[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 202010301464.1 | 申请日: | 2020-04-16 |
公开(公告)号: | CN111490100A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 邱汉钦 | 申请(专利权)人: | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L29/207;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/335 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 519085 广东省珠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括衬底、通道层、势垒层、一栅极结构,其包含:第一经掺杂III‑V族半导体、III‑V族半导体及导体。通道层设置于所述衬底上。势垒层设置于所述通道层上。第一经掺杂III‑V族半导体设置于所述势垒层上。III‑V族半导体设置于所述经掺杂III‑V族半导体上。导体设置于所述III‑V族半导体上,其中所述第一经掺杂III‑V族半导体之宽度大于所述导体之宽度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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