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[发明专利]晶圆键合方法-CN201510090153.4有效
发明人：汪新学;王明军;方伟;周耀辉;伏广才 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供待键合的第一晶圆，所述第一晶圆包括衬底，所述衬底包括键合面以及相对于所述键合面的背面；在所述衬底中形成从衬底键合面露出的导电键合结构；在所述导电键合结构表面形成牺牲层；以所述牺牲层为掩模，去除部分衬底，使导电键合结构的表面凸出于所述衬底的表面；去除所述牺牲层；将所述第一晶圆与另一晶圆键合。本发明的有益效果在于对导电键合结构的表面进行保护，减小导电键合结构材料在去除衬底的过程中受到的影响，尽量地保证了导电键合结构中的材料不至于发生迁移，这样有利于减小发生短路现象的几率，进而提升晶圆之间的键合质量
晶圆键合方法

[实用新型]一种具有对准键合组件的芯片接合装置-CN202121753949.0有效
发明人：朱彩萍;朱赞纯 -专利权人：深圳市瑞尔凯科技有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片接合装置技术领域，公开了一种具有对准键合组件的芯片接合装置，包括键合机和键合机下端设置有键合座，键合机下端设置有键合部件，键合座上端开设有放置槽，键合座内腔开设有气槽，气槽内腔壁一侧贯穿设置有夹持杆，键合座外表面设置有气管，气管一端与气槽底面相连，气管另一端与键合机相连，夹持杆外表面套接有第一复位弹簧，放置槽内腔壁开设有第一伸缩槽，第一复位弹簧一端插接于第一伸缩槽，气槽内腔压强变大使四组夹持杆能够同时伸出，对芯片进行夹持，从而使芯片能够对准键合部件，方便键合部件对芯片进行键合。
一种具有对准组件芯片接合装置

[发明专利]一种LED芯片用键合衬底的制备方法-CN201610203193.X在审
发明人：云峰;郭茂峰;苏喜林 -专利权人：陕西新光源科技有限责任公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片用键合衬底的制备方法，包括以下步骤：1)在起始键合衬底上制备牺牲层金属；2)对起始键合衬底上的牺牲层金属利用退火工艺进行表面改性处理，在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属；3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余牺牲层金属；4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。本发明提供的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，在起始键合衬底表面制备牺牲层金属结构，通过处理形成过渡层金属，起到降低起始键合衬底与外延片间的热膨胀系数差的作用。
一种 led 芯片用键合衬底制备方法

[发明专利]测量共晶键合对准偏差的测试结构-CN202010608838.4在审
发明人：王俊杰;徐爱斌 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量共晶键合对准偏差的测试结构，包括形成于第一硅晶圆的第一表面上的多个顶层硅条形以及形成于第二硅晶圆的第一表面上的第二键合材料块，在各顶层硅条形表面形成有第一键合材料层；各顶层硅条形作为共晶键合的对准偏差的刻度；第二键合材料块和第一测试衬垫连接；各顶层硅条形顶部的第一键合材料层都和对应的第二测试衬垫连接；进行对准偏差测量时，对第一和各第二测试衬垫的导通关系进行测量，导通时表示第二键合材料块和对应位置的顶层硅条形顶部的第一键合材料层键合，从而确定共晶键合的对准偏差。本发明能有效监控键合机台的对准精度。
测量共晶键合对准偏差测试结构

[发明专利]量子点复合物-CN202211172605.X在审
发明人：崔兮琼;郑然九;金成云 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：量子点复合物包括量子点和键合到量子点的表面的配体，其中，键合有配体的多个键合部设置在量子点的表面上，其中，键合部包括其中暴露阳离子的第一键合部、其中暴露阴离子的第二键合部以及其中阳离子和阴离子彼此键合并且被暴露的第三键合部，并且配体包括键合到第一键合部的第一配体、键合到第二键合部的第二配体以及键合到第三键合部的第三配体。
量子复合物

