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[发明专利]等离子体桥式中和一体化的直流离子束光学抛光装置-CN201510344966.1有效
发明人：解旭辉;戴一帆;周林;鹿迎;李圣怡;徐明进 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体中和一体化的直流离子束光学抛光装置，包括离子源和等离子体中和器，所述抛光装置还包括固定安装于离子源上的盘状盖板，等离子体中和器安装在盘状盖板内端面上，等离子体中和器的喷口正对离子源的离子束的轴线本发明具有耦合充分、可获得具有高度稳定性的小束径离子束的优点。
等离子体中和一体化直流离子束光学抛光装置

[发明专利]解决常压敞开式激光质谱仪中待测等离子体寿命短的方法及质谱仪-CN201810220514.6在审
发明人：周云申;秦国双 -专利权人：常州英诺激光科技有限公司;江苏微纳激光应用技术研究院有限公司;英诺激光科技股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种解决常压敞开式激光质谱仪中待测等离子体寿命短的方法及质谱仪，属于分析仪器技术领域，该方案针对常压敞开式激光质谱仪待测样品于非真空环境离子化所形成的等离子体稳定性低、寿命短的缺点，利用激光对等离子体进行二次或多次辐照，进一步提高等离子体的电离度，提升等离子体中离子浓度，并延长等离子体寿命。
等离子体质谱仪敞开式激光常压等离子体稳定性非真空环境待测样品分析仪器准确度辐照电离度离子化信噪比离子检测

[发明专利]新型超薄等离子体聚合阴离子交换膜的制备方法-CN201110053180.6无效
发明人：蒋仲庆;孟月东;蒋仲杰 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型超薄等离子体聚合阴离子交换膜的制备方法，以电极为等离子体聚合阴离子交换膜沉积基片，放入等离子体放电区，对其表面进行等离子体修饰一定时间后，再以氢气为载气通入等离子体聚合反应单体，在一定的条件下进行射频等离子体聚合成膜反应，获得超薄等离子体聚合膜，再对等离子体聚合膜进行季铵化处理，最后获得超薄等离子体聚合阴离子交换膜。本发明方法制得的阴离子交换膜具有良好电导率，高的阻醇性能和良好化学稳定性，提高了膜在燃料电池应用中的寿命和使用时间，降低了燃料电池的生产成本。
新型超薄等离子体聚合阴离子交换制备方法

[实用新型]一种等离子体结构、炉头组件及电火灶-CN202123092868.3有效
发明人：傅占杰;段辰辉 -专利权人：深圳国爱全电化智慧科技有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H05H1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体结构、炉头组件及电火灶。所述的等离子体结构包括：等离子体喷嘴，用于生成等离子体射流，等离子体喷嘴至少包括一个电极及放电室，放电室具有处理气体的进入开口和用于喷出等离子体射流的喷嘴开口；连接杆，所述连接杆的一端与等离子体喷嘴活动连接本申请提供的等离子体结构，结构简单，能有效降低等离子体喷嘴的热量向各部件传递，使用本申请的等离子体结构制作的炉头组件及电火灶，结构简单，导热性能优良，能够避免高温等离子体射流的热干扰，并整体提升热稳定性以及运行的可靠性
一种等离子体结构组件电火灶

[发明专利]基板处理装置和方法-CN202010638699.X在审
发明人：李城吉;吴世勳;吴东燮;李知桓;金东勳;朴玩哉 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用等离子体处理基板的装置和方法，所述装置和方法具有提升的等离子体稳定性和工艺重复性。基板处理方法包括：提供基板处理装置，基板处理装置包括等离子体生成区域和与等离子体生成区域分隔开的处理区域；在处理区域内布置包括硅层和氧化物层的基板；在不经过等离子体生成区域的情况下，向处理区域提供氢基气体，从而在处理区域中形成氢气氛；通过向等离子体生成区域提供氟基气体来生成等离子体；以及将所生成的等离子体提供到处理区域，以相对于氧化物层选择性地去除硅层。
处理装置方法

