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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]液态微机电系统磁性部件-CN201310410116.8无效
发明人：艾哈迈德礼萨·罗福加兰 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种液态微机电系统磁性部件，其包括板，通道，一个或多个绕组，磁化掺杂微滴，以及微滴致动模块。通道被实施或被嵌入在板的一个或多个层中，以及一个或多个绕组被定位接近通道。磁化掺杂微滴被包含在通道中，并且被基于控制信号的微滴致动模块更改。通过相对于一个或多个绕组改变磁化掺杂微滴，从而改变液态微机电系统磁性部件的电磁特性。
液态微机系统磁性部件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911416623.6在审
发明人：周源;张小麟;李静怡;王超;张志文;朱林迪;袁波;刘恒;梁维佳 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；体区，位于衬底的表面上；掺杂区，自体区表面延伸至体区中；栅叠层，位于体区的表面；以及导电通道，包括穿过体区并与衬底接触的沟槽以及填充在所述沟槽内的导电材料，导电通道与掺杂区分隔，其中，掺杂区与导电通道之间形成沟道，衬底与掺杂区通过导电通道和沟道导通。该半导体器件通过在沟槽中填充导电材料形成了导电通道，由于沟槽不再用于制作沟槽栅，降低了对沟槽的刻蚀质量要求，从而降低了刻蚀难度，并通过在体区表面形成的栅叠层代替了沟槽栅，因此使得器件的阈值电压更加稳定。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及制造方法-CN202210010264.X在审
发明人：张魁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及制造方法，半导体结构包括：基底，基底上具有沿第一方向延伸的位线；半导体通道，半导体通道位于位线上；半导体掺杂层，半导体掺杂层位于位线的侧面，半导体掺杂层顶面与半导体通道接触；沿第二方向延伸的字线，字线环绕部分半导体通道，且字线的底表面高于位线的顶表面；字线介质层，字线介质层位于字线与半导体通道之间；隔离层，隔离层位于字线与位线之间以及字线与半导体掺杂层之间。
一种半导体结构制造方法

[发明专利]用于掺杂区的导电通道的制造方法、沟槽型MOSFET器件及其制造方法-CN202111078843.X在审
发明人：刘坚;蔡金勇 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：公开了一种用于掺杂区的导电通道的制造方法，包括：在半导体层上形成介质层，所述半导体层包括掺杂区；在所述介质层中形成开口；在所述开口的侧壁形成侧墙；经由所述开口对所述半导体层进行蚀刻，形成到达所述掺杂区的导电孔；以及在所述导电孔中填充导电材料形成导电通道，其中，所述侧墙用于减小所述导电通道的横向尺寸。本申请的用于掺杂区的导电通道的制造方法，通过在介质层中的开口的侧壁形成侧墙，缩小介质层中开口的横向尺寸，从而以更小的开口对半导体层进行蚀刻，最终获得尺寸更小的导电孔，改善器件的性能。
用于掺杂导电通道制造方法沟槽 mosfet 器件及其

[发明专利]静电放电保护装置-CN200310104636.2无效
发明人：陈伟梵;林锡聪 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电(ESD)保护装置，具有第一导电性的半导体本体，在半导体本体形成的第二导电性的第一掺杂区域，在半导体本体形成的第二导电性的第二掺杂区域，在第一掺杂区域及第二掺杂区域间形成的通道区域，在第一掺杂区域上形成的数个接触窗，及在半导体本体形成的及在位于通道及接触窗间的第二导电性的井。
静电放电保护装置

[发明专利]半导体器件中晶体管的形成方法-CN02160892.X无效
发明人：孙容宣;柳昌雨;李政烨 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2002-12-31 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件中的晶体管的方法，包括步骤：形成具有第一和第二导电类型的通道层，进行高温热处理以形成稳定通道层，并通过生长未掺杂硅外延层形成一具有超陡逆分布δ－掺杂的外延通道，利用氢处理已获得的结构的整个表面，通过在稳定通道层上生长未掺杂硅外延层形成一外延通道结构，在外延通道结构上形成栅极绝缘膜和栅极电极，再氧化该栅极绝缘膜以修复该栅极绝缘膜的损伤部分；以及形成源/漏区并进行一低温热处理。
半导体器件晶体管形成方法

[发明专利]薄膜晶体管的双栅极布局结构-CN03109443.0有效
发明人：李春生;尤建盛;孙文堂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-04-09 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种用以抑制漏电流的液晶显示器的像素多栅极薄膜晶体管布局结构，至少包含一呈蛇形或是L型的多晶硅层，其包含有一n+重掺杂源极区、一第一n－轻掺杂区、一第一栅极通道、一第二n－轻掺杂区、一第二栅极通道、一第三n－轻掺杂区、及一n+重掺杂漏极区形成于其中，此外，源极区藉由一接触窗连接至一资料线，而且第一栅极通道与第二栅极通道的长度方向至少其一是沿着资料线方向，在多晶硅层的上方依序沉积一栅极氧化层与多栅栅极，其中的多栅栅极与多晶硅层有二个交会点分别在第一栅极通道与第二栅极通道的上方因此，本发明的晶体管布局结构可以使沿扫描线方向的部分栅极通道负担转移至沿资料线方向，而使沿扫描线方向可以容纳更多像素，而提高分辨率。
薄膜晶体管栅极布局结构

