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[发明专利]一种用于托卡马克中等离子体辐射演化的模拟方法-CN202210517164.6在审
发明人：王正汹;姜帅;刘桐;汤炜康;魏来 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于托卡马克中等离子体辐射演化的模拟方法，属于磁约束受控核聚变技术领域。首先计算韧致辐射、电子回旋辐射及杂质辐射，同时追踪磁岛，将辐射精准地加在磁岛内部，并采用谱方法将其耦合到流体方程组中；然后计算在等离子体辐射修正下的磁场位形，并继续计算等离子体辐射及相关参数的演化，如此反复计算本发明既实现了对磁岛的实时追踪，又实现了等离子体辐射在真实三维磁场位形下演化，进而得到任意时刻的等离子体相关参数剖面，同时更加准确地描述辐射的空间分布情况，得到磁岛宽度及磁流体不稳定性的情况。本发明实现了对辐射的实验结果进行预测与验证，计算效率高且数值稳定性强。
一种用于马克等离子体辐射演化模拟方法

[发明专利]一种用于放电等离子体极紫外光刻光源的介质及其应用系统-CN201210026159.1无效
发明人：赵永蓬;徐强;王骐 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01J17/20 文献下载
摘要：一种用于放电等离子体极紫外光刻光源的介质及其应用系统，它涉及放电等离子体光源的介质及其应用系统。本发明要解决现有放电等离子体EUV光源采用Xe介质导致其辐射光功率过低和稳定性差以及现有放电等离子体EUV光源系统不能调控不同气体流量的问题。本发明将13.5nm辐射光输出功率提高2％，同时提高了气体击穿性能和辐射光输出功率稳定性。本发明用于放电等离子体极紫外光刻光源。
一种用于放电等离子体紫外光刻光源介质及其应用系统

[发明专利]一种等离子体共聚合制备高性能阴离子交换膜的方法-CN201110313559.6无效
发明人：张呈旭;胡觉;孟月东;王祥科 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体共聚合制备高性能阴离子交换膜的方法，利用等离子体放电把气体、气态功能性单体等离子体化，产生各类活性物种，活性物种之间或活性物种与单体之间进行加成、聚合、季铵化反应，沉积形成阴离子交换膜本发明可将阴离子交换膜直接沉积在电极催化剂层上，避免后续季铵化过程对电极催化剂的毒化作用，还能简化阴离子交换膜的制备工艺；制得的阴离子交换膜具有较好的热稳定性、化学稳定性，较高的离子电导率，适用于聚合物电解质燃料电池
一种等离子体聚合制备性能阴离子交换方法

[发明专利]一种阵列针-板式液相等离子体射流发生装置-CN201610187953.2有效
发明人：洪义;彭一峰;潘静;刘东平;张敬 -专利权人：大连民族大学
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：一种阵列针‑板式液相等离子体射流发生装置主要包括有金属板、介质体、通气机构、绝缘介质管和导电金属管。本发明采用在液相中的介质阻挡放电技术，在液体中产生均匀的低温等离子体射流，放电温度低，均匀性好；与传统液相等离子体放电装置相比，此装置结构更为精妙，更为简单，产生的等离子体活性物质浓度更高；装置安装便捷，放电要求低，稳定性好，能耗少，效率高。
液相等离子体射流发生装置板式阵列针等离子体活性低温等离子体介质阻挡放电导电金属管绝缘介质管放电要求放电装置均匀性好通气机构装置安装装置结构介质体金属板放电射流能耗

[发明专利]一种高稳定性三元正极材料的制备方法、三元正极材料及锂离子电池-CN202210338989.1有效
发明人：陈敏;邓多;刘双祎;唐泽勋;商士波;尹烨;吴斌 -专利权人：湖南桑瑞新材料有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开一种高稳定性三元正极材料的制备方法、三元正极材料及锂离子电池；制备方法为：将三元正极材料放入等离子体发生器内，然后将等离子体发生器腔体抽真空，然后通入氟化硼干燥气体，将容器中的三元正极材料吹至悬浮状态，同时开启等离子体发生器产生等离子体轰击三元正极材料；轰击一段时间停止通气并将气体抽出，静置后得高稳定三元正极材料；正极材料采用所述制备方法制得；锂离子电池包括通过所述制备方法得到的所述高稳定性三元正极材料；本发明的材料不被电解液中的HF腐蚀，减少容量衰减，提高材料的循环性能，同时可形成均匀的LiBO2包覆层，增强其界面的离子电导率。
一种稳定性三元正极材料制备方法锂离子电池

