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[发明专利]基于铁电掺杂的场效应晶体管及其制备方法-CN202110501030.0在审
发明人：刘艳;刘宁;周久人;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：其自下而上包括衬底(1)、绝缘介质层(2)、栅电极(5)，该绝缘介质层的左侧和右侧自下而上分别布有源区极化铁电层(4)、源区极化电极(6)和漏区极化铁电层(3)、漏区极化电极(7)，该衬底的左、右侧分别布有源
基于掺杂场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种高速垂直腔面发射激光器的外延结构-CN202111223739.5在审
发明人：鄢静舟;薛婷;杨奕;糜东林 -专利权人：福建慧芯激光科技有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明属于新型半导体激光器技术领域，提出一种高速垂直腔面发射激光器的外延结构，包括衬底（1）；在所述衬底上依次设置有MOCVD沉积缓冲层（2）、第一分布式布拉格反射层（3）、谐振腔（4）、第二分布式布拉格反射层
一种高速垂直发射激光器外延结构

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器阵列模块与显示装置-CN201811469084.8有效
发明人：潘小和 -专利权人：矽照光电（厦门）有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列模块与显示装置，垂直腔面发射激光器阵列模块包括有源矩阵显示控制电路衬底；第一分布式布拉格反射光栅形成反射镜阵列；半导体发光量子层阵列；限制电流分布的光圈孔径阵列；以及第二分布式布拉格反射光栅形成反射镜阵列；其中，所述有源矩阵显示控制电路衬底中的有源矩阵显示控制电路通过金属电极阵列驱动半导体发光量子层阵列发光。
一种垂直发射激光器阵列模块显示装置

[发明专利]一种低导通电阻沟槽式MOSFET结构及其制备方法-CN202010446120.X有效
发明人：杨国江;赖信彰;于世珩 -专利权人：江苏长晶科技有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种低导通电阻沟槽式MOSFET结构及其制备方法，涉及半导体技术，一种低导通电阻沟槽式MOSFET结构，包括半导体衬底、依次固定在半导体衬底上的半导体外延层主体、隔膜层、金属覆盖层，半导体外延层主体内并位于隔膜层下部阵列设有排布紧密的小沟渠结构的沟槽，沟槽沿其长度方向至少设有一个环形槽，沟槽及环形槽内填充多晶硅；沟槽的底部和环形槽的外侧分别设有离子浓度高于半导体外延层主体的第一离子布值区和第二离子布值区。
一种通电沟槽 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种可调法诺谐振集成器件及其制备方法-CN202010102947.9有效
发明人：陈钰杰;许梓涵;吴泽儒;汤莎;张彦峰;余思远 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明提供的一种可调法诺谐振集成器件，包括衬底，还包括在所述衬底上集成的微环波导和耦合直波导，开设在所述耦合直波导顶面的位于耦合区域两端的光栅反射器以及设置在所述微环波导上方的微型加热器。本发明还提供该器件的制作方法，在耦合波导顶面浅刻蚀光栅形成部分反射器，两个部分反射器之间形成法布里‑珀罗谐振腔，与微环谐振腔作用，即微环谐振模式与法布里‑珀罗谐振模式发生耦合，在输出端形成法诺谐振谱线。
一种可调谐振集成器件及其制备方法

[发明专利]显示面板及显示面板的制备方法-CN202010626617.X有效
发明人：潘甦;彭文祥 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及显示面板的制备方法，所述显示面板包括：衬底基板；像素定义层，设置于所述衬底基板上并具有多个开口；红色发光单元、绿色发光单元，分别设置于所述多个开口内；第一分布式布拉格反射层，设置于所述像素定义层上；及蓝色发光层，设置于所述第一分布式布拉格反射层上。
显示面板制备方法

[实用新型]阵列基板及液晶显示器-CN201320884656.5有效
发明人：赖盛昌;李俊谊 -专利权人：厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种阵列基板及液晶显示器，其中，所述阵列基板包括：衬底基板；形成于所述衬底基板上的金属层；以及形成于所述金属层上的平坦化层，所述平坦化层中形成有至少一个通孔，所述通孔的底部暴露出所述金属层本实用新型提供的阵列基板及液晶显示器中，通过采用半色调掩模版在平坦化层中直接形成多个孔径渐变的通孔，以减缓所述阵列基板的段差变化，由此，减小段差对摩擦布的布毛方向造成的不良影响，从而改善摩擦不均现象。另外，所述开口的相邻的侧壁之间以圆弧形连接，摩擦布经过侧壁相交处时布毛方向杂乱现象得到缓解，从而进一步提高配向的均匀性。
阵列液晶显示器

[实用新型]一种可检测入射光强度的霍尔传感器-CN201821752802.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可检测入射光强度的霍尔传感器，包括衬底层，设置于衬底层上方的金属层，设置于金属层上方的透光导电层，所述透光导电层的上方还设置有多个平行排列的金属条；所述透光导电层的左右设置有电极；所述透光导电层的前后两侧设置有磁极；该可检测入射光强度的霍尔传感器，通过光对霍尔效应的电场造成影响，从而改变传感器的电流，通过对电流的检测，来反映光的变化，不仅结构简单，而且灵敏性高，特别是对能够与法布里‑珀罗腔共振的特定频率的光，具有非常好的检测效果，通过改变透光导电层所加载的电压，可以调节透光导电层对不同频率的光的响应，使得法布里‑珀罗腔的共振频率发生改变，这样就可以对共振的频率进行调节。
透光导电层霍尔传感器可检测入射光衬底层法布里金属层珀罗腔共振磁极本实用新型共振频率霍尔效应两侧设置左右设置电场电极传感器金属条灵敏性检测加载响应

