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[发明专利]一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备-CN201911283373.3有效
发明人： 涂乐义;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备，其中晶圆固定装置可以包括承载晶圆的静电吸盘，以及承载静电吸盘的基座，以及承载基座和静电吸盘的设备板，基座和设备板均为金属材质，设备板和基座可以直接接触，设备板和基座之间也可以填充有柔性导电层，柔性导电层可以提高基座和设备板之间的电接触，增大设备板和基座之间的电容，这样设备板和基座之间可以较大且更稳定的电容，利于设备板和基座之间的射频信号的通过，相应减少其他路径中的射频信号的通过，减少射频信号的功率损失。
一种固定装置及其形成方法等离子体处理设备

[发明专利]一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置-CN201911415943.X有效
发明人：徐朝阳;廉晓芳;江家玮;范光伟;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置，其中等离子体约束结构可以包括接地环和在接地环上设置的约束环，接地环和与约束环之间形成有绝缘层，接地环中形成有多个第一通道，约束环中形成有多个第二通道，第一通道和第二通道连通，第一通道和第二通道不在同一条直线上，在约束环上形成有等离子体时，等离子体可以通过第二通道进入约束环，通过约束环可以对其上的等离子体进行约束，由于第一通道和第二通道不在同一条直线上，第一通道和第二通道作为等离子体通道时，其通道的长度有所增大，等离子体与第一通道和第二通道的侧壁接触的可能性也较高，因此提高了对等离子体的约束能力。
一种等离子体约束结构及其制造方法处理装置

[发明专利]一种等离子体处理装置-CN201911200020.2有效
发明人： 涂乐义;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置，在聚焦环与基座之间相对面积、相对距离及本身材质固定的情况下，通过在聚焦环与基座之间设置导电材料插入环，来提高聚焦环与基座之间的电容而达到提高聚焦环上电压的目的；通过第一电容调节层实现聚焦环与导电材料插入环之间电容调节，或通过第一电容调节层实现导电材料插入环与基座之间电容调节，最终来调节聚焦环与基座之间电容而达到调节聚焦环上电压的目的。进而，通过提高聚集环上电压，同时通过优化第一电容调节层对电容的调节幅度实现对聚焦环上电压调节的能力，调控半导体基片与聚焦环之间的电场分布达到提高电场分布均一性的效果，保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。
一种等离子体处理装置

[发明专利]一种具有柔性电介质薄片的等离子体处理装置-CN201910837528.7有效
发明人：王伟娜;涂乐义;梁洁;雷仲礼;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有柔性电介质薄片的等离子体处理装置。柔性电介质薄片的上部与接地环结构导电连接，下部与围成反应腔的腔体外壁导电连接；接地环结构环绕在等离子体处理装置的基座外围，并可随基座一起在反应腔的腔体内上下移动或定位在设定的高度；柔性电介质薄片的最短长度，与接地环结构到腔体之间的最远距离相匹配。本发明的柔性电介质薄片通过优化，有良好的射频电流通过能力，安装方便，使用寿命长，且不产生金属污染。
一种具有柔性电介质薄片等离子体处理装置

[发明专利]用于等离子体处理设备的射频功率源装置和射频功率分配方法-CN201911302112.1有效
发明人：赵军;涂乐义;王兆祥 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理设备的射频功率源装置和射频功率分配方法，射频功率源装置包含射频源发生器，射频匹配盒，以及连接射频匹配盒和等离子体处理设备中射频导体部件的功率分配器。如果等离子体处理设备所需的射频功率小于射频源发生器的最小有效输出功率，则射频源发生器输出大于最小有效输出功率的任意射频功率值给功率分配器，功率分配器将射频源发生器提供的射频功率值分割为等离子体处理设备所需的一个或两个以上的射频功率并输出给等离子体处理设备中的射频导体部件。本发明极大地拓宽了射频源发生器的有效功率区间，提高了等离子体处理设备的工艺复杂化程度，减少了设备成本。
用于等离子体处理设备射频功率装置分配方法

