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[发明专利]沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202011384556.7有效
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法，其中，HEMT器件从下至上依次包括衬底层、缓冲层、第一耐压层、条状掩膜层、第二耐压层、沟道层、势垒层、PGaN层、源极、漏极及栅极，其中，条状掩膜层位于第一耐压层表面的预设区域，沟道层上表面有一V型槽，且V型槽位于条状掩膜层的上方；势垒层于V型槽内的厚度为沟道层水平表面厚度的1/2～1/5；PGaN层位于V型槽表面，栅极位于PGaN层表面，源极和漏极位于沟道层表面。有效解决现有p型沟槽栅增强型HEMT器件中由于势垒刻蚀导致的刻蚀损伤的问题。
沟槽增强 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202011378242.6有效
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法，其中，HEMT器件从下至上依次包括衬底层、缓冲层、耐压层、沟道层及势垒层，还包括形成于势垒层表面的源极和漏极，及形成于势垒层表面的P型GaN/InGaN超晶格层和栅极，其中，P型GaN/InGaN超晶格层中，P型GaN层掺Mg，空穴浓度为5E17‑5E18；InGaN层不掺Mg。其使用p型GaN/InGaN超晶格结构代替传统的p型GaN层，通过GaN/InGaN超晶格的极化电场增加Mg的离化效率，从而降低p型栅中的掺Mg浓度，提高p型栅材料的质量。同时，低浓度掺Mg也减少了Mg向势垒和沟道层中的扩散。
增强 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]硅基厚GaN外延膜层及其制备方法-CN202211308053.0在审
发明人：张涛;周名兵;涂逵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基厚GaN外延膜层及其制备方法，其中，硅基厚GaN外延膜层包括：硅衬底及依次在硅衬底表面生长的AlN缓冲层、3～20层的AlGaN缓冲层、uGaN层及厚n型GaN层，其中，多个AlGaN缓冲层中，各层AlGaN缓冲层中的Al组分依次减少。有效解决现有技术中生长厚GaN出现边缘崩裂及翘曲不可控制的问题。
硅基厚 gan 外延及其制备方法

[发明专利]氮化镓基LED外延结构及其制备方法-CN202210755944.4在审
发明人：付羿;周名兵;涂逵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法，其中，氮化镓基LED外延结构包括：依次生长于生长衬底表面的成核层、电流扩展层、应力缓冲层、InAlN电子阻挡层、多量子阱垒区、AlGaN电子阻挡层及P型GaN层，其中，InAlN电子阻挡层由多重InAlN/GaN周期结构组成；在每重周期结构中，InAlN层中的In组分为1％～25％。其在多量子阱垒区域前插入由多重InAlN/GaN周期结构组成的InAlN电子阻挡层，在AlGaN电子阻挡层的基础上，进一步对电子进行阻挡，能够有效降低LED芯片在超大电流工作时电子逃逸多量子阱垒区的几率，从而提高LED芯片在超大电流下的光效。
氮化 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]硅衬底GaN基LED及其制备方法-CN202011635543.2在审
发明人： 周名兵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅衬底GaN基LED及其制备方法，其中，硅衬底GaN基LED从下至上依次包括：硅衬底、多层位错过滤缓冲层、UGaN层、NGaN电流扩展层、有源区应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型GaN电流扩展层及P型欧姆接触层，其中，多层位错过滤缓冲层中包括一AlN层和多层不同Al组分的AlxGa1‑xN层，其中，0≤x≤1，或多层位错过滤缓冲层中包括一AlN层和AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构，其中，0≤x≤1，0≤y≤1。该GaN基LED具有低位错密度(小于2E8/cm2)、高质量的有源区生长质量，且低点缺陷密度，尤其适用于大尺寸(6/8英寸)硅外延生长GaN基蓝(绿)光LED外延生长，可应用于微显示领域，在新型显示领域具有良好的应用前景。
衬底 gan led 及其制备方法

[发明专利]GaN基HEMT外延结构及其制备方法-CN202011636477.0在审
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基HEMT外延结构将其制备方法，其中，GaN基HEMT外延结构从下至上依次包括：硅衬底层、缓冲层、高阻耐压层、沟道层及势垒层，其中，硅硅衬底层表面制备有多孔结构；缓冲层通过外延侧向生长技术生长于硅衬底层表面。其通过电化学腐蚀的方式在硅衬底表面形成多孔结构的方式，有效抑制硅衬底GaN基HEMT器件的衬底射频损耗，降低GaN基HEMT器件制作成本的同时扩展其应用，尤其可应用于小功率、高密度组网的5G飞基站皮基站。
gan hemt 外延结构及其制备方法