[发明专利]一种场效应晶体管的实现方法-CN202110305868.2有效
发明人：黄宏嘉;林和;牛崇实;洪学天;张维忠 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型嵌入式晶体管的实现方法，包括：在目标晶体管中设置嵌入式通道，来将目标晶体管中的漏极和源极区域与栅极边界间隔预设距离；在栅极边界与源极之间以及栅极边界与源极之间对应的嵌入式通道中，建立掺杂浓度，构成新型嵌入式晶体管；对新型嵌入式晶体管进行验证，确定是否合格；若合格，保持当前设置的嵌入式通道以及建立的掺杂浓度不变；否则，对当前设置的嵌入式通道以及建立的掺杂浓度进行调整。通过设置嵌入式通道以及在嵌入式通道中建立掺杂浓度，来构建新型嵌入式晶体管，并对其进行验证，可以有效改善晶体管中局部电场的不均匀性，降低击穿的可能性。
一种场效应晶体管实现方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110808697.5在审
发明人：韩清华 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：基底；位线，位于基底上；半导体通道，位于位线表面，在沿基底指向位线的方向上，半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区，第一掺杂区与位线相接触，且第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区中掺杂有第一类型掺杂离子，沟道区中还掺杂有第二类型掺杂离子，使得沟道区中的多数载流子浓度低于第一掺杂区和第二掺杂区中多数载流子的浓度，第一类型掺杂离子为N型离子或P型离子中的一者，第二类型掺杂离子为N型离子或P型离子中的另一者。本发明实施例有利于使得多数载流子在沟道区中的浓度小于在第一掺杂区和第二掺杂区中的浓度，以提高半导体结构的电学性能。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110431359.4在审
发明人：肖德元;郁梦康;苏星松;白卫平;平尔萱 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底；半导体位线，半导体位线位于基底上；半导体通道，半导体通道位于半导体位线表面，在沿基底指向半导体位线的方向上，半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，第一掺杂区与半导体位线相接触，且半导体位线与半导体通道具有相同的半导体元素；字线，字线环绕沟道区设置；介质层，介质层位于半导体位线与字线之间，且还位于字线远离基底的一侧；电容结构，电容结构位于第二掺杂区远离沟道区的一侧，且电容结构与第二掺杂区相接触。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010301464.1在审
发明人：邱汉钦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述半导体装置包括衬底、通道层、势垒层、一栅极结构，其包含：第一经掺杂III‑V族半导体、III‑V族半导体及导体。通道层设置于所述衬底上。势垒层设置于所述通道层上。第一经掺杂III‑V族半导体设置于所述势垒层上。III‑V族半导体设置于所述经掺杂III‑V族半导体上。导体设置于所述III‑V族半导体上，其中所述第一经掺杂III‑V族半导体之宽度大于所述导体之宽度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN202110885325.2在审
发明人：陈志谚;卢钒达;王端玮;陈俊扬 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括：基板、缓冲层、通道层、阻障层、掺杂化合物半导体层、以及复合阻挡层。缓冲层位于基板上。通道层位于缓冲层上。阻障层位于通道层上。掺杂化合物半导体层位于阻障层上。复合阻挡层位于掺杂化合物半导体层上，复合阻挡层与阻障层包含相同的第三族元素，且在复合阻挡层中的所述相同的第三族元素的原子百分比随着远离掺杂化合物半导体层而增加。
半导体结构

[发明专利]高电子迁移率晶体管结构及其制造方法-CN202211168331.7在审
发明人：林伯融;刘嘉哲 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管改良结构包括有一基板、一氮化物成核层、一氮化物缓冲层、一氮化物通道层及一阻障层，所述氮化物缓冲层包含金属掺杂物；所述氮化物通道层相较于所述氮化物缓冲层具有较低的金属掺杂浓度；一二维电子气体沿所述氮化物通道层与所述阻障层间的界面形成于所述氮化物通道层中；所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度X定义为每立方公分的金属原子数量，所述氮化物通道层的厚度Y的单位为微米(μm)且满足：Y≤(0.2171)ln(X)‑8.34，以降低金属掺杂物对所述氮化物通道层的片电阻值的影响并提供具有良好效能的高电子迁移率晶体管改良结构。
电子迁移率晶体管结构及其制造方法

[发明专利]晶体管-CN201711167106.0有效
发明人：姚福伟;关文豪;余俊磊;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：晶体管包含基板，其具有第一掺杂型态。晶体管还包含通道层于基板上，且通道层包含第一部分与第二部分。晶体管还包含有源层于通道层上。隔离结构包含水平部分、第一垂直部分、与第二垂直部分。水平部分配置于通道层的第二部分下，且连续地延伸于第一垂直部分与第二垂直部分之间。隔离结构具有第二掺杂型态，且第二掺杂型态不同于第一掺杂型态。
晶体管

[实用新型]一种单晶金刚石制备装置-CN201820044519.3有效
发明人：江南;张军安;胡付生;马洪兵;褚伍波 -专利权人：宁波晶钻工业科技有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶金刚石制备装置，包括用于进行等离子体气相沉积的反应腔以及与反应腔连通的第一进气通道和第二进气通道，第二进气通道的路径上设有掺杂装置，掺杂装置用于盛放水溶液，气体通过第二进气通道进入反应腔之前，先经过掺杂装置，以在气体中混合有水蒸气。在制备单晶金刚石的过程中，使反应气体经过掺杂装置，从而将水蒸气带入到反应腔内，实验结果表明，通入水蒸气制得的金刚石颜色和纯净度比不通水蒸气更好，而且外缘处的几乎无多晶产生。
水蒸气掺杂装置进气通道反应腔单晶金刚石制备装置纯净度等离子体气相沉积本实用新型金刚石颜色反应气体气体通过外缘处盛放制备连通

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