[发明专利]射频电极组件和等离子体处理设备-CN201910600861.6有效
发明人：陈龙保;梁洁;王伟娜;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备，其中，用于等离子体处理设备的射频电极组件包括：基座，基座内设置有第一流体通道，第一流体通道连接第一流体源；位于基座上的静电夹盘；位于静电夹盘外围的聚焦环；位于基座周围的热传导环，热传导环至少部分包围基座，热传导环位于聚焦环下方，热传导环内设置有第二流体通道，第二流体通道连接第二流体源，热传导环与聚焦环之间能够进行热传导。所述等离子体处理设备能够对待处理基片边缘区域聚合物的分布进行调节。
射频电极组件等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理装置及基片处理方法-CN202010586822.8有效
发明人： 涂乐义;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置及基片处理方法，所述装置包括：反应腔，上电极，设置在反应腔的顶壁；下电极，位于反应腔内，射频功率源，用于在下电极和上电极间形成射频电流；等离子体约束环，环绕下电极设置；中位接地环，设置在等离子体约束环下方，中位接地环靠近反应腔的侧壁一端与反应腔的侧壁之间具有一定间隙；阻抗调节装置，阻抗调节装置的一端连接反应腔的侧壁，另一端接地，通过阻抗调节装置使第一射频电流路径的阻抗可调节，以对流经第一射频电流路径和第二射频电流路径的射频电流进行分配。本发明能够调节刻蚀速率和准直性的均匀性。
等离子体处理装置方法

[发明专利]一种静电夹盘及其所在的等离子体处理装置-CN201910079596.1有效
发明人：倪图强;梁洁;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电夹盘及其所在的等离子体处理装置，本发明所述的静电夹盘包括一基座及设置在所述基座上方的静电夹层，贯穿所述静电夹盘设置若干升举顶针组件，所述组件包括升举顶针、顶针夹持件和升举顶针通道，所述顶针夹持件设置在所述升举顶针通道远离所述基片的一端，用于带动所述升举顶针在所述通道内上下移动，并在上下移动过程中始终位于所述基座下方。为了降低高功率可能引发的容纳升举顶针通道内部的电弧放电现象，本发明将顶针夹持件设置在升举顶针通道的外部，使得升举顶针通道内只需容纳升举顶针，进一步减小升举顶针通道的尺寸，以在不产生点火现象的前提下尽量提高静电夹盘的工作温度适应能力。
一种静电及其所在等离子体处理装置

[发明专利]一种电容耦合等离子体处理装置及其方法-CN201910574626.6有效
发明人：叶如彬;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容耦合等离子体处理装置及其方法，该电容耦合等离子体处理装置包括相对设置的上电极和下电极；射频功率源，施加于所述下电极或上电极；偏置功率源，施加于所述下电极；边缘电极，呈环形，设置于所述下电极外围，并与下电极同心，所述边缘电极沿圆周方向分割为至少两个部分；所述边缘电极的各部分通过一阻抗调节单元接地连接，以形成一个边缘射频电流接地通路。本发明通过将边缘电极设为从两段到多段的分段式，每段都连接到各自的阻抗调节单元，接地阻抗可独立调节，可以实现在圆周方向更精确的腔体局部阻抗调节，从而更有针对性的改善刻蚀速率的角向非均匀性。
一种电容耦合等离子体处理装置及其方法

[发明专利]一种等离子体处理器及等离子体控制方法-CN201811633561.X有效
发明人： 涂乐义;李双亮;梁洁;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理器及控制等离子体泄漏和放电的方法，本发明在等离子体约束装置上设置一驱动单元，用以调节约束环与接地环之间的距离。设置一控制器与所述驱动单元连接，所述控制器包括一存储单元，一测量单元和一数据调取单元。所述测量单元用于测量不同频率和功率的射频信号对应的等离子体约束装置的约束环和接地环之间的安全距离并存储在存储单元中，数据调取单元根据射频信号的频率和功率查找所述存储单元中的该频率和功率射频信号对应的安全距离临界值并控制驱动单元将约束环与接地环之间的距离调节到安全距离范围内，以避免非处理区域发生等离子体泄漏或放电现象。
一种等离子体处理器控制方法

