“表面键合”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5655255个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种功率模块封装结构及其制备方法-CN202010857075.7在审
发明人：冯加云;方杰;徐凝华;曾雄;贺新强;张浩亮 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模块封装结构及其制备方法，解决了在IGBT模块上进行铜线键合时工艺要求高、工艺实现困难的问题。通过在功率半导体芯片第一表面的第一电极上设置键合板，并在键合板表面连接第一键合线，第一键合线通过键合板将第一电极引出，第一键合线的另一端与衬板连接；在功率半导体芯片第一表面的第二电极上连接第二键合线将第二电极引出，第二键合线的另一端与衬板连接。上述方案有效地解决功率半导体芯片表面铜线的键合问题，提高了键合点的可靠性，减少了键合时对功率半导体芯片的损伤，增加了键合过程的稳定性，有效的解决了在功率半导体芯片表面键合铜线难以实现的问题。
一种功率模块封装结构及其制备方法

[实用新型]一种半导体芯片-CN202223597963.3有效
发明人：田茂康 -专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体芯片，包括基板、芯片表面源极、外部源极引脚和键合组件，芯片表面源极和外部源极引脚分别设置于基板上的不同位置，芯片表面源极和外部源极引脚通过键合组件连接；芯片表面源极上设置有第一键合区域，外部源极引脚上设置有第二键合区域，键合组件包括导电引线，导电引线的第一端通过若干第一键合结构与第一键合区域键合连接，导电引线的第二端通过第二键合结构与第二键合区域键合连接。本实用新型提供的半导体芯片增加了键合结构，增大了导电引线与芯片表面源极的接触面积，也提高了产品芯片表面的电流汇聚面积，降低了导体电阻的导通内阻参数，使得高功率的半导体芯片产品能够更好地发挥其高性能。
一种半导体芯片

[实用新型]半导体装置和半导体键合结构-CN202121272490.2有效
发明人：曾志翔;黄穗麒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请是关于半导体装置和半导体键合结构。在本申请的一些实施例中，本申请提供了一种半导体装置，其包括：衬底；电介质层；第一键合焊盘；及第二键合焊盘。衬底具有第一表面。电介质层邻近于衬底的第一表面设置。第一键合焊盘设置在电介质层中。第二键合焊盘设置在电介质层中，其中第一键合焊盘在衬底的第一表面上的投影面积大于第二键合焊盘在衬底的第一表面上的投影面积。本申请提供的半导体装置和半导体键合结构具有便于实现键合焊盘的对准和更好的键合强度的优点。
半导体装置结构

[实用新型]三维封装结构-CN201420155463.0有效
发明人：王文斌;王之奇;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种三维封装结构，包括：第一衬底，第一衬底上具有第一焊盘；位于第一焊盘上的第一键合层；位于第一键合层周围形成保护墙，所述保护墙的顶部表面高于第一键合层的表面；倒装在第一衬底上的第二衬底，所述第二衬底上具有第二焊盘，所述第二焊盘的表面上具有第二键合层，第二衬底上的第二键合层与第一衬底上的第一键合层键合连接，所述保护墙围绕所述第一键合层和第二键合层。本实用新型的三维封装结构具有保护墙，在进行第一键合层和第二键合层的键合时，防止第一键合层或第二键合层材料向键合面两侧的溢出。
三维封装结构

[发明专利]铝锗共晶键合的方法-CN201510707366.7有效
发明人：黄锦才;刘玮荪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种铝锗共晶键合的方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一中央区域和第一边缘区域，所述第二晶圆具有第二中央区域和第二边缘区域；在所述第一晶圆的第一边缘区域上形成铝键合层；在所述铝键合层中形成贯穿铝键合层厚度的第一环状凹槽和环绕第一环状凹槽的第二环状凹槽，所述第一环状凹槽和第二环状凹槽之间的铝键合层为中心铝键合层；在所述第二晶圆的第二边缘区域上形成锗键合层，且所述锗键合层的键合表面面积小于等于所述中心铝键合层的键合表面面积；将所述锗键合层的表面与所述中心铝键合层的表面进行键合所述方法能够控制键合后形成的共晶合金的厚度。
铝锗共晶键合方法

