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[发明专利]基于异质结薄膜光源的光耦、其放大集成电路及制作方法-CN201910823552.5在审
发明人：徐开凯;刘昱州;赵建明;李建全;黄磊;曾德贵;施宝球;孙宏亮;廖楠;徐银森;范洋;洪继霖;曾尚文;李洪贞;刘继芝;陈勇 -专利权人：电子科技大学;气派科技股份有限公司;广安职业技术学院;重庆中科渝芯电子有限公司;四川芯合利诚科技有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司;广东成利泰科技有限公司;四川晶辉半导体有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO₂薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO₂薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本发明的基于异质结薄膜光源的光耦，能够与电路集成在同一个衬底上
光源异质结光耦薄膜衬底集成电路硅光探测器放大制作硅基集成电路工艺光电耦合器器件集成度尺寸减小传播过程传输距离电路集成光探测器光源制作集成技术轴向排布集成度介质层堆叠轴向封装制造

[发明专利]四氧化三钴/五氧化二钽纳米异质结构空心球、其制备方法及应用-CN201710038863.1有效
发明人：朱丽萍;张子悦 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种四氧化三钴/五氧化二钽纳米异质结构空心球，该空心球球壳由五氧化二钽纳米颗粒构成，四氧化三钴纳米颗粒附着在球壳表面，四氧化三钴和五氧化二钽形成异质结，球壳厚度在5nm，纳米颗粒大小为2到10nm本发明利用模板吸附方法通过配置不同金属离子溶液和后续的退火处理制备得到纳米异质结构空心球。空心球比表面积为70.6m²/g，为多孔结构。将本发明的四氧化三钴和五氧化二钽的纳米异质结构空心球涂覆在已经镀好电极的绝缘衬底上可以直接用于测试乙醇气体。
氧化纳米结构空心球制备方法应用

[发明专利]一种制备钛基金属有机框架同源异质结光催化剂的方法-CN202011058130.2在审
发明人：余岩;张凯利;孙亚男;周乐乐;潘宫洁;陈艺文;胡金星;陈慧 -专利权人：宁波大学科学技术学院
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备钛基金属有机框架同源异质结光催化剂的方法，包括以下步骤：1）Ti基MOFs同源异质结光催化剂的制备2）NH2‑MIL‑125@NTU‑9异质结光催化剂的制备采用两步水热法结合二维结构比表面积大、电子传递路径短等优势，合理选择与Ti‑MOFs能带匹配的二维材料，设计制备具有异质结界面的光生电荷加速分离和抗生素强吸附的复合体系。并调控优化制备参数，实现具有吸附‑光催化双功能Ti‑MOFs基二维范德华异质结复合材料的可控制备。
一种制备基金有机框架同源异质结光催化剂方法

[发明专利]折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法-CN202310431333.9在审
发明人：黄森;蒋其梦;戴心玥;王鑫华;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法，该折叠沟道氮化镓基场效应晶体管包括：基础层；多异质结层，包括在氮化镓半绝缘层上自下而上交替堆叠形成的沟道层和势垒层；氮化镓调控层，在多异质结层上从沟道区的一侧延伸到至少一部分沟槽；电流坍塌抑制结构，在多异质结层上形成于沟道区的另一侧，并与氮化镓调控层通过另一部分沟槽隔开；源极和漏极，在氮化镓半绝缘层上分别与多异质结层的两侧接触，漏极与电流坍塌抑制结构的侧面与部分上表面接触；栅极，形成于源极与氮化镓调控层之间的异质结上；连接结构，穿过栅极的上方电连接源极与氮化镓调控层。
折叠沟道氮化场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种异质结阵列基紫外探测器及其制作方法-CN201610490299.2在审
发明人：兰建龙 -专利权人：兰建龙
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结阵列基紫外探测器及其制备方法，所述探测器包括基底、导电薄膜，所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的Sm2O3@ZnO异质结阵列和至少一个N型欧姆电极，所述的Sm2O3@ZnO异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极；所述的Sm2O3@ZnO异质结阵列为ZnO纳米管阵列和填充于ZnO纳米管内的Sm2O3纳米线构成。由于本发明的核心结构为由ZnO纳米管阵列和贯穿ZnO纳米管的Sm2O3纳米线构成的异质结阵列，可以充分提高光生载流子的利用率，具有外量子效率和灵敏度高、体积小巧等诸多优点。
一种异质结阵列紫外探测器及其制作方法