[发明专利]一种微流控芯片的热压键合方法-CN201711450477.X在审
发明人：冯昌喜;张文杰 -专利权人：北京百奥芯科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： B29C65/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种新的微流控芯片热压键合方法。所述方法在封闭空间中通过柔性膨胀体对所述芯片的基片和/或盖片的外表面施压，以使所述基片和盖片的键合表面键合。从而解决现有微流控芯片键合方法在热压键合过程中由于上下硬质压板施力表面不平行或者芯片本身翘曲或者堆叠厚度不均匀导致的芯片键合区域受力不均匀的问题，使芯片良品率大大提高。
微流控芯片热压键合芯片盖片键合芯片键合区域封闭空间厚度不均键合表面受力不均硬质压板不平行良品率膨胀体堆叠翘曲施力施压

[发明专利]一种低温晶片直接键合方法-CN200510086420.7无效
发明人：赵洪泉;于丽娟;黄永箴 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种利用低温键合技术将InP基材料键合到Si表面的方法。单面抛光的Si和InP晶片，在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后，再对InP和Si分别进行表面除杂质离子、除碳和表面清水性处理，之后进行预键合。再将经过预键合的晶片对置于一真空温控加热加压炉系统内，施加一适当温度和适当压力的热处理，以驱除键合界面的水气。之后对键合片进行减薄处理，再对晶片进行进一步不加压力的驱除界面残留气体的热处理，随后对键合片进行旨在提高界面键合能的更高温度热处理。最后对键合片进行去InP衬底腐蚀。
一种低温晶片直接方法

[发明专利]一种异质集成单晶钻石薄膜的制备方法-CN201910470048.1在审
发明人：欧欣;伊艾伦;武震宇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质集成单晶钻石薄膜的制备方法，至少包括：提供一钻石衬底，对钻石衬底上表面进行离子注入，在预设深度处形成缺陷层，并将缺陷层之上的钻石衬底设为衬底薄层；于衬底薄层表面生长同质外延钻石薄膜层；于钻石薄膜层表面形成第一键合介质层；提供一异质衬底，于异质衬底上表面形成第二键合介质层；将第一键合介质层与第二键合介质层进行键合，形成键合结构；沿缺陷层剥离键合结构，形成异质结构；对异质结构的剥离面进行表面处理本发明通过离子注入与键合工艺，将同质外延的单晶钻石薄膜集成于异质衬底上，得到大面积、高质量的钻石薄膜，为光子、量子传感器件应用提供一个先进的材料平台。
一种集成钻石薄膜制备方法

[发明专利]一种基于图形化工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT-CN202010627782.7在审
发明人：张文婷;安运来;查祎英;杨霏;夏经华;田丽欣;桑玲;罗松威;田亮;牛喜平;吴军民 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网浙江省电力有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种基于图形化工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N‑漂移层、N+缓冲层和P+集电层，并对选取的键合基片进行图形化处理；采用键合工艺对所述P+集电层和处理后的键合基片进行键合，之后去除SiC衬底，或先去除SiC衬底，之后采用键合工艺对所述P+集电层和处理后的键合基片进行键合；采用减薄工艺去除部分键合基片，在N‑漂移层表面形成栅极和发射极，并在P+集电层表面形成集电极，在键合前对的键合基片进行图形化处理，避免键合过程中出现键合界面会出现空洞以及应力问题，器件在流片的过程中容易被识别，同时增加了薄片的支撑能力，减少了碎片概率，提高了SiC IGBT的成品率，减小导通电阻，降低了生产成本。
一种基于图形化工制备 sic igbt 方法

[发明专利]基于金属粘接层的氧化镓与金刚石的晶片及其键合方法-CN202211600189.9在审
发明人：王康;李焕;齐彩霞;许丹;魏迎 -专利权人：咸阳职业技术学院
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种基于金属粘接层的氧化镓与金刚石的晶片及其键合方法，其键合方法包括以下步骤：对氧化镓和金刚石表面进行抛光；对抛光后的氧化镓键合面和金刚石键合面进行氩等离子体处理；在经氩等离子体处理后的氧化镓和金刚石表面分别溅射底层金属薄膜，之后再溅射键合层金属薄膜，底层和键合层金属薄膜为键合粘接层；对于沉积的金属纳米粘接层，先进行氧化镓和金刚石的第一次键合，之后再进行第二次键合本发明的键合方法工艺流程简单，对晶片表面粗糙度和键合环境要求也较低，即便是在室温大气环境下，仍可以获得非常高的键合强度，且对实验室要求较低。
基于金属粘接层氧化金刚石晶片及其方法

