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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]翻页式手机集中存放装置-CN201420219104.7有效
发明人：江有永;高瑾;求帅科;吴汪洋;潘婷;吴淑敏;雷李婷;张航舰;李雯婷;陈圆圆 -专利权人：浙江水利水电学院;江有永
申请日： 2014-05-03 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： A45C11/24 文献下载
摘要：及可转动连接于背板两侧的两个密封盖及中间位置的多个翻页板，所述密封盖的U形端面侧设置拉链，拉链内侧设置屏蔽衬，两个密封盖与背板之间设置连接密封衬，密封盖的内侧设置多个手机存放袋，翻页板的两侧各设置多个手机存放袋，背板、密封盖、屏蔽衬由防电磁辐射布及硬质衬底制成，连接密封衬由防电磁辐射布制成，翻页板由硬质衬底制成。
翻页手机集中存放装置

[实用新型]耦合电感结构-CN201821392428.5有效
发明人：赵奂 -专利权人：湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于集成电路的耦合电感结构，具有至少两个金属耦合结构,该金属耦合结构作为集成电路中变压器件的电感，每个金属耦合结构两端分别连接于半导体器件衬底上的金属层，在满足集成电路工艺的条件下，本实用新型利用焊接在半导体器件衬底上的键合线构成变压器件的主次电感，避免了集成电路领域金属层工艺的限制。使耦合电感的能够尽量利用集成电路布图的所有空间，提高芯片面积利用率。主次电感能够在制造时制成适应布图结构的形状，尽可能的使用主次电感的形状提供最佳耦合互感系数。
电感金属耦合结构耦合电感半导体器件本实用新型衬底集成电路芯片面积利用率集成电路布图集成电路工艺集成电路领域空间位置关系金属层工艺布图结构互感系数最佳耦合键合线金属层变压器焊接制造

[实用新型]一种汽车座椅靠垫-CN201921882173.5有效
发明人：曾红军 -专利权人：东莞市怡品五金制品有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： B60N2/62 文献下载
摘要：包括坐垫和靠垫，坐垫连接在靠垫下部一侧，所述坐垫包括由下至上依次设置的衬底层、坐垫减震弹簧、弹性垫层和透气布层，所述坐垫减震弹簧有多个，每个坐垫减震弹簧由多圈螺旋簧圈首尾相接构成圆环状，坐垫减震弹簧的轴线竖直设置，所述螺旋簧圈的轴线倾斜设置，螺旋簧圈的轴线与坐垫的衬底层之间的夹角为锐角。环形斜簧，不易变形，坐垫减震弹簧由多圈螺旋簧圈首尾相接构成圆环状，在车辆过减振路面及一些凸凹不平的路面时，司机及乘客不会感到有明显的颠覆，利用透气布层的透气性和排湿性，不会感到明显热感，长途行驶驾乘人员不易感觉疲劳
一种汽车座椅靠垫

[实用新型]一种可自动跟随平缝锁眼Y向移动的送衬底布机构-CN202222757390.X有效
发明人：邬华德;邬富俊;邬利生 -专利权人：上海鸠兹智能科技有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： D05B27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及各类服装的平缝锁眼机，具体为一种可自动跟随平缝锁眼Y向移动的送衬底布机构。本实用新型实现自动跟随锁眼机送衬底布，安装调试容易，效率大大提高。
一种自动跟随锁眼移动衬底机构

[发明专利]使用微通路激光钻凿和导电层预布图形成衬底芯层结构的方法以及根据该方法形成的衬底芯层结构-CN200880022013.1有效
发明人：李永刚;I·萨拉玛;C·古鲁穆尔蒂;H·阿齐米 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种制造衬底芯层结构的方法，包括：在起始绝缘层的每一侧上设置其中形成开口的第一和第二经布图的导电层；在个第一和第二经布图的导电层上设置第一和第二补充绝缘层；激光钻凿延伸通过第一和第二经布图的导电层的至少一些导电层开口的一组通路开口；用导电材料填充一组通路开口以提供一组导电通路；并在各第一和第二补充绝缘层上设置第一和第二补充经布图的导电层，这组导电通路在其一侧与第一补充经布图的导电层接触，并在其另一侧与第二补充经布图的导电层接触。
使用通路激光导电层预布图形衬底结构方法以及根据形成

