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[发明专利]等离子体损害保护电路-CN200510076165.8有效
发明人：黄俊仁;史毅骏;周铭宏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-06-08 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种等离子体损害保护电路，包括具有避免等离子体损害特性的一字线驱动器。当制造中等离子体处理于字在线产生电荷时，电荷可由字线通过至少字线驱动器传导至半导体衬底。另一等离子体损害保护电路包括连接多个字线驱动器的一组件。当制造中等离子体处理于字在线产生电荷时，电荷可由字线通过至少该组件传导至半导体衬底。因此，这些等离子体损害保护电路既可保护集成电路避免遭受等离子体工艺的损害又可节省集成电路的使用空间。
等离子体损害保护电路

[发明专利]清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体-CN201811107929.9有效
发明人：赖诚忠;陈舜钦;陈世芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在一些实施例中，清洁沉积反应腔室的方法包括：进行等离子体辅助清洁工艺，以清洁在沉积反应腔室的内表面所形成的管道沉积物，其中等离子体辅助清洁工艺包括：将第一反应气体提供到远端等离子体源以产生等离子体，其中等离子体包括含氟自由基；将等离子体从远端等离子体源提供到沉积反应腔室，以清洁管道沉积物；以及在进行等离子体辅助清洁工艺后，通过将第二反应气体提供到沉积反应腔室，以进行化学清洁工艺。
清洁方法系统非暂态电脑读取媒体

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200480014926.0无效
发明人：野泽俊久;石桥清隆;中西敏雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和在该等离子体处理室内产生等离子体的等离子体发生机构，其中等离子体发生机构使用可供给间断的能量的装置
等离子体处理装置方法

[发明专利]计算佳拉洁雅磁阱中等离子体分界面压强的系统和方法-CN201710299326.2有效
发明人：佟为明;金显吉;李中伟;林景波;李凤阁;陶宝泉;赵志衡 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明提供一种计算佳拉洁雅磁阱中等离子体分界面压强的系统和方法。该系统和方法根据发明人建立的佳拉洁雅磁阱中等离子体的总抗磁电流与等离子体分界面压强的数学模型，利用计算获得的佳拉洁雅磁阱磁场的磁感应强度和测量获得的等离子体抗磁电流等参数，就可以依据相应的数学模型计算出佳拉洁雅磁阱中等离子体分界面处的压强本发明只需要通过测量佳拉洁雅磁阱的总抗磁电流，充分考虑在约束线圈周围区域等离子体的接触损失对等离子体总抗磁电流的影响，就可实现对佳拉洁雅磁阱等离子体分界面处压强的精确计算。
计算佳拉洁雅磁阱中等离子体界面压强系统方法

[发明专利]衬底处理装置中的等离子体-CN202010564372.2在审
发明人： N·霍尔姆;铃木俊哉 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及衬底处理装置中的等离子体。衬底处理装置(100)及相关方法，其中等离子体物质经由等离子体进料线(115)而被引入到针对沉积目标(160)的反应室(130)中。等离子体进料线(115)经过等离子体形成区。在等离子体进料线内的等离子体物质的速度通过等离子体形成区下游的收缩部(112)而加速。
衬底处理装置中的等离子体

[发明专利]用于生成等离子体的方法和装置-CN202080087540.1在审
发明人： S.高特 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种等离子体反应器，包括：处理室；等离子体天线组件，被配置为在处理室中生成等离子体；以及一个或多个磁体，被配置为将等离子体限制在处理室中远离等离子体天线组件的位置；其中等离子体天线组件包括：射频(RF)天线，被布置为由电流驱动，从而在等离子体生成区域中生成等离子体；壳体，被布置为将天线与在等离子体生成区域中生成的等离子体分离；以及铁磁或亚铁磁聚焦构件，被布置为部分地围绕天线的长度。
用于生成等离子体方法装置

[发明专利]低温水中等离子体发生装置-CN201680026118.9在审
发明人：金正镒;全容九 -专利权人：金正镒
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： C02F1/46 文献下载
摘要：本发明涉及低温水中等离子体发生装置。本发明的等离子体发生装置包括管状的第一电极，被配置在所述第一电极的内部，且在被引入到所述第一电极的水中形成气泡的第二电极，和被形成在所述第一电极和第二电极之间的绝缘体，以及用于通过该装置的水中电场的形成来产生低温水中等离子的供电装置根据本发明，具有以下效果实现了产生低温等离子体对污水进行灭菌强化的管状低温等离子体发生装置。
低温水中等离子体发生装置

[发明专利]等离子体观测系统和等离子体观测方法-CN202110054765.3在审
发明人：山崎良二;宫下大幸;佐藤幹夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法，用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有：等离子体处理装置，在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理；以及测定装置，其测定所述等离子体，其中，所述等离子体处理装置具有多个观测窗，所述多个观测窗能够观测所述处理容器中等离子体的发光状态，所述测定装置具有：受光器，其从多个观测窗接受在所述处理容器内交叉的多个光；以及控制部，其基于接受到的多个光来进行等离子体的观测地点的确定和所述观测地点的等离子体的状态判定。
等离子体观测系统方法

