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[发明专利]形成图案化掺杂区的方法-CN201210411354.6有效
发明人：孙文檠;游胜闵;王泰瑞;林泽胜 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种形成图案化掺杂区的方法，其包括：提供一基底；形成一第一型态掺杂材料于基底上；形成一第二型态掺杂材料于基底上，其中第一型态掺杂材料与第二型态掺杂材料相隔一间距；形成一覆盖层，覆盖基底、第一型态掺杂材料和第二型态掺杂材料；及进行一热扩散制作工艺，使第一型态掺杂材料和第二型态掺杂材料扩散入基底中。
形成图案掺杂方法

[发明专利]半导体结构、UHV器件及其制备方法-CN201910457329.3在审
发明人：巴特尔;陈俊;薛磊;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、UHV器件及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底；于衬底内形成浅沟槽；于浅沟槽的侧壁形成掺杂材料层，掺杂材料层内掺杂有N型掺杂离子或P型掺杂离子；对衬底进行退火处理，使得掺杂材料层内的N型掺杂离子或P型掺杂离子扩散至衬底内，以于掺杂材料层与衬底之间形成掺杂侧壁；去除掺杂材料层。本发明的半导体结构的制备方法在浅沟槽的侧壁形成掺杂材料层后进行退火处理，可以实现对任意形状的浅沟槽的侧壁进行掺杂；通过控制掺杂材料层内掺杂离子的剂量及退火条件，可以实现对浅沟槽的侧壁进行任意所需剂量及分布状态的离子掺杂
掺杂材料浅沟槽侧壁衬底半导体结构制备离子掺杂退火处理掺杂离子分布状态离子掺杂离子扩散退火条件去除

[发明专利]一种超掺杂层次孔碳材料及其制备方法-CN201810059860.0有效
发明人：张海涛;刘芳延;王子兴;杨维清;苏海;高育育 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：一种超掺杂层次孔碳材料及其制备方法，其主要涉及复合材料领域。该超掺杂层次孔碳材料的制备方法通过直接热处理的方式将碱性木质素原位转变合成超掺杂层次孔碳材料，其不但使得最终超掺杂层次孔碳材料形成层次孔结构，而且其掺杂原子比例也达到了10‑30at％；通过设置不同的掺杂气体作为掺杂气氛的组分，使得层次孔碳材料能够获得不同的掺杂元素；通过对不同的掺杂元素进行热处理参数的调节，实现异质原子和孔结构可控的超掺杂层次孔碳材料。因此，上述的超掺杂层次孔碳材料的制备方法不但工艺简单，而且制备出来的超掺杂层次孔碳材料具备较高的掺杂比，故其具有重要的推广应用价值。
碳材料掺杂制备掺杂元素复合材料领域层次孔结构碱性木质素热处理参数热处理掺杂气体掺杂原子异质原子原位转变可控的孔结构合成

[发明专利]改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及材料-CN201811137925.5有效
发明人：张杨;李弋洋 -专利权人：中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，包括以下步骤：(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属，镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层；(2)将表面生长镓金属的低掺杂浓度材料在氮气气氛下进行退火，使镓金属与低掺杂浓度材料形成欧姆接触。表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，所述低掺杂浓度材料的表面上覆盖呈直径为0.6‑1.5mm的圆形Ga金属薄膜层，所述低掺杂浓度材料上有6‑15μm厚的Ga金属。所述低掺杂浓度材料为III‑V族化合物半导体材料。
改善掺杂浓度材料表面欧姆接触方法

[发明专利]一种杂化白光有机电致发光器件-CN201310440421.1有效
发明人：邹建华;刘佰全;徐苗;陶洪;王磊;彭俊彪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种杂化白光有机电致发光器件，设有基板、阳极、阴极以及介于阳极与阴极之间的有机功能层，有机功能层设有发光层，发光层的蓝色荧光发光层与磷光发光层通过间隔层隔开，间隔层含有主体材料和客体掺杂剂，客体掺杂剂掺杂于主体材料，主体材料为有机半导体材料，客体掺杂剂为无机材料。主体材料为p型有机半导体材料，客体掺杂剂为能够形成n型掺杂层的无机材料。主体材料为n型有机半导体材料，客体掺杂剂为能够形成p型掺杂层的无机材料。主体材料为双极性型有机半导体材料，客体掺杂剂为能够形成n型掺杂层或者能够形成p型掺杂层的无机材料。本发明器件效率高、稳定性好，寿命长。
一种白光有机电致发光器件

[发明专利]一种半导体材料的掺杂方法-CN202310881652.X在审
发明人：黄晟;黄立;吴佳;刘永锋;陈建 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料与器件技术领域，具体为一种半导体材料的掺杂方法，特别是涉及一种多层半导体异质结材料的掺杂方法。本发明提供一种材料的新型的掺杂方法，通过周期性的开启和/或关闭掺杂源快门的方式对目标半导体材料进行周期性掺杂，能够线性尺度上灵活地控制掺杂水平，简化材料的掺杂工艺，确保掺杂的精度、均匀性以及晶体质量，可应用于不同材料的多种掺杂
一种半导体材料掺杂方法