[发明专利]一种等离子处理器以及用于等离子处理器的上电极组件-CN201910104406.7有效
发明人：叶如彬;涂乐义;杨金全;徐朝阳 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01J37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于等离子处理器的上电极组件，包括：安装板和上电极板，所述安装板和上电极板通过机械紧固装置互相连接固定，所述安装板和上电极板之间的间隙中包括多个弹性导热垫片，从内到外依次为第一弹性导热垫片和第二弹性导热垫片。其中第一弹性导热垫片的初始高度低于所述第二弹性垫片的初始高度；在被所述机械紧固装置安装到所述安装板和上电极之间的间隙之后，所述上电极组件升温到等离子处理温度时，所述多个弹性导热垫片各自具有一高温压缩高度，其中第一弹性导热垫片的高温压缩高度低于所述第二弹性导热垫片的高温压缩高度。
一种等离子处理器以及用于电极组件

[发明专利]等离子体约束系统及方法-CN201811611211.3有效
发明人：梁洁;李双亮;涂乐义;王伟娜;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体约束系统及方法，等离子体约束系统设有上部环体和下部环体，各自包含多个倾斜的通道，沿径向从所在环体的内侧到外侧分布，且所述上部环体的通道与下部环体的通道具有相反的倾斜方向，使反应腔内处理区域产生的废气在经过上部环体的通道、下部环体的通道送到排气区域的过程中，带点粒子被中和，实现等离子体约束；本发明根据等离子体的分布密度来独立调整所述上部环体、下部环体各自的通道分布密度。从而在不损失气导率的前提下，有效地提升等离子体的约束性能。
等离子体约束系统方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201911050563.0有效
发明人： 涂乐义;叶如彬;徐伟娜 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置包括：处理腔，用于对基片进行等离子体处理，处理腔的侧壁设有允许基片进出的开口；基座，位于处理腔内底部，具有支撑基片的承载面；气体喷淋头，用于向处理腔内输送反应气体，与承载面相对设置，与承载面间为等离子体环境；下接地环，环绕设置在基座的外围；可移动组件，环绕设置在所述气体喷淋头的外围，可沿垂直于承载面方向在高位和低位间移动，可移动组件包括第一射频传输面和第二射频传输面，当可移动组件位于所述低位时，第一射频传输面遮挡所述开口，第二射频传输面至少部分与所述下接地环相对，所述第一射频传输面、第二射频传输面与下接地环形成射频通路。所述等离子体处理装置能够提高对基片处理的均匀性。
等离子体处理装置

[发明专利]脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置-CN201811495777.4有效
发明人：雷仲礼;叶如彬;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置。该方法连续在所述第i个脉冲周期及位于其后的多个脉冲周期的第一射频功率阶段内搜寻匹配频率的过程中，将前一脉冲在搜寻匹配频率过程中阻抗参数最小的调频频率赋给下一脉冲，将其作为下一脉冲的初始频率，如此，相当于增加了一个脉冲周期的第一射频功率阶段的宽度，因而，通过对该多个脉冲的第一射频功率阶段的连续调频，可以搜寻到较高脉冲频率的脉冲射频等离子体的匹配频率，进而实现对较高脉冲频率的等离子体的阻抗匹配。此外，本申请还公开了一种等离子体处理装置。
脉冲射频等离子体阻抗匹配方法装置

[发明专利]一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置-CN201811064424.9有效
发明人：倪图强;叶如彬;黄国民;梁洁;涂乐义;吴紫阳 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种升举顶针组件，一种设有该升举顶针组件的静电夹盘，及其所在的处理装置。所述升举顶针组件包括：升举顶针；容纳升举顶针的通道，所述容纳升举顶针的通道连接一压力控制装置，所述容纳升举顶针的通道在靠近基片的一端设置一密封环，所述密封环的上表面在工艺制程过程中与基片背面相接触，避免基片背面的气体进入所述容纳升举顶针的通道，实现所述压力控制装置对所述容纳升举顶针的通道内的压力独立控制。
一种顶针组件静电及其所在处理装置

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