[发明专利]一种利用高频等离子体处理固体有机废弃物的方法-CN200410026856.2无效
发明人：黄海涛;唐兰 -专利权人：中国科学院广州能源研究所
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： F23G5/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用高频等离子体处理固体有机废弃物的方法，其特征是包括了由双级等离子体区构成的喷动床。该方法步骤包括在低压条件下产生第一等离子体区和第二等离子体区，由第一等离子体区和第二等离子体区构成一种喷动床，主要采用水蒸气为等离子体工作气体，并且将固体物料供给第二等离子体区。该发明克服了现有技术的局限性，具有良好的运行稳定性和连续性，能够处理大颗粒和块状固体物料，并且能够高效率地获得有价值的合成气。
一种利用高频等离子体处理固体有机废弃物方法

[发明专利]一种改善等离子体启辉及稳定性的方法及装置-CN201811578691.8在审
发明人：李雪冬;刘小波;胡冬冬;车东晨;李娜;徐康宁;陈璐;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开一种改善等离子体启辉及稳定性的方法及应用该方法的装置，所述方法用于将气体稳定激发为等离子体，设置电感耦合线圈外圈到反应腔室的接地端的距离小于电感耦合线圈内圈到接地端的距离；调节与电感耦合线圈串联的电容值这种电感耦合线圈外圈和内圈间的电压差不仅有利于等离子体启辉，扩大工艺窗口；还有利于维持工艺过程中等离子体的稳定性，提高工艺重复性。
电感耦合线圈等离子体启辉内圈接地等离子体工艺重复性中等离子体反应腔室工艺窗口工艺过程晶圆表面电压差高电压电容沉积刻蚀串联激发应用

[发明专利]等离子体激励控制三维激波/附面层干扰角区分离的装置-CN201910495275.X有效
发明人：吴云;唐孟潇;郭善广;张志波;梁华;金迪;贾敏;宋慧敏 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G01M9/00 文献下载
摘要：提供一种等离子体激励控制三维激波/附面层干扰角区分离电路系统，包括进气道简化模型(3)，激波发生器(4)，等离子体合成射流激励器(1)，脉冲电弧放电等离子体激励器(2)，脉冲电源(5)，圆柱形垂直通孔(还提供一种相应的等离子体激励控制三维激波/附面层干扰角区分离的方法。本发明通过等离子体激励有效调控角区分离的尺度，进而控制主流分离泡的大小，从而改善进气道工作的稳定性。
等离子体激励控制三维激波附面层干扰区分装置

[发明专利]等离子体激励下的旋流燃烧器稳定性直接控制方法与设备-CN201910040680.2有效
发明人：李水清;武虎;崔巍;任翊华;孙锦国 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： F23D14/70 文献下载
摘要：本申请涉及等离子体激励下的旋流燃烧器稳定性直接控制方法、设备、装置、计算机设备和存储介质，包括第一气路、第二气路、燃烧器装置和放电装置，所述燃烧器装置分别与所述第一气路、第二气路和放电装置电连接；所述放电装置包括微秒脉冲等离子体电源和信号发生器；所述燃烧器装置依次通过微秒脉冲等离子体电源和信号发生器与所述第二气路电连接。采用本设备及控制方法能够实现基于对基于等离子体激励下的旋流燃烧器低频扰动燃烧稳定性的直接控制。
等离子体激励燃烧稳定性直接控制方法设备

[发明专利]调控等离子体反应腔室环境的方法-CN201310752645.6在审
发明人：罗巍;符雅丽;陈永远 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控等离子体反应腔室环境的方法，包括：在晶圆进入等离子体反应腔室前，在等离子体反应腔室的内壁和位于等离子体反应腔室内部的基片台的表面制备富碳材料涂层；在晶圆在等离子体反应腔室中完成等离子体加工处理并离开等离子体反应腔室后，向等离子体反应腔室中通入第一清洗气体，去除等离子体加工处理过程中吸附在富碳材料涂层表面的反应产物；向等离子体反应腔室中通入第二清洗气体，去除等离子体反应腔室的内壁和基片台表面的富碳材料涂层，使等离子体反应腔室恢复到清洁状态上述方法在维持了较好的工艺稳定性的同时，能够延长平均清洗时间间隔和零部件的使用寿命。
调控等离子体反应环境方法

