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[发明专利]一种基于可塑性基板的芯片3D堆叠的封装结构及其制造方法-CN202111436582.4有效
发明人：杨国江;于世珩;高军明 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种基于可塑性基板的芯片3D封装结构，包括：可塑性基板，包括一层或多层信号互联层及柔性介质层，所述信号互连层互相电连接与所述柔性介质层集成；及多个芯片，安装于所述可塑性基板上；其中，所述可塑性基板具有至少两个弯折处，多个芯片通过所述可塑性基板弯折后呈多向堆叠弯折，绝缘填充材料填充于所述可塑性基板在弯折边角处形成的空腔中以及所述可塑性基板的弯折开口处。本发明提供一种基于可塑性基板的芯片3D封装结构及制作方法，以解决现有堆叠方式高难度，高成本，层数少的问题，以及能解决特殊的贴装角度要求。
一种基于可塑性芯片堆叠封装结构及其制造方法

[发明专利]一种主动式热插拔输入保护电路-CN202111408902.5在审
发明人：杨国江;王海波 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开一种主动式热插拔输入保护电路，包括保护对象是低压电路的热插拔输入保护电路和保护对象是高压电路的热插拔输入保护电路，两种保护电路原理相同，只是一种是采用低压元器件，另一种需采用高压元器件，两种保护电路均包含RC延时电路和功率开关。通过合理设置RC延时的控制时间，同时搭配数十欧姆导通电阻的开关管，当输入管脚上电、输入端热插拔过程中，RC延时电路控制该保护电路在数十微秒时间内保持开启，有效地将上电尖峰泄放到地，避免输入电源管脚电位超过额定值。
一种主动式热插拔输入保护电路

[发明专利]晶片尺寸封装-CN202111143247.5有效
发明人：杨国江;于世珩;毛嘉云 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶片尺寸封装，包括：一晶片，具有一正面及一背面，其中正面具有一主动区域。一金属层，形成于背面，且大于主动区域的投影，适于一电流在金属层流动。金属层具有四个边缘，其中至少一边缘具有一键缺口，其中键缺口的凹陷方向若与电流方向平行，则键缺口与主动区域的投影不产生干涉。一封装材料，形成于背面，至少包覆金属层的边缘。本申请的晶片尺寸封装可以改善金属层与封装材料的连接性，提高封装的可靠度，也可以避免毛边的产生。
晶片尺寸封装

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽型MOSFET结构及其制造方法-CN202110822237.8有效
发明人：杨国江;于世珩;张胜凯;白宗伟 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种屏蔽栅沟槽型MOSFET结构，包括：半导体衬底；外延半导体层，形成在所述半导体衬底之上；阱区，形成在所述外延半导体层之上；源区，形成在所述阱区内部；第一沟槽和第二沟槽，形成在所述外延半导体层、所述源区和所述阱区的内部；以及第二源极导电通道，形成在所述源区和所述阱区的内部，以及形成在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；其中所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的最短距离定义了所述第二源极导电通道的最大宽度。本发明的MOSFET结构可以实现刻蚀的自对准，解决了在两个晶胞之间的间距太小的时候，现有的光刻机台不能满足所需的分辨率的技术问题；并且简化了MOSFET的制造工艺进而节省了制造时间和成本。
一种屏蔽沟槽 mosfet 结构及其制造方法

[发明专利]一种减少高压厚栅氧MOS管的电池0V禁止充电电路-CN202110574779.8有效
发明人：杨国江;王海波;李宇 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少高压厚栅氧MOS管的电池0V禁止充电电路，在现有技术包括电压采样电路、电平移位电路和输出控制电路的0V禁止充电电路基础上，增设包括二极管和电阻构成的电压钳位电路并对输出控制电路加以改进，通过电压钳位电路和改进的输出控制电路共同作用，本发明0V禁止充电电路仅仅使用普通的高压厚栅氧高阈值MOS管工艺就可以正常工作，巧妙化解了现有技术对工艺参数要求较为苛刻的难题。
一种减少高压厚栅氧 mos 电池禁止充电电路