[发明专利]等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统-CN201611253676.7有效
发明人：赵馗;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统，用以改善射频功率输出的稳定性。其中的等离子体刻蚀方法，包括多个工作周期，每一周期包括两个阶段：第一阶段，施加并保持偏置功率(P)与射频功率(P1)；第二阶段，设置偏置功率为零，同时调高射频功率(P2)；在所述周期内，射频功率的频率保持不变更优的实施方式是，在所述周期内保持等离子体阻抗稳定。
等离子体刻蚀方法装置及其射频系统

[发明专利]用于高气体流速处理的环形等离子体室-CN200780101172.6有效
发明人： X·陈;A·考韦 -专利权人： MKS仪器股份有限公司
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于激活工艺气体的等离子体室，包括：形成环形等离子体通道的至少四段，每一段具有一横截面积；以及在一段上形成的出口，该出口的横截面积大于其它段的横截面积。该等离子体室还包括：用于接收工艺气体的入口；以及压力通风室，用于在与出口相对的段的宽阔区域上引入工艺气体，以降低局部高等离子体阻抗和气流不稳定性，其中与出口相对的段限定多个孔以在等离子体通道中提供螺旋状气旋
用于气体流速处理环形等离子体

[实用新型]低温等离子-生物法组合废气处理系统-CN201520538007.9有效
发明人：吴俊斌;邱才娣 -专利权人：厦门佰欧科技工程有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： B01D53/84 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低温等离子-生物法组合废气处理系统，包括风机、注入式低温等离子反应装置、生物处理装置、电控系统；所述的风机通过废气管道连接生物处理装置，注入式低温等离子反应装置旁接在废气管道上。由于本系统采用注入式低温等离子，废气不参与低温等离子体生成过程，不会污染放电模组，也不会对放电稳定性产生影响，使生成氧等离子体的过程更为稳定可控。
低温等离子生物组合废气处理系统

[实用新型]一种等离子体发生器-CN201621483373.X有效
发明人：徐剑光;郑检生 -专利权人：宁波欧琳厨具有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子体技术领域，尤其涉及一种等离子体发生器。本实用新型提供了一种等离子体发生器，包括内部为中空且具有两个敞口的等离子体绝缘管及设于其外表面的金属层，等离子体绝缘管的进口端与气泵连接；等离子体绝缘管内设置螺旋叶片式导电体，螺旋叶片式导电体从其出口端引出并与金属层之间连接电压可调的高频高压电源本申请通过设有螺旋叶片式导电体，使得泵入的空气在等离子体绝缘管内沿螺旋叶片表面旋转前进，延长了空气在等离子体绝缘管中的滞留时间，一方面提高了等离子体数量，另一方面提高了等离子体与泵入气体的混合密度的均匀性，等离子放电性能稳定性好，提高了杀菌、降解的效果；且电压上升时间短，利于加速臭氧的降解。
一种等离子体发生器

[发明专利]一种热等离子体弧焰发生器-CN201010191204.X无效
发明人：朱华;马再敏;袁洁 -专利权人：成都阳流科技发展有限公司
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H05H1/32 文献下载
摘要：本发明属于高频感应热等离子体技术领域，针对目前高频感应热等离子体发生装置存在的点火困难、工作稳定性差、维弧功率大、效率低等问题，本发明提供了一种热等离子体弧焰发生器。本发明包括层流电弧热等离子体产生器[1]和高频感应热等离子体发生器[2]，其特征在于沿高频感应热等离子体发生器[2]中心轴线[5]方向射入层流电弧热等离子体射流[3]，起高频感应热等离子体焰流[4]的电弧引导层流电弧热等离子体射流[3]具有射流长度长，流场参数波动小，几乎不卷吸环境气体，高温区长度长，温度等参数的轴向梯度小等优点。采用本发明的技术方案，可以解决高频感应热等离子体发生装置点火困难，容易断弧的问题，降低高频感应热等离子体发生装置的工作频率和减少维弧功率，并通过感应增强作用提高效率，便于开发更大功率高频感应热等离子体发生装置
一种等离子体发生器

