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[发明专利]一种沟槽栅场截止逆导型IGBT-CN201810185958.0在审
发明人：刘志红 -专利权人：嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种沟槽栅场截止逆导型IGBT，它是在N‑Base高电阻率半导体材料表面形成P Base区，在P Base区表面沿器件横向方向分别并列交替形成N+发射区和P+体接触区；在N+发射区紧临区域形成贯穿P Base沟槽区由位于槽内壁的绝缘介质层和由绝缘介质层包围的导电材料构成，由沟槽区中的导电材料引出栅电极，形成沟槽栅结构；N+发射区和P+体接触区的共同引出端为发射极电极；在N‑Base高电阻率半导体区的背面，沿器件横向方向由连续交替变换的N+型区和P+型区形成集电区，N+型区和P+型区的共同引出端为集电极；集电区的顶部引入具有电场截止作用的重掺杂N型缓冲层。
高电阻率发射区沟槽区绝缘介质层半导体区导电材料器件横向体接触区沟槽栅集电区逆导型引出端半导体材料表面截止发射极电极沟槽栅结构电场交替变换交替形成截止作用区域形成槽内壁集电极区表面栅电极重掺杂背面并列包围引入贯穿

[发明专利]逆导型门极换流晶闸管及其制造方法-CN201811256707.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市鹏朗贸易有限责任公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供一种逆导型门极换流晶闸管，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；自所述外延层的上表面向下延伸且槽底深入所述衬底内的沟槽，内部填充有绝缘介质，所述沟槽包括间隔设置的第一沟槽与第二沟槽；
注入区导电类型第一导电类型电连接外延层门极换流晶闸管逆导型衬底门极金属层阳极金属层阴极金属层间隔设置绝缘介质内部填充向下延伸上表面制造

[发明专利]一种逆导型IGBT器件的制备方法-CN201210559699.6有效
发明人：张朝阳 -专利权人：上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明提供一种逆导型IGBT器件的制备方法，首先提供一半导体衬底，通过外延工艺及离子注入及退火工艺于所述半导体衬底表面形成重掺杂P型区及重掺杂N型区，以制备出IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极；然后于上述结构表面外延N型漂移区；接着基于所述N型漂移区进行IGBT制备的正面工艺；然后去除所述半导体衬底；最后对所述IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极进行金属化。
一种逆导型 igbt 器件制备方法

[发明专利]一种逆导型集成门极换流晶闸管-CN201210524325.0有效
发明人：陈芳林;刘可安;唐龙谷;张弦;雷云 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管，包括：GCT、FRD，以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向由上至下依次包括FRD的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和FRD的N+阴极区。本发明利用杂质的补偿作用，在不改变隔离区P型掺杂分布的条件下，增加了隔离区的有效宽度，克服了现有技术存在的扩散控制精度不高、工艺复杂、不适用于高压器件的缺点。
一种逆导型集成换流晶闸管

[实用新型]一种汽轮机抽气逆止门气动控制系统-CN202221479828.6有效
发明人：邝航 -专利权人：江苏镇江发电有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： F01K7/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽轮机抽气逆止门气动控制系统，包括汽轮机抽气逆止门主控制路和动力气源，汽轮机抽气逆止门主控制路上设置了汽轮机抽气逆止门快排阀，汽轮机抽气逆止门快排阀通过管道连接了针型阀C，电磁阀门B，过滤器和针型阀A，针型阀C，电磁阀门B，过滤器和针型阀A组成了汽轮机抽气逆止门的供气支管，在针型阀A和针型阀C两端连接设置了旁路通道，在旁路通道上设置了针型阀D，本实用新型一种汽轮机抽气逆止门气动控制系统具有安全可靠的特点，结构简单、动力气源容易建立、无污染，在检修时可以打开旁路门，不影响逆止门正常动作，对于在高处的逆止门，也可以把这套系统移到地面来，方便检修。
一种汽轮机抽气逆止门气动控制系统

[发明专利]混合直流输电系统及其受端交流故障穿越方法-CN202111402061.7有效
发明人：彭茂兰;王海军;甘宗跃;吴健颖;刘航;冯雷;黄炟超;廖芳群;张沛然 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：混合直流输电系统的送端包括LCC型整流站，混合直流输电系统的受端包括MMC型逆变站，该方法包括：若混合直流输电系统出现受端交流故障，则获取受端交流故障类型；若受端交流故障类型为严重故障且MMC型逆变站的各子模块电容电压平均值中的最大值大于第一预设电压，则闭锁MMC型逆变站并控制LCC型整流站停止输送电能，直至LCC型整流站与MMC型逆变站之间的直流电流小于预设电流，解锁MMC型逆变站并恢复LCC型整流站输送电能；若受端交流故障类型为非严重故障，则根据LCC型整流站的直流电压升高程度降低LCC型整流站输送的电能。该方法有效抑制MMC型逆变站持续充电，避免MMC型逆变站出现直流过压跳闸问题。
混合直流输电系统及其交流故障穿越方法