[发明专利]N极性AlGaN/GaN HEMT器件及其生长方法-CN202011548221.4在审
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种N极性AlGaN/GaN HEMT器件及其生长方法，其中，N极性AlGaN/GaN HEMT器件的外延结构，从下至上依次包括硅衬底层、缓冲层、极性面转换层、耐压层、势垒层及沟道层，其中，极性面转换层为掺杂Mg的GaN层，掺杂浓度为1E20/cm3～1E21/cm3。其在缓冲层和耐压层之间添加一层极性面转换层，以此将耐压层及以上的沟道层和势垒层的极性从镓极性转变为氮极性，实现N极性AlGaN/GaN HEMT器件外延结构的制备，结构简单易实现，且具备低接触电阻和强栅控能力。
极性 algan gan hemt 器件及其生长方法

[实用新型]MOCVD石墨盘-CN201922435562.X有效
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种MOCVD石墨盘，包括：盘体及分布于所述盘体表面用于放置外延衬底的多个石墨卡槽，所述多个石墨卡槽于所述盘体上分布为内圈和外圈；在外圈的每个石墨卡槽中，于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方向沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设有一槽口，内部固定一与该槽口大小匹配的低导热系数高机械强度垫片。其于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方位沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设槽口，并在槽口内放置低导热系数高机械强度的垫片，能够改善MOCVD大尺寸外延片温度均匀性的同时提高MOCVD石墨盘的机械强度，增加石墨盘的使用寿命。
mocvd 石墨

[发明专利]AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法-CN201911391763.2在审
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法，其中，AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层包括：非掺杂的第一AlGaN层、周期性硅掺杂的第二AlGaN层及非掺杂的第三AlGaN层；第二AlGaN层由多周期的非掺杂AlGaN层和硅掺杂AlGaN层组成。该AlGaN势垒层能够提高二维电子气面密度的同时，有效避免SiH4掺杂引起的晶格缺陷和Al组分偏析，保证二维电子气迁移率和HEMT器件的可靠性。
algan gan hemt 中的势垒层及其生长方法

[发明专利]AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法-CN201911405708.4在审
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法，其中，AlN/GaN HEMT外延结构从下到上依次包括：生长衬底、位错过滤层、应力控制层、GaN薄层及AlN势垒层，其中，所述AlN势垒层中掺杂饵。由于铒的原子半径比Al大，稀土元素铒掺入AlN势垒层后，会在AlN材料中产生晶格畸变从而提高AlN势垒层的压电性能；另外，由于铒的电负性小，增加了AlN势垒层中的离子键比例，进一步增强了稀土掺杂AlN势垒层的压电系数和极化效应，使得掺铒的AlN势垒层厚度减薄后仍然可以获得高面密度的二维电子气。
aln 势垒层 gan hemt 外延结构及其生长方法

[发明专利]半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构-CN201610497006.3在审
发明人： 周名兵;陈振 -专利权人：江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构，其中，该半绝缘GaN薄膜为碳和铁掺杂的半绝缘GaN薄膜层，其中，碳的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3；铁的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3。本发明操作方法简单、成本低、工作效率高，通过该方法制备的半绝缘GaN品质高、纯度高，对杂质的记忆效应小，绝缘性能好，并能有效的减少漏电流。
绝缘 gan 薄膜电子迁移率晶体管外延结构

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法-CN201410384134.8在审
发明人：陈振;王敏;周名兵 -专利权人：江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法。该外延结构包括衬底层，在该衬底层上从下至上依次生长有AlN成核层、AlGaN缓冲层、Al掺杂GaN模板层和AlGaN势垒层。本发明通过在制造氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构时，利用Al掺杂形成GaN模板层的方法，能够降低材料的位错密度，改善界面的平整度，提高材料的电子迁移率，减少异质外延AlGaN势垒层表面态密度，进而降低了器件的漏电流，提高了器件的击穿电压且工艺简单易行。
氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法

[发明专利]智能可控释放抗菌成分的牙种植体及制备方法-CN201210348628.1有效
发明人：张利;胡盼;李玉宝;周名兵;胡静 -专利权人：四川大学
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： A61C8/00 文献下载
摘要：智能可控释放抗菌成分的牙种植体及制备方法。所述的牙种植体，是在牙种植体表面的纳米管状结构层中负载有抗菌成分，并在该纳米管状结构层外再被覆有在聚氧乙烯膜或聚乙二醇膜表面接枝有有机单体成分所形成的pH响应敏感膜。所说的有机单体成分为丙烯酸、丙烯酸铵或甲基丙烯酸的单体。该牙种植体外层的pH响应敏感膜，可根据牙种植体植入后是否出现炎症而引致的周围环境pH的不同，对纳米管状结构中所负载的抗菌成分自动实现控释和缓释的调节，以达到最好的效果，延长抗菌成分的有效作用时间。
智能可控释放抗菌成分种植制备方法

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