[发明专利]一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法-CN201710672262.6有效
发明人：吴璠;陈伟敏;唐志鲜;蒋岚;康鑫 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法，利用垂直生长于FTO衬基上的CuO纳米棒阵列作为光子吸收材料和空穴传输材料，TiO₂纳米晶体薄膜为电子传输材料，制备了CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结，并制成以FTO为阴极和Al膜为阳极的太阳电池。发现CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结太阳电池的开路电压达到0.41V、短路电流密度为7.81uA/cm²；与CuO/TiO₂双层平面异质结太阳电池相比，CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结的路电压提高了1.78倍，短路电流密度增加了16.27倍。
一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种过渡金属氧化物p-n异质结及其制备方法-CN200810079980.3无效
发明人：王淑芳;何立平;陈明敬;于威;李晓苇;傅广生 -专利权人：河北大学
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种过渡金属氧化物p-n异质结，由p型导电材料铋锶钴氧Bi₂Sr₂Co₂O₈和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr本发明利用脉冲激光沉积方法在n型导电掺铌钛酸锶Sr_1-xNb_xTiO₃基底上外延生长一层高质量的p型导电铋锶钴氧Bi₂Sr₂Co₂O₈热电薄膜，从而构成了一种全新的过渡金属氧化物p-n异质结。该异质结在室温及室温以下很宽的温区内均表现出优异的二极管整流特性并能观测到结电阻受电流调制等特性，这些特性表明这种新型氧化物p-n异质结在电子学与电子技术工程方面具有应用前景。
一种过渡金属氧化物异质结及其制备方法

[发明专利]硅基异质结太阳电池及其制备方法-CN202010852298.4有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基异质结太阳电池及其制备方法，其中，硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层，所述纳米硅氧层与钝化层之间设置有本征纳米硅层
硅基异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]基于埋栅结构的多沟道GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202111270972.9在审
发明人：周弘;张超群;张进成;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于埋栅结构的多沟道GaN基高电子迁移率晶体管，主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅控能力弱，线性度差，输出电流小的问题，其自下而上包括衬底、缓冲层、GaN基异质结层、GaN帽层、钝化层，GaN基多沟道异质结层及GaN帽层的两侧为源漏极，源漏之间为栅极，每个异质结由本征GaN层(31)、AlN插入层(32)、势垒层(33)堆叠组成，栅极包括多个埋栅(81)和位于钝化层上方的金属场板(82)，每个埋栅贯穿GaN异质结沟道层、GaN帽层及钝化层，上端与金属场板连接，构成多个三栅极结构。
基于结构沟道 gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种异质结纳米阵列电极材料及其制备方法与应用-CN202210521647.3有效
发明人：李萍;李吉鑫;黄钰淇;黄蕖骅;赵世恩;李文琴 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C25B11/061 文献下载
摘要：本发明属于电催化析氧电极材料技术领域，具体涉及一种异质结纳米阵列电极材料及其制备方法与应用。本发明将铁基集流体置于高锰酸钾水溶液中，水热反应得到一种异质结纳米阵列电极材料，该方法采用的一步水热法具有经济快捷、绿色简单、反应迅速、可大规模量产的特点；其中的铁基集流体既作为载体又作为铁源，可以实现在集流体上原位生长阵列所得异质结纳米阵列电极材料将稳定性好的δ‑MnO2和TM‑FeOOH耦合在一起构筑异质结，既可以有效调控电子结构，提高本征活性，促进电荷传输，又可以提供更多的活性位点
一种异质结纳米阵列电极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种镍铁基纳米异质结电催化剂及其制备方法和应用-CN202211336732.9在审
发明人：靳葆杰;王婧;朱小宁;黄林泉 -专利权人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C25B11/061 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍铁基纳米异质结电催化剂及其制备方法和应用，属于电催化材料技术领域。本发明公开了一种镍铁基纳米异质结电催化剂的制备方法，镍铁水滑石作为前驱体材料，随后通过等离子处理得到Ni/NiFe(OH)x纳米的异质结电催化剂，能够有效调节活性位点的电子结构，从而有效降低电解水反应中析氢过电势
一种镍铁基纳米异质结电催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法-CN201010146780.2无效
发明人：付姚;罗昔贤;彭勇;于涛;冯威 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法，所述的探测器包括玻璃基底、导电薄膜，所述的玻璃基底是石英玻璃基底，所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的NiO-TiO2纳米线异质结阵列和至少一个N型欧姆电极，所述的NiO-TiO2纳米线异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极。所述的制备方法，包括在导电薄膜上制备NiO-TiO2纳米线异质结阵列并在NiO-TiO2纳米线异质结阵列上制备P型欧姆电极和在导电薄膜上制作N型欧姆电极。本发明的核心结构由TiO2纳米线阵列和NiO纳米线阵列通过线-线对接构成纳米线异质结阵列结构，具有外量子效率和灵敏度高、响应速度快、暗电流小、体积小巧等诸多优点。
一种纳米线异质结阵列紫外光探测器及其制备方法