[发明专利]五电平逆变电路的PWM控制方法、控制电路以及逆变器-CN201611092909.X有效
发明人：陈鹏;曹金虎;耿后来;文鹏 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明提供的五电平逆变电路的PWM控制方法，应用于五电平逆变电路，该五电平逆变电路包括第一电容、第二电容、第三电容以及八个开关支路，本控制方法通过将控制逻辑设置成第一开关支路与第四开关支路互补导通，第二开关支路与第五开关支路互补导通，第三开关支路与第六开关支路互补导通，第七开关支路与第八开关支路互补导通，并且，将第一开关支路与第二开关支路进行互锁，将第六开关支路以及第五开关支路进行互锁，使得五电平逆变电路工作在稳态下，此时，第一电容、第二电容以及第三电容均不会出现由于某些开关支路同时导通时导致电容短路的问题。
电平电路 pwm 控制方法控制电路以及逆变器

[实用新型]一种加热电路-CN201922501834.1有效
发明人：左远洋;侯俊峰;尹坤任 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H05B1/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种加热电路，包括：逆变电路、第一开关器件、加热元件和检测电路、第一电源和第二电源；其中，第一开关器件的第一端与逆变电路的第一端连接，第一开关器件的第二端与加热元件的第一端连接；加热元件的第二端与逆变电路的第二端连接；检测电路与加热元件并联连接；若第一开关器件导通，第一电源、逆变电路与加热元件形成第一导通回路，第一电源通过第一导通回路给加热元件供电；若所述第二电源、所述检测电路与所述加热元件形成第二导通回路，所述第二电源通过所述第二导通回路向所述加热元件及所述检测电路供电
一种加热电路

[发明专利]一种双逆阻型子模块、控制方法和模块化多电平换流器-CN201810105607.4在审
发明人：庄俊;杨波;杨晓梅;姚良忠;邱宇峰;陶以彬;曲小慧;李琰;李官军;孔明;王志冰;曹远志;周晨;谢立军;余豪杰;胡安平;刘欢;桑丙玉;崔红芬;鄢盛驰;李跃龙;卢俊峰 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;东南大学;全球能源互联网研究院有限公司;国网湖北省电力有限公司;国网江苏省电力有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种双逆阻型子模块、控制方法和模块化多电平换流器，双逆阻型子模块包括第一逆阻型单元、第二逆阻型单元、钳位二极管D3和钳位二极管D4，该双逆阻型子模块结构简单，能够阻断直流故障电流，增强直流电网故障下的穿越能力，提升直流电网的运行可靠性，且在输出电平数相等的前提下，直流故障电流阻断能力及清除速度等同于全桥型子模块，且所用器件数量及附加损耗优于钳位型双子模块，不需要为了故障隔离功能而更加额外投资，降低了成本。本发明分析了双逆阻型子模块处于正常模式和闭锁模式两种模式下各个器件的状态，并给出不同状态下双逆阻型子模块的输出电压，双逆阻型子模块可直接移植半桥型子模块的调制和控制策略，控制过程简单，易于实现。
逆阻型子模块模块化多电平换流器直流故障电流钳位二极管直流电网运行可靠性闭锁模式附加损耗故障隔离控制策略控制过程输出电平输出电压正常模式半桥钳位全桥调制相等穿越移植分析投资

[发明专利]一种储液盒导液结构-CN202110552798.0在审
发明人：黄涛;程宝珍;黄本财 -专利权人：青岛海尔滚筒洗衣机有限公司;海尔智家股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： D06F39/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种储液盒导液结构，包括，导液插接单元，与储液盒插接配合，内部设置将储液盒内添加剂导出的导液通道；导液插接单元的导液通道内设置控制其导通或封闭的第一止逆阀。通过第一止逆阀的设置，可实现控制导液插接单元中的添加剂是否流出，避免导液插接单元内的添加剂外泄。
一种储液盒导液结构

