“申东石”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果83个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211616740.9在审
发明人：赵南奎;金锡勋;柳廷昊;李峭蒑;朴判贵;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案；第一沟道图案，所述第一沟道图案位于所述第一有源图案上，并且包括彼此间隔开并且垂直堆叠的第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案；第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案至所述第三半导体图案；以及栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案至所述第三半导体图案上。所述第一源极/漏极图案包括朝向所述第一半导体图案突出的第一突起、朝向所述第二半导体图案突出的第二突起、以及朝向所述第三半导体图案突出的第三突起。所述第二突起的宽度大于所述第一突起的宽度。所述第三突起的宽度大于所述第二突起的宽度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201710166680.8有效
发明人：张星旭;朴起宽;孙豪成;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在一种制造半导体器件的方法中，隔离图案可以形成在衬底上以限定多个有源图案。有源图案可以从隔离图案凸出。初始多晶硅层可以形成在有源图案上以填充有源图案中的相邻有源图案之间的间隙。无导电性的离子可以被注入到初始多晶硅层中以形成无空隙的多晶硅层。有源图案在离子的注入期间维持它们的结晶状态。多晶硅层可以被图案化以在有源图案上形成虚设栅结构。源极/漏极区可以形成在有源图案的与虚设栅结构的侧面相邻的上部分处。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201711128763.4有效
发明人：金锡勋;李炫姃;金坰喜;金善政;金真范;慎一揆;李承勋;李峭蒑;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202211221577.6在审
发明人： 申东石;刘贤琯;李善英;车知勳;黄炅渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上并且包括半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；栅电极，在半导体图案上；以及栅极介电层，在栅电极与半导体图案之间。栅极介电层的内部间隔件包括在高k介电层与第二半导体图案之间的水平部分、在高k介电层与源极/漏极图案之间的竖直部分以及在水平部分与竖直部分之间的拐角部分。水平部分的第一厚度小于竖直部分的第二厚度。竖直部分的第二厚度小于拐角部分的第三厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202211558963.4在审
发明人： 申东石;刘贤琯;金锡勳;朴判贵;金容丞;金正泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，包括沿第一方向延伸的下图案和在第二方向上与下图案间隔开的多个片图案；栅极结构，在下图案上且包括栅极绝缘层、栅极间隔件和沿与第一方向垂直的第三方向延伸的栅电极；源极/漏极图案，在下图案上且与每个片图案和栅极绝缘层接触；以及第一蚀刻阻挡图案，在栅极间隔件与源极/漏极图案之间。栅极间隔件包括面对栅电极并沿第三方向延伸的内侧壁和沿第一方向从栅极间隔件的内侧壁延伸的连接侧壁。源极/漏极图案包括在半导体衬垫层上的半导体填充层，半导体衬垫层与片图案接触且包括从栅极间隔件的连接侧壁延伸的刻面表面。第一蚀刻阻挡图案与半导体衬垫层的刻面表面和连接侧壁接触。
半导体装置

[发明专利]末端执行器和末端执行器驱动设备-CN202310312922.5在审
发明人： D·H·金;申东石;张泰虎;朴镕晚;李制翰;金弘珉;南基勋;韩奭煐 -专利权人：德克萨斯大学系统董事会;安迪凯斯特机器人公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： A61B17/29 文献下载
摘要：本文涉及末端执行器和末端执行器驱动设备。提供了一种用于手术设备的末端执行器，包括：壳体，其具有外壁和位于其中的开口、沿开口相反侧延伸的相对第一和第二壁；第一致动器，其枢转联接到第一壁；第二致动器，其枢转联接到第二壁；和联接器，其设置在壳体开口内并位于第一致动器的至少一部分和第二致动器的至少一部分之间，并包括相对的第一和第二端部，各端部枢转地联接到第一致动器和第二致动器中的不同一个致动器。为操作致动器，提供在柔性管状构件内可控地移动线的机构，线包括向柔性管状构件近端外部延伸的相对线端部和在线端部之间连接到末端执行器的致动器的部分，机构包括驱动机构和在该机构和线端部之间延伸的联接器，联接器在线端部方向上的移动导致线端部发生相对动作。
末端执行驱动设备

[发明专利]末端执行器和末端执行器驱动设备-CN202310308767.X在审
发明人： D·H·金;申东石;张泰虎;朴镕晚;李制翰;金弘珉;南基勋;韩奭煐 -专利权人：德克萨斯大学系统董事会;安迪凯斯特机器人公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： A61B17/29 文献下载
摘要：本文涉及末端执行器和末端执行器驱动设备。提供了一种用于手术设备的末端执行器，包括：壳体，其具有外壁和位于其中的开口、沿开口相反侧延伸的相对第一和第二壁；第一致动器，其枢转联接到第一壁；第二致动器，其枢转联接到第二壁；和联接器，其设置在壳体开口内并位于第一致动器的至少一部分和第二致动器的至少一部分之间，并包括相对的第一和第二端部，各端部枢转地联接到第一致动器和第二致动器中的不同一个致动器。为操作致动器，提供在柔性管状构件内可控地移动线的机构，线包括向柔性管状构件近端外部延伸的相对线端部和在线端部之间连接到末端执行器的致动器的部分，机构包括驱动机构和在该机构和线端部之间延伸的联接器，联接器在线端部方向上的移动导致线端部发生相对动作。
末端执行驱动设备