[发明专利]用于光导开关的衬底及其制作方法、光导开关-CN202110246613.3有效
发明人：卫新发;张育民;梁国松;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：提供了一种衬底，其包括基体以及掺杂于基体内的缺陷材料和施主材料；从基体的第一表面到基体的中央面，缺陷材料的掺杂浓度由第一缺陷掺杂浓度逐渐增大到第二缺陷掺杂浓度，施主材料的掺杂浓度由第一施主掺杂浓度逐渐降低到第二施主掺杂浓度；从中央面到基体的第二表面，缺陷材料的掺杂浓度由第二缺陷掺杂浓度逐渐降低到第三缺陷掺杂浓度，施主材料的掺杂浓度由第二施主掺杂浓度逐渐增加到第三施主掺杂浓度，第二表面与第一表面相对。衬底的第一、第二表面附近区域的施主材料浓度较高，缺陷材料浓度较低，可以提高载流子浓度；衬底的中央区域，缺陷材料的掺杂浓度较高，可以提高衬底的暗电阻率。
用于开关衬底及其制作方法

[发明专利]热塑复合材料的焊接方法-CN201810707106.3在审
发明人：焦俊科;王强;王飞亚;昝少平;张文武 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C08L77/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纤维热塑复合材料的焊接方法及其中所用到的掺杂树脂，属于复合材料连接固定技术领域。该掺杂树脂包括基体材料和掺杂材料，所述基体材料为透明的热塑性树脂，所述掺杂材料为能够吸收光能转换为热能的有色颗粒，所述掺杂材料在所述掺杂树脂中的体积百分比为0.01％‑1％。该掺杂树脂可用做碳纤维热塑复合材料焊接的填充树脂，在焊接时，于待焊接的碳纤维热塑复合材料之间填充一层上述掺杂树脂，并以激光照射该掺杂树脂，激光束在此掺杂树脂内部传输，被该掺杂树脂吸收形成一条热源带，对该填充用的掺杂树脂和碳纤维热塑复合材料的基体树脂进行加热，并使其融化，熔融态的树脂材料在外部压力作用下流动、扩散、凝固，即可形成焊接。
树脂掺杂热塑复合材料焊接掺杂材料碳纤维基体材料填充复合材料连接固定技术领域外部压力作用热塑性树脂体积百分比光能转换基体树脂激光照射树脂材料树脂吸收填充树脂种碳纤维激光束熔融态透明的热源可用加热凝固融化传输扩散流动吸收

[发明专利]热塑复合材料的焊接方法及其中所用到的掺杂树脂-CN201610254547.3有效
发明人：焦俊科;王强;王飞亚;昝少平;张文武 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C08L77/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纤维热塑复合材料的焊接方法及其中所用到的掺杂树脂，属于复合材料连接固定技术领域。该掺杂树脂包括基体材料和掺杂材料，所述基体材料为透明的热塑性树脂，所述掺杂材料为能够吸收光能转换为热能的有色颗粒，所述掺杂材料在所述掺杂树脂中的体积百分比为0.01％‑1％。该掺杂树脂可用做碳纤维热塑复合材料焊接的填充树脂，在焊接时，于待焊接的碳纤维热塑复合材料之间填充一层上述掺杂树脂，并以激光照射该掺杂树脂，激光束在此掺杂树脂内部传输，被该掺杂树脂吸收形成一条热源带，对该填充用的掺杂树脂和碳纤维热塑复合材料的基体树脂进行加热，并使其融化，熔融态的树脂材料在外部压力作用下流动、扩散、凝固，即可形成焊接。
树脂掺杂热塑复合材料焊接掺杂材料碳纤维基体材料填充复合材料连接固定技术领域外部压力作用热塑性树脂体积百分比光能转换基体树脂激光照射树脂材料树脂吸收填充树脂种碳纤维激光束熔融态透明的热源可用加热凝固融化传输扩散吸收流动

[发明专利]负极材料及其制备方法，电池和终端-CN202211670974.1在审
发明人：李政杰;葛传长;周伟;夏圣安;王平华 -专利权人：华为技术有限公司;上海杉杉科技有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种负极材料，包括掺杂碳材料，所述掺杂碳材料包括碳基基体和掺杂在碳基基体中的掺杂元素，所述掺杂元素包括B、N、O、P、S、F中的至少两种，至少部分所述掺杂元素与碳基基体形成C‑Ma‑Mb化学键合，其中，Ma、Mb代表两种不同的所述掺杂元素。该负极材料由于含有掺杂碳材料，且掺杂碳材料中掺杂元素与碳基基体形成了C‑Ma‑Mb化学键合，因而具有优异的快充性能。本发明实施例还提供了该负极材料的制备方法，以及包含该负极材料的电池和终端。
负极材料及其制备方法电池终端

