“上海宝芯源功率半导体有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种包含静电保护结构的半导体开关器件及其制作方法-CN201810783201.1有效
发明人：王凡 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种包含静电保护结构的半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、栅极结构、N型源区、P型基材层、N型掺杂区、介质层及源区电极。介质层中形成有源区接触窗口，源区接触窗口显露的N型源区的中部区域反型形成P型接触区，P型接触区的两侧均保留有部分N型源区。本发明相比于传统工艺能节省一次掩膜的制作，可有效降低工艺成本。本发明的源区接触窗口仅显露N型源区的中部区域，将源区接触窗口显露的N型源区的中部区域反型形成P型接触区后，P型接触区的两侧均保留有部分N型源区，可以有效降低器件的导通电阻，提高器件的驱动电流。同时，本发明可有效提高静电保护结构的工艺效率，降低制作成本。
一种包含静电保护结构半导体开关器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体开关器件及其制作方法-CN201810783964.6有效
发明人：王凡 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、N型漂移区、栅极结构及侧墙、N型源区、P型导电区、介质层及源区电极。所述P型导电区形成于所述N型源区的下部，所述介质层中形成有源区接触窗口，所述源区接触窗口显露的所述N型源区的中部区域反型形成P型接触区，所述P型接触区的两侧均保留有部分所述N型源区。本发明相比于传统工艺能节省一次掩膜的制作，可有效降低工艺成本。本发明可以有效降低器件的导通电阻，提高器件的驱动电流。本发明可以有效避免由于latchup路径电压过高而导致半导体开关器件的lachtup效应（闩锁效应）的产生。
一种半导体开关器件及其制作方法

[发明专利]一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法-CN201710039206.9有效
发明人：王凡 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，该开关器件包括：P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，所述介质层中打开有两个源区接触窗口及一体区接触窗口，所述体区接触窗口内的所述P‑型外延层被去除形成直至所述P+型衬底的沟槽；以及填充于所述源区接触窗口、体区接触窗口及所述沟槽内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件，使得漂移区区域电阻可以大大降低，同时保证耐压不变。将其中一个源区电极通过与体区电极的方式引到芯片背面，封装时可与基底焊接，省掉一个打线电阻，在极低的内阻要求下非常有效。
一种用于保护开关器件及其制作方法

[发明专利]一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法-CN201710038841.5有效
发明人：王凡 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，包括：P+型衬底及P‑型外延层；第一绝缘沟槽，形成于体接触区域；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，其打开有两个源区接触窗口及一体区接触窗口，所述体区接触窗口内的所述绝缘介质被去除形成第二沟槽，且第二沟槽侧壁保留有绝缘介质；以及填充于所述源区接触窗口、体区接触窗口及所述第二沟槽内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件，大大降低漂移区区域电阻，同时保证耐压不变；将其中一个源区电极引到芯片背面，可有效降低器件内阻；体区电极侧壁的绝缘介质可有效降低漏电流，并提高耐压。
一种用于保护开关器件及其制作方法

[发明专利]一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法-CN201710046716.9有效
发明人：王凡 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明还提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，该开关器件包括：P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；沟槽，形成于体接触区域；金属硅化物，基于沟槽连接第一个N型源区及P+型衬底；介质层，所述介质层中打开有第二个N型源区的接触窗口；以及填充于所述接触窗口内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件，使得漂移区区域电阻可以大大降低，同时保证耐压不变。将其中一个源区的接触通过金属硅化物导电的方式引到芯片背面，封装时可与基底焊接，省掉一个打线电阻，在极低的内阻要求下非常有效，而且器件整体结构非常简洁。
一种用于保护开关器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体开关器件及其制作方法-CN201810783961.2在审
发明人：王凡 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、N型漂移区、栅极结构、N型源区、介质层及源区电极。所述介质层中形成有源区接触窗口，所述源区接触窗口显露的所述N型源区的中部区域反型形成P型接触区，所述P型接触区的两侧均保留有部分所述N型源区，所述源区电极形成于源区接触窗口中。本发明相比于传统工艺能节省一次掩膜的制作，可有效降低工艺成本。本发明将所述源区接触窗口仅显露所述N型源区的中部区域，将所述源区接触窗口显露的所述N型源区的中部区域反型形成P型接触区后，所述P型接触区的两侧均保留有部分所述N型源区，可以有效降低器件的导通电阻，提高器件的驱动电流。
源区接触中部区域源区电极显露介质层反型半导体开关器件传统工艺导通电阻工艺成本降低器件驱动电流栅极结构保留基底掩膜制作

[发明专利]一种集成结型场效应晶体管的自举电路及自举方法-CN201310405068.3有效
发明人：王凡 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明提供一种集成结型场效应晶体管的自举电路及自举方法，所述自举电路包括：驱动电路、结型场效应晶体管、自举电容、高边晶体管、以及低边晶体管；所述驱动电路的第一输出端连接于所述高边晶体管的栅极、第二输出端连接于所述低边晶体管的栅极、第三输出端连接于所述高边晶体管的栅极的源极、低边晶体管的漏极、负载、以及自举电容的第一端；所述结型场效应晶体管集成于所述驱动电路，其栅极连接于所述驱动电路以输入逻辑信号，源极连接于驱动电源，漏极连接于所述自举电容的第二端。本发明将结型场效应晶体管集成于驱动电路，可以有效减少整个系统的元件数目，降低电路的复杂程度，提高器件的集成度。
结型场效应晶体管驱动电路低边晶体管高边晶体管输出端连接自举电路自举电容漏极自举输入逻辑信号驱动电源有效减少源极连接栅极连接第一端集成度源极电路