[发明专利]一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备法-CN202211661483.0在审
发明人：张保平;徐欢;李青璇;许荣彬;梅洋;应磊莹;郑志威 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：选用一外延层，该外延层从下到上依次包括衬底、N型氮化物、有源区和P型氮化物；在P型氮化物上表面中部的电流注入孔位置生长金属掩膜层；通过高能粒子均匀地辐照P型氮化物的上表面，使辐照区形成电流限制层；去除金属掩膜层，并在电流注入孔上表面依次生长透明导电层和第一分布布拉格反射镜；在透明导电层和第一分布布拉格反射镜的外表面及电流限制层的上表面生长第一电极，并翻转后转移到支撑基板上；去除衬底，将N型氮化物进行减薄抛光，并在N型氮化物的上表面中部生长第二分布布拉格反射镜，其上表面两侧生长第二电极。
一种基于氮化物半导体垂直发射激光器制备

[发明专利]用于电路化衬底中的介电组合物和包括其的电路化衬底-CN200610150779.0无效
发明人：罗伯特·M·姚普;瓦亚·R·马科尔维奇;科斯塔斯·I·帕帕托马斯 -专利权人：安迪克连接科技公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种介电组合物，其适合与一支撑材料(例如，玻璃纤维布)组合以形成一可用于例如PCB、芯片载体和类似物的电路化衬底中的介电层。本发明还提供一种电路化衬底，其由这些介电层中的一个或一个以上和一个或一个以上导电层组成。
用于电路衬底中的组合包括

[发明专利]谐振腔增强型光探测器及其制造方法-CN202010130019.3在审
发明人：王保勇;范鑫烨;张鲁健 -专利权人：太平洋（聊城）光电科技有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：谐振腔增强型光探测器包括衬底、底部DBR和GaAs光栅层，其中，所述底部DBR设置在所述衬底上并且包括层叠设置的第一分布布拉格反射镜，所述GaAs光栅层设置在所述底部DBR上。本发明实施例提供的谐振腔增强型光探测器及其制造方法，通过以GaAs作为探测器的衬底，在底部DBR上采用外延方法生长GaAs光栅层，根据当光栅的周期达到波长量级或者小于波长时，其衍射特性往往与偏振相关这一特性
谐振腔增强探测器及其制造方法

[发明专利]一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法-CN202211628590.3在审
发明人：齐通通;林谷彦;罗海林 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-12-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法，将三英寸InP半绝缘衬底放入MOCVD腔体中，进行700℃高温的进行烘烤，并在480℃时开始通入PH3，来去除衬底表面的氧化物并改善表面生长质量；接着生长P‑InP、N‑InP和P‑InP结构来进一步抑制电流向衬底的扩散；步骤2：接着依次生长：N‑InP缓冲层、N‑InAlAs电子阻挡层、不掺杂InAlGaAs下波导层、InAlGaAs应变多量子阱和垒结构
一种利用离子技术制备 rwg dfb 激光器制作方法