[发明专利]洗碗机及其液相等离子体杀菌系统、控制方法和控制装置-CN202310081844.2在审
发明人：胡逢亮;张秋俊;巨姗;莫维广;胡紫嫣;李春莹 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： A47L15/00 文献下载
摘要：本发明涉及洗碗机及其液相等离子体杀菌系统、控制方法和控制装置，液相等离子体杀菌系统包括等离子体发生装置，等离子体发生装置包括储液室和等离子体发生单元，等离子体发生单元电解产生的等离子体能够溶解于储液室的液体中以制备等离子体溶液，等离子体发生单元包括适于与供电电源的火线连接的放电电极，方法包括：控制等离子体发生装置启动；获取储液室中等离子体溶液的实时PH值；基于实时PH值与预设目标PH值的关系，实时调整所述供电电源的电压幅值以控制所述等离子体溶液的溶度本发明实现了根据等离子体溶液当前的浓度来调节等离子体溶于液体的速度，可以维持等离子体溶液浓度的恒定，从而保证杀菌性能的稳定性，保证杀菌效果。
洗碗机及其相等离子杀菌系统控制方法装置

[发明专利]热等离子体和非热等离子体活化水反应器系统-CN201580067926.5有效
发明人： A·J·M·裴姆恩;W·F·L·M·赫本;P·P·范欧亦吉;P·H·M·伦德斯 -专利权人：维泰弗德有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本发明提供了一种热等离子体和非热等离子体活化水反应器系统，该系统包含反应室和等离子体活化水储库，其中反应室包含气体进口、水进口、气体和水出口、接地电极和反应电极，其中水进口和水出口设置成当水流过反应室时在反应室中产生水涡流，反应电极包含热等离子体电极和非热等离子体电极，其中等离子体活化水储库设置成从反应室接收等离子体活化水，并设置成将等离子体活化水返回到反应室。
等离子体活化反应器系统

[发明专利]用于电子制造系统的腔室的远程等离子体清洁-CN202180024130.7在审
发明人：郭渊泓;郭晟;马雷克·拉德科;史蒂芬·桑索尼;袁小雄;潘思瑛;村山祐二;勾平平;徐松文 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种清洁用于电子制造系统的腔室的方法包括使包含氧气和载气的气体混合物流入远程等离子体产生器中。方法进一步包括通过远程等离子体产生器由气体混合物产生等离子体并且通过使等离子体流入腔室的内部体积中来执行腔室的远程等离子体清洁，其中等离子体从腔室移除复数种有机污染物。
用于电子制造系统远程等离子体清洁

[发明专利]监测蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法和装置-CN200680016778.5无效
发明人：陈英欣;杰弗里·W·纽纳;小弗朗克·迪梅奥;陈世辉;詹姆斯·韦尔奇;杰弗里·F·罗德 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2006-03-15 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种气体传感器和气体感测的方法，例如使用下游传感器元件来测定使用含卤素的等离子体和/或者含氧的等离子体的半导体蚀刻设备中的等离子体状态(如等离子体蚀刻终点)。这样的传感器元件能指示在由等离子体产生的高能气体物质如氟、氯、碘、溴、氧及其衍生物或者自由基存在的温度变化，并且相应地产生一个指示这样的温度变化的输出信号用于测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体的状态。
监测蚀刻等离子体加工设备状态方法装置

[发明专利]一种可一次性快速通过的集中消毒杀菌气隙结构-CN202110092484.7在审
发明人：顾凯里 -专利权人：上海朗日智能科技有限公司
申请日： 2021-01-24 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： F24F8/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种可一次性快速通过的集中消毒杀菌气隙结构，其特征在于，其包括：前置等离子体空气消毒机组在廊道中形成前置等离子体风幕墙；后置等离子体空气消毒机组在廊道中形成后置等离子体风幕墙；所述前置等离子体风幕墙和后置等离子体风幕墙在廊道中形成风幕墙中间带本发明中前置等离子体风幕墙和后置等离子体空气消毒机组在廊道内形成风幕墙中间带，相较于弥散性消毒杀菌，能够集中消毒杀菌，结合集中等离子体空气消毒机组使用效果更优。
一种一次性快速通过集中消毒杀菌结构

[发明专利]一种等离子体活化水制备装置和方法-CN202310882152.8在审
发明人：刘东平;刘国强 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C02F1/46 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体活化水制备装置和方法，涉及等离子体活化水制备领域，解决了现有技术中等离子体活化水制备装置对等离子体能量利用率低以及制备活化水效率较低的技术问题。本发明的等离子体活化水制备装置，包括待处理液体储存器、等离子体放电装置组件、冷水机。等离子放电装置组件用于在待处理液体表面产生等离子体，等离子体与水面直接接触、作用面积大，该装置通过实现在水的表面直接产生等离子体，可提高等离子体的能量利用率和气液传质效率，从而大大提高等离子体活化水的制备效率；而且由于等离子体直接处理，短寿命的氧和氮活性物种充分溶解到水中，提高了等离子体活化水的活性。
一种等离子体活化制备装置方法

[发明专利]用于最小化等离子体处理室内的电弧的装置和方法-CN03810377.X有效
发明人：阿瑟·M·霍瓦尔德;安德拉斯·库蒂;安德鲁三世·D·贝利;布彻·伯尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2003-05-01 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于处理基片以在其上形成电子元件的等离子体处理室。该等离子体处理室包括具有在基片处理过程中面向等离子体处理室内的等离子体的面向等离子体的表面的面向等离子体元件。该面向等离子体元件与接地端子电绝缘。该等离子体处理室还包括连接到面向等离子体元件的接地装置，该接地装置包括设置在面向等离子体元件和接地端子之间的第一电流通路内的第一电阻电路。该接地装置还包括设置在面向等离子体元件和接地端子之间的至少其它一个电流通路内的RF滤波器装置，其中，选择第一电阻电路的阻抗值，以基本上消除在基片处理过程中等离子体和面向等离子体元件之间的电弧。
用于最小化等离子体处理室内电弧装置方法

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