[实用新型]一种扫频光源-CN201920133279.9有效
发明人：付红岩;谢启浩;陈震旻 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种扫频光源，扫频光源包括：依次叠层设置的第一电极、第一衬底、第一分布式布拉格反射镜、有源层和第二电极，所述第二电极位于所述非透光区域；框架，位于所述第二电极远离所述第一衬底一侧，且位于所述第二电极远离所述透光区域一侧，所述框架围绕所述第二电极一周；悬臂梁结构，固定于所述框架上，所述悬臂梁结构包括同层设置且相互连接的支撑膜和至少两个悬臂梁，所述支撑膜位于所述透光区域，所述悬臂梁位于所述非透光区域；第二分布式布拉格反射镜
第二电极扫频光源悬臂梁支撑膜分布式布拉格反射镜本实用新型非透光区域悬臂梁结构透光区域衬底第一电极同层设置压电结构叠层源层

[发明专利]模块衬底及印刷衬底-CN202010121388.6在审
发明人：村上克也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够将来自半导体装置的热有效率地放散的模块衬底及印刷衬底。实施方式的模块衬底具备：印刷衬底，具有贯通孔；半导体装置，以覆盖贯通孔的方式安装在印刷衬底；以及传热性的多角柱，设置在贯通孔内；且半导体装置具有接地端子或电源端子，多角柱在多角柱的角被贯通孔的内壁支持，
模块衬底印刷

[发明专利]一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构及其制备工艺-CN202210521299.X在审
发明人：鄢静舟;杨奕;糜东林;薛婷 -专利权人：福建慧芯激光科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构，属于新型半导体激光器技术领域，包括衬底；在衬底上依次设置有MOCVD沉积缓冲层、第一分布式布拉格反射层、谐振腔、第二分布式布拉格反射层和欧姆接触层，谐振腔、所述第二分布式布拉格反射层以及所述欧姆接触层均为Ⅲ‑Ⅴ族化合物材料，谐振腔的顶面形成一个包括量子阱层的台面；外延结构还包括同质半绝缘层，同质半绝缘层包裹于所述台面的外周面，同质半绝缘层为Al
一种掩埋氧化孔径 vcsel 外延结构及其制备工艺

[发明专利]金氧半场效应晶体管的终端区结构及其制造方法-CN201811245314.2有效
发明人：张渊舜 -专利权人：力士科技股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种金氧半场效应晶体管的终端区结构及其制造方法，其中的制造方法依序包含下列步骤：提供半导体衬底，半导体衬底包含衬底以及外延层，外延层形成于衬底上方；于外延层上形成掺杂区；于掺杂区形成多个沟渠环进行多晶硅回蚀刻而于各沟渠环的二个侧壁形成自对准的二个岛状多晶硅区，二个岛状多晶硅区互不接触；形成绝缘氧化层于各沟渠环内，绝缘氧化层覆盖于二个岛状多晶硅区上方；以及覆盖金属层于掺杂区，并对金属层进行图形布建以形成不连续金属层
半场效应晶体管终端结构及其制造方法

[实用新型]机顶盒包装盒结构-CN201620936584.8有效
发明人：金榆 -专利权人：重庆瑞丰包装股份有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B65D5/50 文献下载
摘要：所述容纳槽为长方体结构，该容纳槽长边一侧上缘与外盖体一体联接，其长边另一侧上缘与内盖体一体联接，容纳槽上方开口由内盖体和外盖体依次盖合；所述内衬结构为长方体结构并置于容纳槽内，该内衬结构包括一体成型的内衬底板和机顶盒缓冲块，机顶盒缓冲块为4块均布于内衬底板四周，内衬底板四周外缘与机顶盒缓冲块内侧中部一体式联接，机顶盒缓冲块与内衬底板围成的上层腔体为机顶盒容纳腔；该机顶盒包装盒结构设计巧妙，盒体和内衬结构均一体成型，整体结构强度较强
机顶盒包装结构

[发明专利]衬底-CN201980049373.9在审
发明人： T.费希廷格;K.陶贝尔;R.盖尔 -专利权人： TDK电子股份有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：提供一种衬底，所述衬底具有陶瓷基体(1)和位于陶瓷基体(1)的至少一个外部面上的有机的表面结构(2)，其中，外部的再配线部(3)集成到有机的表面结构中。
衬底

[实用新型]衬底-CN201120512360.1有效
发明人：梁秉文 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种具有主动面和被动面的衬底，所述主动面用于形成LED器件或集成电路器件，所述被动面具有多条预切割通道，该预切割通道用于在形成所述LED器件或集成电路器件的工艺过程中释放所述衬底上的应力在形成LED器件或集成电路器件的过程中，所述预切割通道可以将衬底上的应力释放，从而减小或消除衬底上的应力，有利于提高LED器件的良率。并且上述形成有预切割通道的衬底在LED器件或集成电路器件形成后，可以直接进行裂片，无需进行减薄、切割步骤，从而减少工艺步骤，简化工艺流程，提高LED器件的成品率、产量，降低LED器件的成本。
衬底