[发明专利]一种制备大尺寸高质量石墨烯单晶的装置及方法-CN201510128458.X有效
发明人：赵显;于法鹏;许士才;程秀凤;孙丽;杨志远;陈秀芳 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：该装置包括壳体和顶盖，顶盖内设带布气管的气体喷头，使进入的高纯气体均匀分布进入反应腔体；反应腔体由密封石英管、插接在两段密封石英管中间的石墨发热体、放置在石墨发热体内部的石墨坩埚组成，石墨坩埚用于放置SiC晶片衬底；石墨发热体外有冷却水系统、中频线圈；壳体底部有出气口。本发明还提供利用该装置在SiC衬底上制备大尺寸高质量石墨烯单晶的方法。采用本装置及生长方法，在SiC衬底上制得高质量的石墨烯晶体，其迁移率比SiC高温热解方法制备的石墨烯提高近1～2个数量级。
一种制备尺寸质量石墨烯单晶装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510845866.7有效
发明人：三原龙善 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：经由第一绝缘膜在半导体衬底上方形成选择栅电极。在选择栅电极的相对侧表面上方，形成侧壁绝缘膜的第二绝缘膜。在半导体衬底上方，经由具有电荷积累部的第三绝缘膜形成存储器栅电极。第二绝缘膜布形成在存储器栅电极的下方。插入在选择栅电极和存储器栅电极之间的第二绝缘膜和第三绝缘膜的总厚度大于插入在半导体衬底和存储器栅电极之间的第三绝缘膜的厚度。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]谐振腔增强型光探测器-CN202020228197.5有效
发明人：王保勇;范鑫烨;张鲁健 -专利权人：太平洋（聊城）光电科技有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：谐振腔增强型光探测器包括衬底、底部DBR和GaAs光栅层，其中，所述底部DBR设置在所述衬底上并且包括层叠设置的第一分布布拉格反射镜，所述GaAs光栅层设置在所述底部DBR上。本实用新型实施例提供的谐振腔增强型光探测器，通过以GaAs作为探测器的衬底，在底部DBR上采用外延方法生长GaAs光栅层，根据当光栅的周期达到波长量级或者小于波长时，其衍射特性往往与偏振相关这一特性，即利用光栅的偏振选择特性实现了谐振腔增强型光探测器的偏振选择功能
谐振腔增强探测器

[发明专利]植绒的转移层和包括该植绒的转移层的制品-CN01814634.1无效
发明人：路易斯·B·艾布拉姆斯 -专利权人：高压制图公司
申请日： 2001-07-23 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： B32B5/00 文献下载
摘要：通过将热固化的热熔性薄膜片材放置在衬底上；将转移层放在热熔性薄膜上，使植绒短绒与热熔性薄膜接触；并加热量和压力，可以将转移层(1)(基本上为植绒的弛缓片)加在衬底上，即，布、橡胶垫等。热量使热固化的热熔性薄膜熔化，将植绒短绒粘合在衬底上，并将植绒短绒粘接在一起。该方法降低了制造植绒制品的成本。
转移包括制品

[发明专利]一种近红外单光子阵列探测器及其制备方法-CN202310169970.3在审
发明人：王兴;乔凯;尹飞;郭可飞;汪韬;李鸣 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本阵列探测器包括衬底层、设置在衬底层上表面的外延层和设置在衬底层下表面的减反层；外延层包括自下而上依次生长的缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和帽层；缓冲层靠近衬底层；帽层远离电荷层的一侧设有钝化层；钝化层上间隔均布多个第二电极窗口和多个第三电极窗口
一种红外光子阵列探测器及其制备方法

[发明专利]一种散热加强型柔性薄膜太阳能电池隔热与增强复合结构及其研制方法-CN201410251474.3有效
发明人：孙康文;陈晓明;孙谋;吕明云 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：该结构以多孔道型硅胶片作为散热层，主要用于形成柔性的散热风道；以柔性薄膜作为衬底支撑层，主要用于隔热层材料、强度增强层材料的贴敷；以高强纤维网格布作为强度增强层，主要用于复合型衬底结构使用时的承力；以环氧树脂作为胶粘剂，主要用于复合型衬底结构中各层材料的有效粘结；以中空型柔性隔热材料作为隔热层，主要用于复合型衬底结构上下表面温差的有效控制。
一种散热加强型柔性薄膜太阳能电池隔热增强复合结构及其研制方法

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