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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置和用于制造该半导体装置的方法-CN202310221219.3在审
发明人：金真范;金孝珍;南勇准;李商文;金东宇;黄仁建 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体装置包括：下图案，其在第一方向上延伸，并且在第二方向上从衬底突出；下绝缘图案，其位于下图案上，并且与下图案的上表面接触；沟道图案，其位于下绝缘图案上；多个栅极结构，其位于下图案上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，多个栅极结构中的每一个包括栅电极和栅极绝缘膜；以及源极/漏极图案，其设置在下图案上，并且连接到沟道图案。源极/漏极图案的最下部的竖直水平低于下绝缘图案的底表面的竖直水平。栅电极在第二方向上与下绝缘图案重叠。
半导体装置用于制造方法

[发明专利]片上系统、包括该片上系统的电子装置及其驱动方法-CN201780065443.0有效
发明人：金在哲;金珍奎;金东宇;金桢昊;郑载洙;河锺植;吴熙泰;俞赫善;李承荣;崔佑宁;韩在雄;许慢根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G06F1/3234 文献下载
摘要：电子装置包括具有至少一个部件的片上系统(SoC)、存储器和功能性地连接至SoC和存储器的处理器。处理器配置成施加用于以特定频率驱动至少一个部件的默认电压。处理器还配置成确定是否存储有与对应于至少一个部件和特定频率的偏移电压有关的数据。处理器还配置成当存储有与偏移电压有关的数据时，向至少一个部件施加与默认电压不同的偏移电压。其他实施方式也是可能的。
系统包括该片电子装置及其驱动方法

[发明专利]半导体器件-CN202310119081.6在审
发明人：徐东灿;朴起宽;金东宇;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710469526.8有效
发明人：徐东灿;朴起宽;金东宇;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN202210423953.3在审
发明人：金傔;金真范;金东宇;申东石;李商文;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：包含有源图案的基板、在有源图案上的沟道图案和源极/漏极图案、提供在沟道图案上并在第一方向上延伸的栅电极、以及联接到源极/漏极图案的有源接触。有源接触包括掩埋在源极/漏极图案中的掩埋部分以及在掩埋部分上的接触部分。掩埋部分包括提供在源极/漏极图案的下部中的扩展部分以及将接触部分连接到扩展部分的垂直延伸部分。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有鳍结构的半导体器件-CN201810688390.4有效
发明人： 金东宇;卢炫昊;金容丞;申东石;李宽钦;曹裕英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包括：在包括负沟道场效应晶体管(nFET)区域和正沟道场效应晶体管(pFET)区域的衬底上的鳍结构；在鳍结构上的栅极结构；以及与栅极结构相邻的源极/漏极结构，其中形成在nFET区域中的源极/漏极结构是包括浓度为大约1.8×1021/cm3或更高的n型杂质的外延层，在源极/漏极结构的外部分中包括硅(Si)和锗(Ge)，并且在源极/漏极结构的内部分中包括Si但不包括Ge，其中源极/漏极结构的与最上表面接触的倾斜表面与鳍结构的顶表面形成约54.7°的角度。
具有结构半导体器件

