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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201710469526.8有效
发明人：徐东灿;朴起宽;金东宇;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片
半导体器件

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202211022861.0有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：其中，发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；所述N‑GaN层与所述多量子阱层之间设有电子调制层；所述电子调制层包括依次设于所述
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件结构和形成方法-CN201811529843.5有效
发明人：顾学强 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件结构，使用常规半导体衬底进行器件的制造，通过背面沟槽隔离与浅沟槽隔离相连，实现了器件之间完全的介质隔离；背面沟槽隔离底部与N+源漏和P+源漏接触，消除了N+源漏与P阱、P+源漏与MOS器件的开关速度；通过背面N+注入和P+注入、背面接触孔和背面金属层工艺，实现了NMOS的P阱接地，PMOS的N阱接电源，减小了体接触的串联电阻，从而避免了SOI器件的浮体效应；并且背面接触孔与硅衬底上的
一种半导体器件结构形成方法

[发明专利]一种氧化镓场效应晶体管及制备方法-CN202110125788.9有效
发明人：吕元杰;王元刚;马春雷;刘宏宇;付兴昌;宋旭波;郭红雨;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅介质层和栅电极；在所述n型氧化镓沟道层中、栅电极的下方设有
一种氧化场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种IV-VI族半导体薄膜及其制备方法-CN202011554008.4有效
发明人：曾祥斌;肖永红;胡一说;陆晶晶;王文照;王士博;周宇飞;王君豪;王曦雅;张茂发;陈铎 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种IV‑VI族半导体薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备领域，所述方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺；将所述前驱体溶液旋涂在衬底上本发明采用的激光合成制备IV‑VI族半导体薄膜，其工艺流程简单、所得薄膜形状可控，能在柔性衬底上直接成膜，可以在短时间内获得高质量的IV‑VI族半导体薄膜，适合于大批量生产。
一种 iv vi 半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法-CN202011642678.1有效
发明人：钟耕杭;张健华;程凤伶;徐继平;宁永铎;边永智;颜俊尧;李钧宏;连庆伟;崔彬;李英涛 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法，包括：硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验，在拉晶过程中采用水平磁场采用本发明能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的IGBT用8英寸硅衬底抛光片。
一种 igbt 衬底抛光制备方法

[发明专利]一种无退火效应的二氧化锡多孔结构钙钛矿光伏电池及其制备方法-CN202110179588.1有效
发明人：熊良斌;方国家;何影记;向丹;陈湛旭;张绍安;谢锐浩;吕洋;李仪芳 -专利权人：广东技术师范大学;武汉大学
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明的无退火效应的二氧化锡多孔结构钙钛矿光伏电池包括衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和电极；所述电子传输层为覆盖于衬底之上的无退火效应的二氧化锡致密层和覆盖于二氧化锡致密层上的二氧化锡多孔层
一种退火效应氧化多孔结构钙钛矿光伏电池及其制备方法

[发明专利]一种有机薄膜的制备方法-CN202110491116.X有效
发明人：赖强 -专利权人：宁波龙圣新材料科技有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01B1/24 文献下载
摘要：提供至少一种改性导电纳米颗粒；提供含有羧基化碳纳米管、3,4‑乙撑二氧噻吩和聚乙烯吡咯烷酮形成的母液A；提供含有聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸液体、光敏剂、乙醇和改性导电纳米颗粒的母液B；提供衬底，并在衬底上将母液A和母液B形成的涂膜液旋涂成膜；以及，提供紫外固化、热处理和退火处理，制得有机薄膜；上述有机薄膜的雾度不高于1%，厚度不高于0.2mm。
一种有机薄膜制备方法

[发明专利]一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法-CN201910490246.4有效
发明人：刘欢;唐江;高亮;胡志响;陈壮;杨剑弦;严棋;易飞 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电子器件领域，公开了一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液，将洁净的衬底浸入前体溶液中进行一次化学浴沉积，对应得到20‑500nm厚的薄膜，利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜；(2)将衬底进行整体退火敏化处理；制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。
一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种显示面板及其制作方法-CN202110960216.2有效
发明人：陈永红;李彦松;杜小波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K59/80 文献下载
摘要：该显示面板包括像素单元；像素单元包括非发光区和至少三个不相连的发光区，发光区包括有机发光功能层和第一电极，第一电极设置在有机发光功能层远离衬底的一侧；非发光区包括像素界定层和吸光部，吸光部设置在像素界定层远离衬底的一侧
一种显示面板及其制作方法

[发明专利]一种GaN基CMOS器件及其制备方法-CN202010476435.9有效
发明人：敖金平;蒲涛飞;李柳岸;李小波 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基CMOS器件，所述器件包括衬底和衬底上的依次设置的缓冲层、外延层和栅介质层，在所述栅介质层上设有NMOS栅电极、NMOS欧姆电极、PMOS欧姆电极和PMOS栅电极，所述外延层包括依次设置的
一种 gan cmos 器件及其制备方法

[发明专利]磁传感器的制备方法-CN202011266518.1有效
发明人：王俊杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器的制备方法，包括：首先，在所述半导体衬底上的所述介质层中形成一沟槽，所述沟槽暴露部分所述第一金属层。然后，在所述介质层上以及所述沟槽内形成磁性材料膜层。因此，本发明通过一沟槽，并在所述沟槽内先形成所述磁性材料膜层，再形成第二金属层，以使得所述磁性材料膜层经所述第二金属层和所述第一金属层与所述半导体衬底互连。
传感器制备方法

[发明专利]LDMOS器件的制备方法及其结构-CN202310554950.8有效
发明人：马凤麟;于绍欣 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种LDMOS器件的制备方法及其结构，包括：提供一衬底，且在衬底上沉积外延层；在外延层上沉积第一HTO层；沉积SiN保护层覆盖第一HTO层，以形成初始场板区；光刻并刻蚀初始场板区
ldmos 器件制备方法及其结构

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310713600.1有效
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有形核层、本征GaN层、N型半导体层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述第一多量子阱层包括交替层叠的第一势阱层和第一量子垒层
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种大尺寸衬底抛光用白垫及其生产工艺-CN202210553914.5有效
发明人：李加海;杨慧明;李元祥 -专利权人：安徽禾臣新材料有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸衬底抛光用白垫及其生产工艺，属于抛光垫领域。本发明的一种大尺寸衬底抛光用白垫及其生产工艺，所述第二抛光白垫与第三抛光白垫之间设置有第一抛光垫连接板，所述第一抛光白垫与第二抛光白垫之间设置有第二抛光垫连接板。
一种尺寸衬底抛光用白垫及其生产工艺

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