[发明专利]一种3D堆叠且背部导出的扇出型封装结构及其制造方法-CN202110759529.1有效
发明人：杨国江;高军明 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开一种3D堆叠且背部导出的扇出型封装结构及其制造方法。该扇出型封装结构包括载板（晶圆）、芯片、塑封层、第一重布线层、第一介质层、第二重布线层和第二介质层。该扇出型封装结构实现双面扇出，能有效降低封装成本并拓宽该结构的应用范围；该结构主要依靠对于基板的设计实现芯片正反面的互连互通，而非基于TSV通孔，能有效降低工艺难度，使用通用设备即可实现加工生产；另外，该扇出型封装结构可以缩短连接距离，在产品性能，特别是电性能和信号传输方面具有很大的优势，其损耗更小，效率更高，而且响应时间更短。
一种堆叠背部导出扇出型封装结构及其制造方法

[发明专利]改善低压差线性稳压器全负载稳定性的补偿方法及其电路-CN202010452401.6有效
发明人：杨国江;王海波 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善低压差线性稳压器全负载稳定性的补偿方法及其电路，采用动态补偿和固定补偿两者相结合的方法，动态补偿采用MOS管作为有源补偿的负载检测管来镜像负载电流，与RC固定补偿网络中的补偿电容以及另外增设的补偿电容共同构成有源补偿，实现带载范围内重载部分的补偿；偏置电流源的固定补偿是通过设置MOS管构成的偏置电流源形成补偿电阻，替代RC固定补偿网络中的补偿电阻，与RC固定补偿网络中的补偿电容一起，完成对轻载部分的补偿，动态补偿和固定补偿两者相结合，能够共同实现包含轻载和重载的全负载范围内的最佳补偿。
改善低压线性稳压器负载稳定性补偿方法及其电路

[发明专利]一种沟槽型MOSFET的制造方法及其结构-CN202011087314.1有效
发明人：杨国江;张胜凯;于世珩 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种沟槽型MOSFET的制造方法及其结构。该方法中形成栅极导体与屏蔽导体之间绝缘层的方法，包括如下步骤：在沟槽侧壁、屏蔽导体上方以及外延半导体层表面，形成一层第一氧化物；在所述第一氧化物表面形成一层氮化物；在沟槽内部以及外延半导体层上氮化物的上方沉积第二氧化物；将所述外延半导体层上氮化物的上方沉积的第二氧化物去除；将沟槽上部的第二氧化物去除；将外延半导体层上方以及沟槽上部的氮化物去除；将外延半导体层表面以及沟槽上部的第一氧化物去除。采用该方法得到的栅极导体与屏蔽导体之间三层的绝缘层结构，其厚度将变得更厚且更易于控制，有助于改善寄生输入电容，进而改善器件在应用时的切换损失。
一种沟槽 mosfet 制造方法及其结构

[发明专利]一种低导通电阻沟槽式MOSFET结构及其制备方法-CN202010446120.X有效
发明人：杨国江;赖信彰;于世珩 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种低导通电阻沟槽式MOSFET结构及其制备方法，涉及半导体技术，一种低导通电阻沟槽式MOSFET结构，包括半导体衬底、依次固定在半导体衬底上的半导体外延层主体、隔膜层、金属覆盖层，半导体外延层主体内并位于隔膜层下部阵列设有排布紧密的小沟渠结构的沟槽，沟槽沿其长度方向至少设有一个环形槽，沟槽及环形槽内填充多晶硅；沟槽的底部和环形槽的外侧分别设有离子浓度高于半导体外延层主体的第一离子布值区和第二离子布值区。本发明还提供了一种低导通电阻沟槽式MOSFET结构的制备方法，本发明电流在整个外延层的分布更加均匀，发散角度更大，从而降低了器件的导通电阻，有利于提高器件整体的击穿电压。
一种通电沟槽 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备-CN202010906159.5在审
发明人：杨国江;赖信彰;于世珩 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备，该制备方法包括：在外延半导体层上形成沟槽；在沟槽的内壁形成第一绝缘层，并在沟槽中形成第一栅极，第一绝缘层和第一栅极延伸至外延半导体层的表面，第一绝缘层用于隔开第一栅极和外延半导体层；刻蚀第一绝缘层和第一栅极，使得刻蚀后的第一绝缘层的表面与刻蚀后的第一栅极的表面共面；在刻蚀后的第一栅极和刻蚀后的第一绝缘层的表面形成层间介电层；在沟槽的上部的侧壁上形成第二绝缘层，并在沟槽的上部中形成第二栅极，其中，沟槽的上部为层间介电层远离第一栅极的表面至沟槽开口的部分。本发明的技术方案利用，能够简化工艺、提高屏蔽栅沟槽MOSFET的性能和可靠性。
屏蔽沟槽 mosfet 及其制备方法电子设备