[发明专利]键合半导体器件及其制备方法-CN202110523257.5在审
发明人：孙祥烈;许静;罗军;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合半导体器件及其制备方法，键合半导体器件的制备方法包括：提供介质层，介质层包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，于介质层的第一表面形成凹槽；于凹槽的底部和侧壁形成第一金属层；于凹槽内填充第二金属层，以形成第一待键合晶圆；第一待键合晶圆以介质层的第一表面为键合面键合到第二待键合晶圆上，以形成键合半导体器件。解决了现有技术中键合界面没有生长在一起，键合界面有较多缺陷的技术问题，提高了器件的可靠性和稳定性。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种共晶键合方法和半导体器件-CN201611050071.8有效
发明人：邱鹏;顾佳烨;游家杰 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种共晶键合方法和半导体器件，该方法包括：在第一基片的表面形成第一键合材料图形；在第二基片的表面形成第二键合材料图形；在所述第一基片的表面和/或所述第二基片的表面形成围绕所述第一键合材料图形和/或所述第二键合材料图形的突起的环状部件，所述环状部件与所述第一键合材料图形和/或所述第二键合材料图形的外周之间形成容纳空间；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合。
键合材料表面形成共晶键合半导体器件环状部件按压容纳空间图形对齐图形发生预定压力溢流物突起申请外周阻挡

[发明专利]键合方法及键合装置-CN202010671643.4在审
发明人：母凤文 -专利权人：母凤文
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合装置及键合方法，该装置包括一用于表面活化的光源，一真空腔体、一支撑机构和一加压机构；光源用于活化两键合表面，加压机构可以在活化后施加压力辅助键合、支撑机构用于将待键合样品传送至特定位置后支撑固定待键合样品该键合装置可以避免传统表面活化键合方法带来的界面损伤层和氧化层，实现界面具有完整的晶格结构，从而保证界面具备特定性能。
方法装置

[发明专利]MEMS器件封装方法及封装结构-CN202010093211.X在审
发明人：王晓东;刘国安 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS器件封装方法及封装结构，在所述器件晶圆的表面上覆盖键合介质层之后且在刻蚀键合介质层以形成电极沟槽之前，先对所述键合介质层的顶面进行平坦化，由此可以改善键合介质层用于键合的表面的平整度，避免键合后的盖板晶圆和相应的键合界面之间产生空洞，由此降低后续在去除两晶圆之间的键合介质层时对键合界面处的键合介质层的侧向刻蚀量，继而保证键合可靠性，避免盖板晶圆剥离。而且，由于使用剥离工艺来在电极沟槽中形成电极，由此可以在键合前能省去电极层刻蚀的步骤，且形成的电极的顶部上不再覆盖有多余的键合介质层，由此简化了工艺并降低了成本，且还可以保证电极的形成不会影响在先形成的键合介质层的表面平整度
mems 器件封装方法结构

[发明专利]圆片键合剪切强度测试装置及测试方法-CN202010156728.9有效
发明人：董显山;黄钦文;来萍;黄云;杨少华 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本申请涉及一种圆片键合剪切强度测试装置及测试方法。其中，圆片键合剪切强度测试装置，包括载体；载体上设有阻挡台；载体用于放置待测芯片；阻挡台用于阻挡待测芯片的圆片键合底层结构的移动；圆片键合底层结构包括依次叠于当前待测键合结构层下表面的各键合结构层；其中，载体的上表面贴合圆片键合底层结构的下表面，阻挡台的壁面贴合圆片键合底层结构远离接触工具的侧面，以使测试设备通过接触工具、对当前待测键合结构层进行剪切强度测试，得到键合剪切强度。本申请适用于MEMS器件大面积圆片键合以及多层键合的剪切强度测试，能够满足MEMS圆片键合剪切强度测试需求。
圆片键合剪切强度测试装置方法

