅增强型器件沟道的二维电子气迁移率，获得高性能氮化镓基增强型器件。本发明尤其适用于氮化镓基增强型器件。
一种氮化增强器件制造方法

[发明专利]基于ScAlN双沟道异质结结构的GaN射频器件及其制备方法-CN202110224747.5在审
发明人：马晓华;宓珉瀚;韩雨彤;周雨威;张濛;侯斌;祝杰杰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于ScAlN双沟道异质结结构的GaN射频器件及其制备方法，该方法包括：S1：在衬底上生长双沟道GaN基异质结；S2：采用干法刻蚀工艺对顶层的GaN基异质结的势垒层进行图形化刻蚀，形成源极区域图形化凹槽和漏极区域图形化凹槽；S3：在源极区域图形化凹槽和漏极区域图形化凹槽淀积金属，形成源极欧姆接触金属和漏极欧姆接触金属；S4：在未被金属覆盖的顶层的GaN基异质结的势垒层上淀积钝化层；S5：采用干法刻蚀工艺对栅极区域的钝化层进行刻蚀本发明的方法，在制作欧姆接触时采用图形化欧姆接触的制作方法，降低了双沟道异质结的欧姆接触电阻。
基于 scaln 沟道异质结结构 gan 射频器件及其制备方法

[发明专利]一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法-CN201910374122.X在审
发明人：李效民;黎冠杰;陈永博;朱秋香;赵俊亮;高相东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法，所述异质结构包括：AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底，以及依次生长在所述AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底中AlGaN
一种用于铁电栅 gan 增强 hemt 器件结构及其制备方法

[发明专利]柔性石墨烯/锗异质结的制备方法与转移方法-CN202211473690.3在审
发明人：李连碧;丁斌斌;李蕾;贡楷文;王蓉;李泽斌;张国青;夏蔡娟;宋立勋;曹得重;臧源;胡继超;林生晃 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。
柔性石墨锗异质结制备方法转移

[发明专利]一种异质结电池胶膜-CN202111527111.4有效
发明人：陈书亮;吕松;黄宝玉;张刚;季志超;徐炜琴;刘俊;杨求平;吴斌;吴丰华 -专利权人：常州斯威克光伏新材料有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C09J123/08 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池胶膜，按重量份计算，100份的EVA基体树脂、0.2～0.77份的抗氧剂、0.25～0.6份的自由基交联剂、0.1～0.4份的硅烷偶联剂、0.3～0.6份的粘结力增强助剂和0.2该胶膜通过添加粘结力增强助剂，在保证胶膜基础透过率、体阻和粘结力的前提下，提高胶膜与异质结电池片之间的粘结力，有效的解决了光伏封装胶膜与异质结电池粘结力过低的难题，推动了异质结组件的生产，有效改善异质结组件在使用过程中的粘结力降低和脱层现象的出现；能够促使异质结电池组件在市场端的大规模推广。
一种异质结电池胶膜

[发明专利]无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法-CN201710148171.2在审
发明人：伊晓燕;刘志强;何志;段瑞飞;黄洋;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种无衬底GaN基微晶粉体LED发光二极管，包括一n型GaN基化合物半导体层；一量子阱或异质结有源层，其制作在n型GaN基化合物半导体层上；一p型GaN基化合物半导体层，其制作在量子阱或异质结有源层上；一P电极，其制作在p型GaN基化合物半导体层的上面；一N电极，其制作在n型GaN基化合物半导体层的另一面上；其中n型GaN基化合物半导体层、量子阱或异质结有源层、p型GaN基化合物半导体层、P电极和N电极构成单颗晶粒本发明可以降低GaN基LED使用成本，拓展GaN基LED的应用领域。
衬底 gan led 晶粒及其制备方法

[发明专利]一种梯度掺杂硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201110247920.X无效
发明人：杜国平;齐立敏 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度掺杂的硅基异质结太阳能电池及其制备方法，以晶体硅为衬底，在其表面上沉积数层掺杂浓度依次升高的非晶硅薄膜，最后沉积一定厚度的透明导电薄膜并制备电极，制得梯度掺杂硅基异质结太阳能电池。因此，与传统硅基异质结太阳能电池相比，梯度掺杂的硅基异质结太阳能电池具有更高的光电转换效率。
一种梯度掺杂硅基异质结太阳能电池及其制备方法