[发明专利]一种固相键合装置及一种固相键合方法-CN201811474585.5有效
发明人：王英辉;陈诚;陆阳婷 -专利权人：昆山微电子技术研究院
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种固相键合装置，包括相对设置的底座和凸块板，凸块板通过加压部件会向底座移动，底座朝向凸块板表面依次设置第一待键合样品以及第二待键合样品；凸块板朝向底座一侧表面为凸起的弧面。当凸块板弧面的顶点与第二待键合样品接触并施加压力时，凸块板会发生形变，从而造成第二待键合样品翘曲。但是由于凸块板朝向底座一侧表面为凸起的弧面，当凸块板的顶点与第二待键合样品接触时，在凸块板与第二待键合样品之间的接触点向边沿延伸的区域具有可以容纳第二待键合样品发生形变的空间，从而实现第二待键合样品与第一待键合样品之间相互完全键合本发明还提供了一种固相键合方法，同样具有上述有益效果。
一种固相键合装置方法

[发明专利]一种稀土钕或镱掺杂YAG激光晶体的键合方法-CN202210200175.1在审
发明人：林东晖;彭方;马孙明 -专利权人：林东晖
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土钕或镱掺杂YAG激光晶体的键合方法，包括：S1：提供稀土掺杂的YAG激光晶体；S2：提供另一键合晶体；S3：对稀土掺杂的YAG激光晶体表面和另一键合晶体表面进行清洁；S4：对稀土掺杂的YAG激光晶体表面进行湿法刻蚀，以使得稀土掺杂的YAG激光晶体表面形成多个凹陷；S5：对另一键合晶体表面进行湿法刻蚀，以使得另一键合晶体表面形成多个凸起；S6：将具有多个凹陷的稀土掺杂的YAG激光晶体表面与具有多个凸起的另一键合晶体表面贴合以形成层叠体；S7：对层叠体进行加压加热键合。
一种稀土掺杂 yag 激光晶体方法

[发明专利]一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法-CN202211098655.8有效
发明人：王伟豪;李顺斌;刘冠东;张汝云 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法，包括：基于提供的待键合的半导体晶圆衬底、n个芯粒以及预键合晶圆衬底，将待键合晶圆衬底上的对准标记的图形转移到预键合晶圆衬底；利用临时键合胶将n个芯粒按照对准标记依次贴合在预键合晶圆衬底上构成预键合晶圆；经CMP处理半导体晶圆衬底和芯粒表面后，将待键合半导体晶圆衬底与预键合晶圆对准后进行键合形成晶圆组；最后将晶圆组进行退火热处理，实现半导体晶圆衬底与芯粒的稳定键合，同时去除预键合晶圆衬底，完成多芯粒的晶圆级集成本发明实现多芯粒集成的一次性混合键合，避免D2W多次键合的铜表面氧化，提高多芯粒键合的质量和精度，提高键合良率及可靠性。
一种多芯粒晶圆级集成混合方法

[发明专利]一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法-CN202010584587.0有效
发明人：谌娟;郭庆吉 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法，通过在SiC功率芯片表面形成具有若干金属图形的金属层，使得键合后键合点与芯片表面铝金属化形成三维连接结构，提升芯片功率循环能力。金属图形为条状，金属层厚度小于或等于键合线直径，金属图形之间的间距大于键合线直径。本发明在不改变键合工艺的情况下提升了键合线功率循环能力，提高器件使用寿命。
一种提高 sic 功率芯片键合线循环能力方法

[发明专利]与活化表面键合的粘附层-CN201880087749.0在审
发明人： J·施瓦茨;K·林 -专利权人：普林斯顿大学理事会
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了一种用于涂覆对于无机醇盐非反应性或低反应性的表面以便修饰表面特性的方法。通过氧化或胺化将所述表面活化以在所述表面上产生反应性官能团，然后与无机醇盐进行化学反应以在所述表面上形成无机粘附层。此粘附层将所述表面转变为易于与膦酸反应或者可以转变为通过金属催化的偶联程序附接生物活性底物的表面，所述膦酸可以然后用于赋予所述表面疏水性或细胞粘附性特性。所述粘附层可以用于与其他有机物直接键合，所述其他有机物是与此类金属氧化物反应性的。还公开了涂覆表面和包含所述涂覆表面的构建体。
活化表面粘附