[发明专利]一种共晶键合方法和半导体器件-CN201510885153.3有效
发明人：邱鹏;张挺;顾佳烨 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种共晶键合方法，该方法包括：在第一基片表面形成第一键合材料图形；在第二基片表面形成第二键合材料图形；在所述第二键合材料图形中形成朝向所述第二基片表面凹陷的下凹陷部；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合。根据本申请，在基片键合材料图形中形成凹陷部，以容纳共晶键合过程中形成的部分共晶材料的合金，由此，减少或消除溢流物。
一种共晶键合方法半导体器件

[发明专利]一种晶圆的切割方法-CN202111033918.2在审
发明人：刘天建;田应超;李琳瑜;曹瑞霞;胡海威;孙远 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆的切割方法，包括：提供一待切割晶圆，所述待切割晶圆具有相对设置的混合键合表面和背面，以及连接所述混合键合表面和背面的侧壁，待切割晶圆包括多个待混合键合芯片以及位于相邻待混合键合芯片之间的切割道；将待切割晶圆的混合键合表面朝向所述载盘设置，且混合键合表面的至少大部分与载盘之间未接触，并对背面执行贴膜工艺；从混合键合表面沿切割道对待切割晶圆执行激光开槽工艺，以在混合键合表面形成网格状的槽孔；在槽孔中执行激光隐形切割工艺，以得到单个的待混合键合芯片。本发明通过步骤S2，即非接触贴膜可有效规避临时键合工艺或背面贴膜工艺，降低成本同时避免了残胶的污染。
一种切割方法

[发明专利]低温晶圆直接键合机台和晶圆键合方法-CN201910405744.4有效
发明人：周华 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种低温晶圆键合机台和晶圆键合方法，其中所述低温晶圆键合机台包括表面处理单元，用于对待键合晶圆的表面进行活化处理；预键合单元，用于将经过活化处理后的一片待键合晶圆与经过活化处理后的另外至少一片待键合晶圆或者与未经过活化处理的另外至少一片待键合晶圆贴合，形成预键合晶圆对；缺失检测单元，用于检测所述预键合晶圆对是否存在缺失；解键合单元，用于将所述存在缺失的预键合晶圆对分离。本发明的低温晶圆键合机台的解键合的成功率提升。
低温直接机台晶圆键合方法

[发明专利]键合头、芯片键合机和键合方法-CN202210332496.7在审
发明人：郑嘉瑞;胡金;王明军;张浩;尹祖金;周宽林;李虎;耿小猛;李昌洪 -专利权人：深圳市联得自动化装备股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合头、芯片键合机和键合方法，所述键合头包括：拾取组件、多个柔性体及多个控制件，所述拾取组件用于拾取芯片，所述柔性体包括第一连接端和第二连接端，多个所述柔性体的所述第一连接端均与所述拾取组件连接上述键合头能够自适应地调平芯片与基板，提高芯片与基板键合时的精度。芯片键合机包括上述键合头，能够提高芯片与基板键合时的精度。键合方法应用于上述芯片键合机，能够提高芯片与基板键合时的精度。
键合头芯片键合机方法

[发明专利]键合头装置、键合方法及键合机台-CN201710930963.5有效
发明人：程海林;赵丽丽;夏海;陈飞彪 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提出的键合头装置、键合方法及键合机台，第一动力组件与键合组件相互独立，实现了整个键合头装置的轻量化，增加了键合头装置在键合过程中的移动速度，同时减小了在键合芯片时产生的第一作用力，增加了键合的产率；进一步的，通过键合组件中的气浮轴套单元精密调压以缓冲第一作用力，无需使用传统的压力传感器，降低了键合头进行芯片贴合时的控制过程的复杂度，同时无需减少键合头装置的刚度，避免了芯片键合时发生贴合翘曲以及第一作用力不均匀等问题；更进一步的，本发明提出的键合机台使用第一动力组件与键合组件相互独立的键合头装置，可同时对多个工作台上的芯片进行键合，极大提高了键合产率。
键合头装置方法机台