[发明专利]等离子体炬阴极及其制备方法-CN202110311276.1在审
发明人：王俊明;朱晓军;房金刚;孙李平;吴堃 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B22F7/06 文献下载
摘要：本公开涉及等离子体炬技术领域，尤其涉及一种等离子体炬阴极及其制备方法。其中等离子体炬阴极的制备方法包括采用热等静压的方式将陶瓷管固定在阴极芯的表面；采用放电等离子烧结的方式将铜基座固定在所述陶瓷管的表面。在铜基座与阴极芯之间设置陶瓷管，陶瓷管起到隔离的作用，能够阻止铜基座对阴极芯的干扰，提高阴极芯材料的利用率，继而提高等离子体炬在运行过程中的稳定性和寿命。
等离子体阴极及其制备方法

[发明专利]微波等离子体处理装置-CN200580034145.2无效
发明人：田才忠;野泽俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-10-06 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种微波等离子体处理装置，能够根据处理条件等的变化，容易地确保等离子体的均匀性和稳定性。是一种利用微波在所述腔室内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对被处理体进行等离子体处理的微波等离子体处理装置(100)，在由覆盖微波透过板(28)的外周的导电体构成的板(27)上，形成两个以上的孔(
微波等离子体处理装置

[发明专利]激光泵浦等离子体光源和等离子体点燃方法-CN202180018909.8在审
发明人： D·B·阿布拉门科;R·R·盖亚索夫;V·M·克里夫森;A·A·拉什;Y·B·基里尤金;D·A·格卢什科夫 -专利权人： RND-ISAN有限公司;伊斯泰克私人有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01J65/04 文献下载
摘要：光源包含充气腔室，该充气腔室具有由CW激光的聚焦光束维持的辐射等离子体区域。等离子体点燃装置是脉冲激光系统，所述系统生成聚焦在腔室内的第一和第二激光束。所述第一激光束提供光学击穿，在光学击穿之后，所述第二激光束点燃等离子体，其体积和密度足以在第二激光脉冲结束后通过CW激光维持稳定的等离子体。所述技术结果包括确保点燃等离子体的高可靠性，在此基础上创建具有高空间和功率稳定性的无电极高亮度宽带光源，并且提供在大于9sr的空间角度内收集宽带等离子体辐射的能力。
激光等离子体光源点燃方法

[发明专利]一种基于光束整形改善激光诱导击穿光谱可重复性的方法-CN202110436720.2有效
发明人：王哲;顾炜伦;侯宗余 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01N21/71 文献下载
摘要：该方法包含如下步骤：由激光器产生脉冲激光；由光束整形器将光束能量密度分布变为中心稍低、外围稍高的凹形；凹形光束聚焦烧蚀样品表面物质，产生等离子体；采集等离子体放射光，得到激光诱导击穿光谱。该方法与激光诱导击穿光谱领域的常规光束整形方法的主要区别在于，结合关于光谱信号不确定性来源以及等离子体空间演化过程的研究成果，针对性地设计了凹形光束形貌，以减小等离子体中心处的温度和电子密度，显著提高等离子体的空间稳定性
一种基于光束整形改善激光诱导击穿光谱重复性方法

[发明专利]一种诊断双射流直流电弧等离子体放电稳定性的方法-CN201410169270.5有效
发明人：李和平;李鹏;郭恒;葛楠;包成玉 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G01N27/66 文献下载
摘要：一种诊断双射流直流电弧等离子体放电稳定性的方法，属于热等离子体放电稳定性判断技术领域。图像转化为灰度图像后用二值化分割方法得到灰度边界，再以图像左下角为坐标原点起始点，利用8方向Freeman链码编码规则，从起始点出发，沿顺时针方向移动，以便得到由起始点坐标和一组有方向的链码序列所唯一确定的近似于电弧等离子体二维等温线的等灰度线根据周长、面积和相关系数三个特征量，结合放电电压判断放电等离子体稳定性，操作方便，安全性高，实时性好。
一种诊断射流直流电弧等离子体放电稳定性方法