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- [发明专利]一种等离子体运行控制系统-CN201410220629.7在审
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张志宏;于宝成;徐智
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武汉天和技术股份有限公司
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2014-05-23
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2015-11-25
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H05H1/00
- 本发明涉及一种等离子体运行控制系统，包括中央控制器和三个执行器；中央控制器进行数据信号的处理、数据采集和三个执行器的控制；三个执行器包括一个整流装置和两个气体电磁比例阀；整流装置将从电网侧接入的三相交流电压根据中央控制器发送的指令和设定转化为可控的直流电流为等离子体火炬供电，气体电磁比例阀将中央控制器发送的指令转化为可控的气压和流量为等离子体火炬供应载体空气。实现复杂结构等离子体的控制，增加了系统的智能性，使复杂的等离子体系统运行变得智能化简单化，具有明显的优越性，能够满足不同运行电压范围、功率范围的场合应用,能够达到最优的运行稳定性和寿命,能够达到最优的控制性能和稳定性
- 一种等离子体运行控制系统
- [实用新型]一种等离子减薄装置-CN201721215002.8有效
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邓辉
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南方科技大学
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2017-09-20
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2018-04-27
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H01L21/67
- 本实用新型涉及半导体晶片加工领域，公开了一种等离子减薄装置，包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置，其中，第一电极与第二电极平行设置，二者之间具有间隙，惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体，以在间隙内形成等离子体，等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰，刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本实用新型可以增加待加工工件与电极之间的距离，保证大尺寸晶片加工时的均匀性；同时，本实用新型的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入，不会产生电弧放电，故可以保证等离子体的稳定性，进而能够适应大尺寸晶片的加工
- 一种等离子装置
- [发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN201510546576.2有效
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置田尚吾;水野文二;奥村智洋
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松下知识产权经营株式会社
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2015-08-31
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2019-01-01
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H01J37/32
- 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，等离子体处理装置具备：腔体，具有能减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，对台冷却；罩体，覆盖载置于台上的传送载体的保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板的至少一部分露出到等离子体的窗部；矫正部件，将载置于台上的传送载体的框架向台推压来矫正所述框架的歪斜；移动装置，使矫正部件相对于框架的相对位置移动，矫正部件设置为独立于罩体并被罩体覆盖。
- 等离子体处理装置方法
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