[实用新型]智能功率模块及空调器-CN201820179390.7有效
发明人：李叶生;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H02P27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种智能功率模块及空调器，该智能功率模块包括逆变桥电路及功率驱动电路，逆变桥电路包括至少一个SiC型MOS管，智能功率模块还包括对应每一SiC型MOS管设置的第一负压产生电路及第一尖峰吸收电路；其中，第一尖峰吸收电路包括第一开关管、第一电阻，第一开关管，用于在SiC型MOS管截止时的漏源极间电压大于第一开关管的导通阈值时开启，以对SiC型MOS管上的电压进行释放；第一负压产生电路在功率驱动电路驱动SiC型MOS管截止时输出负电压信号以提高SiC型MOS管的关断速度。本实用新型提高了SiC型MOS管的关断速度，解决了电压尖峰可能引起SiC型MOS管误开通或者击穿栅氧层造成损坏的问题。
智能功率模块第一开关负压产生电路功率驱动电路尖峰吸收电路本实用新型逆变桥空调器关断电路截止输出负电压电压尖峰漏源极栅氧层阈值时击穿导通电阻驱动释放开通

[发明专利]一种逆导IGBT芯片及其制备方法-CN201310228700.1有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导IGBT芯片及其制备方法。该逆导IGBT芯片包括第一导电类型衬底、位于所述衬底第一表面之上的第一表面结构和位于衬底第二表面之上的第二表面结构。所述第一表面结构包括，位于所述衬底第一子表面上的IGBT区，位于所述衬底第二子表面上的FRD区，以及位于衬底第三子表面内的终端区；本发明将芯片元胞区划分为两个宏观的区域：IGBT区和FRD区，免去了现有技术中制备逆导IGBT芯片时需要对IGBT芯片的集电极进行光刻窗口和离子掺杂浓度的准确控制的问题，减小了设计和制备逆导IGBT芯片的难度。
一种 igbt 芯片及其制备方法

[实用新型]层架式冷冰板冷藏装置-CN201920080290.3有效
发明人：王磊;李新建;张大娃;郭秀凯 -专利权人：石家庄冰峰冷藏物流有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： F25D11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种层架式冷冰板冷藏装置，涉及冷藏装置领域，其包括外壳、贴合在外壳内壁的保温层、设置在保温层内部的夹板以及对外壳和保温层进行密封的端盖，所述保温层的内部中空并形成空腔，所述保温层的一侧设置有止逆组件；所述止逆组件包括与保温层空腔连通的导气管、与导气管连通的锥形斗以及放置在锥形斗内的止逆球；所述导气管竖直放置，所述锥形斗的底端与导气管连通，且锥形斗底端的半径小于锥形斗顶端的半径，所述止逆球的半径大于锥形斗底端的半径本实用新型具有能够减缓箱体的热传导
保温层锥形斗冷藏装置导气管本实用新型止逆组件止逆球冰板连通空腔连通冷藏效果内部中空竖直放置外壳内壁夹板层架式热传导底端端盖架式空腔贴合种层密封

[发明专利]级联型高压变频器的不控制整流单元的直流过压控制系统-CN201110021224.7无效
发明人：许箴;杨振宇 -专利权人：江苏省电力公司常州供电公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H02H7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种级联型高压变频器的不控制整流单元的直流过压控制系统，其包括：移相多绕组整流变压器、功率模块组和CPU；当CPU测得一功率模块中的电容电压udc处于UL和UH2之间时，以正常的PWM脉冲驱动该功率模块中的各IGBT模块；当udcUH3时，则封锁该功率模块组中的各IGBT模块；当UH2逆变桥臂，则控制该功率模块中的左逆变桥臂中的上、下IGBT模块分别截止和导通，同时控制各功率模块中的右逆变桥臂中的上、下IGBT模块分别导通和截止；直至UL
级联高压变频器控制整流单元流过控制系统

[实用新型]一种高压变频器的不控制整流单元的直流过压控制系统-CN201120016013.X无效
发明人：许箴;杨振宇 -专利权人：江苏省电力公司常州供电公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种级联型高压变频器的不控制整流单元的直流过压控制系统，其包括：移相多绕组整流变压器、功率模块组和CPU；当CPU测得一功率模块中的电容电压udc处于UL和UH2之间时，以正常的PWM脉冲驱动该功率模块中的各IGBT模块；当udcUH3时，则封锁该功率模块组中的各IGBT模块；当UH2逆变桥臂，则控制该功率模块中的左逆变桥臂中的上、下IGBT模块分别截止和导通，同时控制各功率模块中的右逆变桥臂中的上、下IGBT模块分别导通和截止；直至UL
一种高压变频器控制整流单元流过控制系统