[发明专利]负极材料及其制备方法，电池和终端-CN201911171298.1有效
发明人：李政杰;葛传长;周伟;夏圣安;王平华 -专利权人：华为技术有限公司;上海杉杉科技有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种负极材料，包括掺杂碳材料，所述掺杂碳材料包括碳基基体和掺杂在碳基基体中的掺杂元素，所述掺杂元素包括B、N、O、P、S、F中的至少两种，至少部分所述掺杂元素与碳基基体形成C‑Ma‑Mb化学键合，其中，Ma、Mb代表两种不同的所述掺杂元素。该负极材料由于含有掺杂碳材料，且掺杂碳材料中掺杂元素与碳基基体形成了C‑Ma‑Mb化学键合，因而具有优异的快充性能。本发明实施例还提供了该负极材料的制备方法，以及包含该负极材料的电池和终端。
负极材料及其制备方法电池终端

[发明专利]掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法-CN202011052877.7有效
发明人：肖贵云;白枭龙;尚伟泽 -专利权人：晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法，涉及半导体材料制备技术领域。该掺杂剂加料器，用于掺杂半导体材料的制备，所述掺杂剂加料器为密封式结构，所述密封式结构的内部具有容纳空间，所述容纳空间用于盛装掺杂剂；其中，所述掺杂剂加料器的材质包括含硅材料，在制备所述掺杂半导体材料的过程中，所述掺杂剂加料器以及内部的掺杂剂在热场加热下适于形成熔体，用以制备所述掺杂半导体材料。本申请能够精确的控制掺杂剂的掺杂量，提供足够均匀的电阻率分布，提高生产效率，结构简单，操作方便。
掺杂料器半导体材料制备系统方法

[发明专利]用于电互连的掺杂合金、其制造方法及其用途-CN200480025512.8无效
发明人：南希·迪安;詹姆斯·弗林特 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2004-09-07 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：在此公开的焊料材料和掺杂剂包括至少一种焊料材料、至少一种磷基掺杂剂和至少一种铜基掺杂剂。形成掺杂焊料材料的方法包括：a)提供至少一种焊料材料；b)提供至少一种磷基掺杂剂；c)提供至少一种铜基掺杂剂，以及d)使该至少一种焊料材料、该至少一种磷基掺杂剂和该至少一种铜基掺杂剂混合，从而形成掺杂焊料材料在此还公开了层状材料，其包括：a)表面或基底；b)电互连；c)如在此所述的、含有至少一种磷基掺杂剂和至少一种铜基掺杂剂的焊料材料，以及d)半导体芯片或封装。还设想了电子和半导体元件，其包括在此公开的焊料材料和/或层状材料。
用于互连掺杂合金制造方法及其用途

[发明专利]中空铁掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳纳米复合材料及制备-CN201810899585.3在审
发明人：刘天西;赖飞立;宗伟;缪月娥 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种中空铁掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳纳米复合材料及其制备。所述的中空铁掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳纳米复合材料，其特征在于，包括中空氮掺杂碳材料以及包覆在中空氮掺杂碳材料外的铁掺杂氧化钴镍。本发明制备的复合材料具有中空结构形貌，聚苯胺衍生的中空氮掺杂多孔碳材料支撑起该复合材料的中空多面体结构，铁掺杂的氧化钴镍均匀的生长在中空氮掺杂碳材料的外部，避免了铁掺杂的氧化钴镍团聚的问题，具有比表面积大
中空铁掺杂氧化钴氮掺杂碳纳米复合材料氮掺杂碳材料镍包制备复合材料物理化学性质导电性形貌电化学性能多孔碳材料中空多面体中空结构聚苯胺包覆团聚生长外部支撑

[发明专利]一种二氧化锆传感器材料制备方法及传感器-CN202310637653.X在审
发明人：伏春平 -专利权人：重庆文理学院
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及二氧化锆材料技术领域，公开了一种二氧化锆传感器材料制备方法及传感器，包括建立包含二氧化锆材料本征结构和掺杂结构的固体物理模型；根据物理模型参数得到能带结构；在固体物理模型的基础上，获得掺杂结构稳定性分别与掺杂和温度的对应关系；根据对应关系得到掺杂金属的掺杂位置和掺杂比例，将掺杂金属添加进二氧化锆材料中，获得掺杂二氧化锆材料；将掺杂二氧化锆材料在900‑1200℃下煅烧2‑4h，最终制得传感器二氧化锆材料。本申请精准分析掺杂二氧化锆材料稳定性在离子掺杂和温度下的对应关系，进而得出最佳的掺杂位置和掺杂比例，降低掺杂对材料稳定性的影响，从而提高材料的稳定性，突破材料稳定性制备的极限。
一种氧化锆传感器材料制备方法

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