[发明专利]等离子体处理装置及其稳定性优化的方法-CN201911202122.8在审
发明人：涂乐义;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体处理装置及其稳定性优化的方法，在等离子体处理装置的安装基板与气体喷淋头之间形成导电接触层，通过所述导电接触层在气体喷淋头到安装基板之间实现直流连接；所述导电接触层可以承受非常高的射频加载，不存在射频加热变性问题；通过控制导电接触层的阻值，使所述气体喷淋头到安装基板之间的阻值在特定温度下极其稳定；本发明有效地提升了等离子体处理装置中射频回路、直流回路的稳定性。
等离子体处理装置及其稳定性优化方法

[发明专利]一种基于等离子体位置信息的LIBS光谱校正方法-CN201610819393.8有效
发明人：孙兰香;张鹏;齐立峰;于海斌;曾鹏 -专利权人：中国科学院沈阳自动化研究所
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G01N21/71 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于等离子体位置信息的LIBS光谱稳定方法，具体步骤为：1)获得不同样品位置下的LIBS光谱信号和对应的等离子体图像信号；2)从等离子体图像信息中提取等离子体位置信息；3)通过拟合方法建立LIBS光谱谱段区域和值与对应等离子体位置的关系函数；通过拟合方法建立LIBS光谱特定谱线强度与对应等离子体位置的关系函数；4)使用3)中得到的关系函数建立综合的校正函数；5)使用校正函数对位置未知的LIBS以本方法进行校正后的特征谱线，具有更高的稳定性，为定量(定性)分析提供更可靠的谱线信息。
一种基于等离子体位置信息 libs 光谱校正方法

[发明专利]用于等离子体处理设备的前馈温度控制-CN201080062730.4有效
发明人：科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米;沃特·R·梅丽;瑟乔伊·弗库达·秀吉;张春雷;亚莎斯维尼·帕特;达·D·源;蒂娜·琼;沙恩·C·尼维尔;道格拉斯·A·小布什伯格;费纳多·M·斯李维亚;巴德·L·梅斯;卡尔蒂克·拉马斯瓦米;汉密第·诺巴卡施 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。
用于等离子体处理设备温度控制

[发明专利]一种微波等离子体炬原子发射光谱仪-CN201510514458.3有效
发明人：刘文龙;温旭杰;徐晨;董亮 -专利权人：浙江全世科技有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： G01N21/62 文献下载
摘要：本发明提出了一种微波等离子体炬原子发射光谱仪，微波等离子体炬原子发射光谱仪的微波源系统可产生大功率且连续稳定的微波，功率在0‑1500W范围内可调，微波输出稳定性高，将大功率的微波耦合到匹配的大功率微波等离子体炬光源系统中，激发等离子体的能力更强，等离子体不易被溶剂破坏，可将样品溶液直接雾化进样，从而省去加热去溶装置，极大地简化仪器进样系统，提高了仪器的可靠性，产生的等离子体光源在分光检测系统中更利于捕获检测，生成的光谱分析数据用于元素分析时效果更好
一种微波等离子体原子发射光谱仪

[实用新型]一种等离子体辅助氨直接还原冶炼装置-CN202221825239.9有效
发明人：王志伟;陈龙威;刘成周;林启富 -专利权人：合肥综合性国家科学中心能源研究院（安徽省能源实验室）
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C21B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体辅助氨直接还原冶炼装置，该装置包括高频点火器系统、微波等离子体炬系统、第一级进料系统、第二级进料系统、氨气进料系统、样品支撑系统和尾气处理系统。高频点火器系统包括高频点火电源、高频点火等离子体装置，其设置有第一级进料系统，用于产生滑动弧等离子体；微波等离子体炬系统设置有第二级进料系统，用于产生微波等离子体；氨气进料系统将氨气送入微波等离子体反应器本实用新型利用低温等离子体引燃技术、微波产生及传输技术，实现高效耦合、稳定的微波等离子体装置，结构清晰、布局合理，操作方便，具有较好的稳定性，可实时观察矿石冶炼情况。
一种等离子体辅助直接还原冶炼装置