[发明专利]机器人控制器-CN202310279555.3在审
发明人： D·H·金;申东石;张泰虎;朴镕晚;李制翰;金弘珉;南基勋;李宰渊;V·帕梅尔;沈玲希;B·帕特尔 -专利权人：凯奇股份有限公司;德克萨斯大学系统董事会
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： A61B34/30 文献下载
摘要：机器人控制器。本文提供了一种用于在患者体内对包括护套和导丝的导管进行定位的可操纵外科手术机器人系统，包括：护套驱动器，其被配置为使具有中空内部的护套沿着在其中延伸的护套前进和缩回路径前进和缩回；导丝驱动器，其被配置为使导丝沿着在其中延伸的导丝前进和缩回路径前进和缩回，其中，护套前进和缩回路径和导丝前进和缩回路径中的每一个在相应护套驱动器和辊驱动器中的成对辊之间延伸，并且所述路径彼此平行。
机器人控制器

[发明专利]半导体装置-CN202211241779.7在审
发明人：许洋;赵南奎;金锡勳;金容丞;朴判貴;申东石;李相吉;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个鳍式图案，在基底上在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸；场绝缘层，覆盖多个鳍式图案的侧壁并设置在鳍式图案之间；源极/漏极图案，在场绝缘层上连接到多个鳍式图案，源极/漏极图案包括分别连接到鳍式图案的底表面和将底表面彼此连接的至少一个连接表面；以及密封绝缘图案，沿着源极/漏极图案的连接表面和场绝缘层的上表面延伸，其中，源极/漏极图案包括掺杂有p型杂质的硅锗图案。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202310119081.6在审
发明人：徐东灿;朴起宽;金东宇;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。
半导体器件

[发明专利]末端执行器和末端执行器驱动设备-CN201880034397.2有效
发明人： D·H·金;申东石;张泰虎;朴镕晚;李制翰;金弘珉;南基勋;韩奭煐 -专利权人：德克萨斯大学系统董事会;安迪凯斯特机器人公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： A61B17/29 文献下载
摘要：本文提供了一种用于手术设备的末端执行器，包括：壳体，其具有外壁和位于其中的开口、沿开口相反侧延伸的相对第一和第二壁；第一致动器，其枢转联接到第一壁；第二致动器，其枢转联接到第二壁；和联接器，其设置在壳体开口内并位于第一致动器的至少一部分和第二致动器的至少一部分之间，并包括相对的第一和第二端部，各端部枢转地联接到第一致动器和第二致动器中的不同一个致动器。为操作致动器，提供在柔性管状构件内可控地移动线的机构，线包括向柔性管状构件近端外部延伸的相对线端部和在线端部之间连接到末端执行器的致动器的部分，机构包括驱动机构和在该机构和线端部之间延伸的联接器，联接器在线端部方向上的移动导致线端部发生相对动作。
末端执行驱动设备

[发明专利]半导体器件-CN202211204721.5在审
发明人：崔元熙;张星旭;申东石;具奉珍;李公洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。一种半导体器件，包括：第一有源图案，与衬底间隔开并沿第一方向延伸；第二有源图案，比第一有源图案更远离衬底并沿第一方向延伸；栅极结构，在衬底上，该栅极结构沿与第一方向相交的第二方向延伸，并穿透第一有源图案和第二有源图案；第一源/漏区，在栅极结构的至少一个侧表面上并连接到第一有源图案；第二源/漏区，在栅极结构的至少一个侧表面上并连接到第二有源图案；以及缓冲层，在衬底和第一有源图案之间，该缓冲层包含锗。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202211158520.6在审
发明人：柳亥俊;申东石;郑舜旭;崔庆寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：有源图案，该有源图案包括在第一方向上延伸的下图案和在垂直于下图案的上表面的第二方向上与下图案间隔开的片图案，每个片图案包括上表面和下表面；设置在下图案上并包括栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构，栅电极和栅极绝缘膜围绕每个片图案；以及设置在栅极结构的至少一侧上的源极/漏极图案。栅极结构包括设置在下图案和最下面的片图案之间以及两个片图案之间的栅极间结构，并接触源极/漏极图案。栅极绝缘膜包括具有第一厚度的水平部分和具有不同于第一厚度的第二厚度的第一垂直部分。
半导体器件

[发明专利]半导体器件和制造其的方法-CN201811062733.2有效
发明人：徐东灿;李商文;金利桓;宋宇彬;申东石;李承烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。
半导体器件制造方法

[发明专利]可操纵外科手术机器人系统-CN201880034501.8有效
发明人： D·H·金;申东石;张泰虎;朴镕晚;李制翰;金弘珉;南基勋;李宰渊;V·帕梅尔;沈玲希;B·帕特尔 -专利权人：凯奇股份有限公司;德克萨斯大学系统董事会
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： A61B34/30 文献下载
摘要：本文提供了一种用于在患者体内对包括护套和导丝的导管进行定位的可操纵外科手术机器人系统，包括：护套驱动器，其被配置为使具有中空内部的护套沿着在其中延伸的护套前进和缩回路径前进和缩回；导丝驱动器，其被配置为使导丝沿着在其中延伸的导丝前进和缩回路径前进和缩回，其中，护套前进和缩回路径和导丝前进和缩回路径中的每一个在相应护套驱动器和辊驱动器中的成对辊之间延伸，并且所述路径彼此平行。
可操纵外科手术机器人系统

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 83 条