[实用新型]一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器-CN201020159386.8无效
发明人：付姚;罗昔贤;彭勇;于涛;冯威 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器，所述的探测器包括玻璃基底、导电薄膜，所述的玻璃基底是石英玻璃基底，所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的NiO-TiO2纳米线异质结阵列和至少一个N型欧姆电极，所述的NiO-TiO2纳米线异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极。本实用新型的制备方法，包括在导电薄膜上制备NiO-TiO2纳米线异质结阵列并在NiO-TiO2纳米线异质结阵列上制备P型欧姆电极和在导电薄膜上制作N型欧姆电极。本实用新型的核心结构由TiO2纳米线阵列和NiO纳米线阵列通过线-线对接构成纳米线异质结阵列结构，具有外量子效率和灵敏度高、响应速度快、暗电流小、体积小巧等诸多优点。
一种纳米线异质结阵列紫外光探测器

[实用新型]一种异质结硅基太阳能电池-CN201320198901.7有效
发明人：杨建国;周莹;杜学国;张东;刘玉海;田娜;周莉莉 -专利权人：巨力新能源股份有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结硅基太阳能电池，其包括由非晶硅与晶体硅构成的异质结本体，在异质结本体的正面和背面分别镀有石墨烯薄膜，石墨烯薄膜的外端面上制作有电极。
一种异质结硅基太阳能电池

[发明专利]一种混合维度S掺杂g-C3-CN202210066189.9有效
发明人：邢伟男;张懿池;程珂;夏思烨;陈玉文;邵伟凡;李海彤;郭文;吴光瑜 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合维度S掺杂g‑C3N4基范德华异质结光催化剂及其制备方法和应用，属于材料制备技术领域。该方法为将三聚氰胺、三聚氰酸分别用二甲基亚砜溶解，得到澄清溶液；将三聚氰酸溶液逐滴加入到三聚氰胺溶液中，得到作为g‑C3N4基范德华异质结光催化剂前驱体的白色沉淀；将白色沉淀前驱体与三聚硫氰酸混合，将混合物质置于马弗炉中煅烧，得到混合维度S掺杂g‑C3N4基范德华异质结光催化剂。该催化剂可应用在光催化领域，该方法可通过改变反应条件得到不同配比S掺杂的g‑C3N4基范德华异质结光催化剂，工艺操作简单
一种混合维度掺杂 base sub