[发明专利]一种供电电源的升降压控制系统及其控制方法-CN202010714722.9有效
发明人：杨国江;王海波 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种供电电源的升降压控制系统，包括线性稳压器LDO、欠压保护电路UVLO、电荷泵CP和单刀双掷开关SPDT，欠压保护电路UVLO检测VDD，当VDD线性稳压器LDO输出额定LDOout（NOM）时，自动采用降压模式，保持线性稳压器LDO输出供电电压LDOout稳定；当VDDLDOout（NOM）时，欠压保护电路UVLO的输出控制电荷泵CP开启，自动进入升压模式，通过其输出信号CPout连接线性稳压器LDO的输入LDOin，保持输出供电电压LDOout稳定；当VDD额定的供电电压输出/2时，通过欠压保护电路UVLO的输出信号UVout2产生的使能信号EN关断线性稳压器LDO输出。
一种供电电源升降控制系统及其控制方法

[实用新型]一种IC软化槽的水循环保温系统-CN201921160123.6有效
发明人：范荣定;夏昊天;葛海波 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B29C35/04 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种IC软化槽的水循环保温系统，包括槽体和设置在槽体上的盖体，所述槽体内部设置有蒸汽管和热水管，所述蒸汽管和热水管交错布置，所述槽体内壁上设置有超声波换能器和温度传感器，所述槽体外侧安装有控制器，所述控制器与所述超声波换能器和温度传感器电性连接。本实用新型通过加温方式的优化改造，加热均匀，提高了工艺温度控制的精度，确保软化质量。
一种 ic 软化水循环保温系统

[实用新型]一种三端稳压器用检测装置-CN201921190878.0有效
发明人：范荣定;陈益忠;夏昊天;陈炜;汤振凯;于世珩;毛嘉云;刘健;缪国平;刘丹萍 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三端稳压器用检测装置，涉及三端稳压器的检测领域，为解决现有技术中检测装置存在缺陷，无法检测出最佳的降压范围的问题。所述外壳体的一侧外表面上设置有稳压器检测口，所述稳压器检测口的内部设置有稳压器连接插孔，所述外壳体的上端外表面上设置有检测电压观察口、输入电压观察口、温度观察口，所述外壳体的内部设置有蓄电池，所述蓄电池的两端位置处设置有电池固定架，所述电池固定架通过固定螺栓连接在外壳体的内部底端，所述蓄电池的一侧设置有检测开关，所述检测开关的一侧设置有滑动变阻器，所述蓄电池的一侧设置有滑动变阻器。
一种稳压器用检测装置

[实用新型]一种测试打印编带机用振动盘-CN201921160616.X有效
发明人：杨国江;夏昊天;葛海波 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B65B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种测试打印编带机用振动盘，包括底座、振动盘主体和传送轨道，所述振动盘主体固定安装在所述底座上，所述传送轨道设置在所述振动盘主体中间位置，所述传送轨道包括依次首尾相接并螺旋上升的下传送轨道、上传送轨道和出料轨道，所述下传送轨道上开设有凹槽，所述上传送轨道内壁设置有吹料管，位于所述吹料管上方的上传送轨道壁面上设置有颜色传感器，所述颜色传感器与所述吹料管的电磁阀电性连接。本实用新型使用方便，可将产品进行准确排序并区分正反面，准确率高。
一种测试打印编带机用振动

[发明专利]半导体元胞单元、制造方法和半导体器件-CN202010705064.7在审
发明人：杨国江;范荣定;于世珩;赖信彰 -专利权人： 江苏长晶科技有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体元胞单元、制造方法和半导体器件，该元胞单元包括：基底；外延层，生长在所述基底上；体区，形成于所述外延层上；源区，形成于所述体区上；栅极沟槽，依次穿过所述源区和所述体区，并延伸至与所述外延层接触；注入区，形成于所述外延层内，并位于所述栅极沟槽之下，所述注入区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同。本申请通过在栅极沟槽底部下方形成与外延层掺杂类型相同的注入区，来降低沟槽底部与外延层的电阻，进而提高半导体器件的性能。
半导体单元制造方法半导体器件

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