[发明专利]用于锂电保护的开关器件及其制作方法-CN201710847697.X在审
发明人：王凡 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，该开关器件包括P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，所述介质层中打开有第一接触窗口及第二接触窗口，所述第一区接触窗口内形成直至所述P+型衬底的沟槽；以及填充于所述沟槽及第二接触窗口内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件，使得漂移区区域电阻可以大大降低，同时保证耐压不变。仅需通过一个沟槽电极便可将一个源区引到芯片（chip）背面，封装时可与基底焊接，降低接触电阻，在极低的内阻要求下非常有效，且可大大节省了工艺成本以及减小器件体积。
用于保护开关器件及其制作方法

[发明专利]一种超级势垒整流器结构及其制作方法-CN201310195712.9有效
发明人：孙效中 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明的提供一种超级势垒整流器结构及其制作方法，所述超级势垒整流器结构，至少包括N+型衬底；N‑型外延层，结合于所述N+型衬底表面；栅氧层；结合与所述N‑型外延层的部分表面；P‑型体区，形成于所述栅氧层两侧下方的N‑型外延层中；以及金属电极，结合于所述N‑外延层及栅氧层表面。本发明工艺简单，减少多晶硅工艺，大大降低了制作成本；没有改变SBR基本工作原理，保证器件电性能与传统没差别，所以正向压降、开关速度、反向恢复时间、反向击穿电压以及反向漏电等主要电参量不会改变；没有改变影响可靠性的因素，可以保证器件可靠性能与传统没差别。
一种超级整流器结构及其制作方法

[发明专利]一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法-CN201310422937.3有效
发明人：王凡 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明提供一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，包括1）于P型衬底中定义出沟道区区域，于所述沟道区区域上方制作具有间隔排列的多个窗口的第一掩膜，离子注入以于所述P型衬底中形成具有起伏的N型区域；2）于所述N型区域中制作出场氧化层结构；3）制作覆盖上述结构表面且于所述沟道区区域上方具有间隔排列的多个窗口的第二掩膜，离子注入以于所述N型区域中制作出具有起伏的P型区域；4）制作栅极结构；制作源区和漏区。本发明通过对掩膜的改进设计，获得两侧具有起伏的沟道区，增加了沟道宽度，实现了结型场效应晶体管开启电压的可调。本发明可以采用标准的BCD工艺实现，不需要增加新的掩膜，工艺简单可靠，适用于工业生产。
一种 bcd 工艺集成场效应晶体管方法

[发明专利]一种场终止型IGBT 器件的制造方法-CN201310012920.0在审
发明人：张朝阳 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种场终止型IGBT器件的制造方法，包括：1）提供一N-型半导体衬底，基于所述N-型半导体衬底进行IGBT制备的正面工艺，包括：制作栅极结构、P阱、N+型源区、具有接触孔的介质层、以及用于连接所述P阱及N+型源区的P+型接触区；2）从背面减薄所述N-型半导体衬底，并通过外延工艺于该背面形成N+型场终止区；3）采用离子注入及退火工艺于所述N+型场终止区中形成P+型集电区；4）分别于正面及背面沉积金属，并进行退火形成IGBT的发射极及集电极。本发明通过将背面场终止层用注入方式转变为外延方式，同时对工艺步骤进行了调整，这样通过外延的方式一方面可以直接通过工艺调整厚度，另一方面也提高了场终止层电阻率的可调整性。
一种终止 igbt 器件制造方法

[发明专利]一种逆导型IGBT器件的制备方法-CN201210559699.6有效
发明人：张朝阳 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明提供一种逆导型IGBT器件的制备方法，首先提供一半导体衬底，通过外延工艺及离子注入及退火工艺于所述半导体衬底表面形成重掺杂P型区及重掺杂N型区，以制备出IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极；然后于上述结构表面外延N型漂移区；接着基于所述N型漂移区进行IGBT制备的正面工艺；然后去除所述半导体衬底；最后对所述IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极进行金属化。本发明通过采用外延技术和离子注入工艺，在不需要大量投资背面薄片工艺设备地前提下，实现了IGBT/FRD的芯片级集成，大大地降低了器件的面积，提高了良品率，并且大大地降低了工艺成本。本发明与常规的MOS工艺兼容，适用于工业生产。
一种逆导型 igbt 器件制备方法

[发明专利]沟槽功率器件结构及其制造方法-CN201310032234.X有效
发明人：孙效中;王凡;张朝阳;程义川 -专利权人： 上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽功率器件结构及其制造方法，沟槽功率器件结构包括有源区和终端两部分，有源区和终端都位于一个基片上，有源区包括体区、源区、接触孔、有源区沟槽、第一隔离层、源极金属层，终端包括终端沟槽、第二隔离层、阻挡层、栅极金属层，接触孔位于体区和源区之间，第一隔离层位于有源区沟槽的上方，源极金属层位于体区的上方、源区的上方、第一隔离层的上方、第二隔离层部分的上方，第二隔离层位于终端沟槽的上方，阻挡层位于终端沟槽内及外围，栅极金属层位于第二隔离层另一部分的上方。本发明的工艺简单，成本低廉，占用尺寸少，耐压适应范围宽，漏电小以及性能稳定。
沟槽功率器件结构及其制造方法

1
共 13 条