[发明专利]晶体管及半导体器件-CN201710362546.5有效
发明人：李承勋;金东宇;徐东灿;金善政 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管及半导体器件。一种晶体管包括漏极、源极、栅电极以及源极和漏极之间的纳米线。该纳米线具有有第一厚度的第一部分和有大于第一厚度的第二厚度的第二部分。第二部分在第一部分与源极和漏极中的至少一个之间。当电压被施加到栅电极时，第一纳米线包括沟道。
晶体管半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202110947599.X在审
发明人： 金东宇;金真范;金傔;金度希;李承勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区，在基底上沿第一方向延伸；沟道层，在有源区上彼此竖直间隔开；栅极结构，沿第二方向延伸并且与有源区相交，栅极结构围绕沟道层；源区/漏区，位于有源区上并且与沟道层接触；以及接触插塞，连接到源区/漏区，其中，源区/漏区包括：第一外延层，位于沟道层的侧表面上并且包括第一杂质；第二外延层，位于第一外延层上并且包括第一杂质和第二杂质；以及第三外延层，位于第二外延层上并且包括第一杂质，并且在水平剖视图中，第二外延层包括具有在第一方向上的沿着第二方向增大的厚度的外围部分。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202110748137.5在审
发明人：金在文;金茶惠;金真范;金傔;金度希;金东宇;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：包括鳍型有源区的衬底，鳍型有源区在第一方向上延伸；在鳍型有源区上的多个沟道层，多个沟道层包括在垂直于衬底的上表面的方向上彼此脱离直接接触的最上面的沟道层、最下面的沟道层和居间的沟道层；围绕多个沟道层并在与第一方向交叉的第二方向上延伸的栅电极；在多个沟道层和栅电极之间的栅极绝缘膜；以及电连接到多个沟道层的源极/漏极区。在沿第二方向截取的截面中，最上面的沟道层具有比居间的沟道层的宽度大的宽度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710748871.5有效
发明人： 金东宇;李炫姃;金善政;李承勋;朴金锡;赵南奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202010998536.2在审
发明人：河龙;金东宇;金傔;金容丞;朴判贵;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；沟道图案，在有源图案上，并且包括竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在有源图案中的凹部中；栅电极，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极围绕每个半导体图案的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及栅极间隔物，覆盖栅电极的侧表面，并且具有向半导体图案的开口，其中，源极/漏极图案包括覆盖凹部的内侧的缓冲层，缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且外侧表面和内侧表面中的每一个是朝向栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。
半导体器件

[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件-CN201610197247.6有效
发明人： 金东宇;李承勋;金善政;李炫姃;具本荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：缓冲层，在基底上，缓冲层具有与基底的晶格常数不同的晶格常数；鳍状结构，从缓冲层向上突出；栅电极，横跨鳍状结构之上；包覆层，在鳍状结构的侧面并覆盖鳍状结构的顶表面和侧壁；以及界面层，在包覆层和鳍状结构之间，界面层包括与缓冲层相同的元素。
包括场效应晶体管半导体器件

[发明专利]包括外延区的半导体器件-CN202011282169.2在审
发明人：金傔;金东宇;李智惠;金真范;李商文;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底上的有源区；有源区上的沟道区；在有源区上邻近沟道区的源极/漏极区；沟道区上与沟道区交叠的栅极结构；源极/漏极区上的接触结构；接触结构和栅极结构之间的栅极间隔物；以及围绕接触结构的侧表面的接触间隔物。源极/漏极区包括具有凹陷表面的第一外延区、以及第一外延区的凹陷表面上的第二外延区，并且第二外延区包括延伸部，延伸部在水平方向上从在竖直方向上与接触结构交叠的部分延伸，并且在竖直方向上与接触间隔物交叠。
包括外延半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910412594.X在审
发明人： 金东宇;金度希;金孝珍;文康薰;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：多个有源鳍，所述多个有源鳍在衬底上；栅电极，所述栅电极与所述多个有源鳍交叉；以及源/漏极区，所述源/漏极区在所述多个有源鳍上，并在所述栅电极的第一侧和第二侧延伸。所述源/漏极区包括在所述多个有源鳍中一些上的多个下外延层。所述多个下外延层包含具有第一浓度的锗(Ge)。上外延层在所述多个下外延层上并且包含具有高于所述第一浓度的第二浓度的锗。所述多个下外延层具有凸的上表面，并且在所述有源鳍之间彼此连接。
外延层源/漏极栅电极半导体器件彼此连接上表面衬底延伸

[发明专利]三维半导体存储装置及其制造方法-CN201510292330.7有效
发明人：延国贤;金东宇;黄棋铉;金东谦;刘东哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种三维半导体存储装置及其制造方法，三维半导体存储装置包括：外围电路结构，位于基底上；水平有源层，位于外围电路结构上；堆叠件，设置在水平有源层上以包括多个电极；竖直结构，竖直地贯穿堆叠件；共源极区，位于堆叠件中的堆叠件之间并且在水平有源层中；以及提取区，在水平有源层中。水平有源层包括顺序地堆叠在外围电路结构上的第一有源半导体层、第二有源半导体层和第三有源半导体层。第一有源半导体层和第三有源半导体层分别掺杂有高杂质浓度和低杂质浓度，第二有源半导体层包括杂质扩散抑制材料。
三维半导体存储装置及其制造方法

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