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[发明专利]掺杂氧的碳化硅膜的基于远程等离子体的沉积-CN202310274324.3在审
发明人：巴德里·N·瓦拉达拉简 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及掺杂氧的碳化硅膜的基于远程等离子体的沉积。本发明公开了用于提供掺杂氧的碳化硅膜的方法和系统。掺杂氧的碳化硅层可以是在采用一种或多种具有一个或多个硅‑氢键和/或硅‑硅键的含硅前体的工艺条件下提供的。所述含硅前体还可以具有一个或多个硅‑氧键和/或硅‑碳键。处于实质上低的能量状态的一种或多种自由基物质可与含硅前体反应以形成掺杂氧的碳化硅膜。所述一种或多种自由基物质可在远程等离子体源中形成。
掺杂碳化硅基于远程等离子体沉积

[发明专利]等离子体活化保形电介质膜沉积-CN201710347032.2有效
发明人：尚卡尔·斯娃米纳森;乔恩·亨利;丹尼斯·M·豪斯曼;普拉莫德·苏布拉莫尼姆;曼迪亚姆·西里拉姆;维什瓦纳坦·兰加拉詹;基里斯·K·卡特提格;巴特·J·范施拉芬迪克;安德鲁·J·麦克罗 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了等离子体活化保形电介质膜沉积。本发明提供了在衬底表面上沉积膜的方法，其包括表面介导反应，在该反应中经过反应物的吸附和反应的一个或多个循环所述膜进行生长。在一个方面中，该方法的特征在于，在吸附和反应的循环之间，间歇性输送掺杂剂物质到膜。
等离子体活化电介质沉积

[发明专利]钨特征填充-CN202110914064.2在审
发明人：阿南德·查德拉什卡;爱思特·杰恩;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;高举文;王德齐 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明描述了以钨来填充特征的方法以及相关系统和设备。这些方法包括由里朝外填充技术以及特征内的保形沉积。由里朝外填充技术可包括在特征内的蚀刻过的钨层上的选择性沉积。根据各种实施例可使用保形与非保形蚀刻技术。本发明所述的这些方法可用于填充例如钨通孔的垂直特征、以及例如垂直NAND(VNAND)字线的水平特征。应用的实例包括逻辑和内存接点填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成内存栅极/字线填充以及具有硅通孔(TSVs)的3‑D集成。
特征填充

[发明专利]碳化硅膜的共形沉积-CN202110901818.0在审
发明人：巴德里·N·瓦拉达拉简;龚波;桂哲 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2016-02-06 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅膜的共形沉积。本发明公开了用于提供碳化硅膜的方法和系统。碳化硅层可以是在采用一种或多种具有一个或多个硅‑氢键和/或硅‑硅键的含硅前体的工艺条件下提供的。所述含硅前体还可以具有一个或多个硅‑氧键和/或硅‑碳键。处于基本上低能量状态的一种或多种自由基物质可与含硅前体反应以形成碳化硅膜。所述一种或多种自由基物质可在远程等离子体源中形成。
碳化硅沉积

[发明专利]钨特征填充-CN201811491805.5有效
发明人：阿南德·查德拉什卡;爱思特·杰恩;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;高举文;王德齐 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明描述了以钨来填充特征的方法以及相关系统和设备。这些方法包括由里朝外填充技术以及特征内的保形沉积。由里朝外填充技术可包括在特征内的蚀刻过的钨层上的选择性沉积。根据各种实施例可使用保形与非保形蚀刻技术。本发明所述的这些方法可用于填充例如钨通孔的垂直特征、以及例如垂直NAND(VNAND)字线的水平特征。应用的实例包括逻辑和内存接点填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成内存栅极/字线填充以及具有硅通孔(TSVs)的3‑D集成。
特征填充

[发明专利]用于半导体电镀装置的唇状密封件和触头元件-CN201810986262.8有效
发明人：冯敬斌;罗伯特·马歇尔·斯托威尔;尚蒂纳特·古艾迪;阿斯温·拉梅什 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体电镀装置的唇状密封件和触头元件，公开了用于在电镀过程中保持、密封并提供电力给半导体衬底的杯状组件，其可包括具有主体部分和力矩臂的杯底元件、位于力矩臂上的弹性体密封元件以及位于弹性体密封元件上的电触头元件。主体部分可以是，当对着力矩臂压靠衬底时它没有明显屈曲，且它可被刚性地固定到杯件结构的另一特征。主体部分的平均垂直厚度与力矩臂的平均垂直厚度之比可大于约5。电触头元件可具有设置在密封元件的大体水平的部分上的大体平坦但柔性的接触部分。弹性体密封元件可在制造过程中与杯底元件集成。
用于半导体电镀装置密封件元件

[发明专利]具有高产量的超高选择比的多晶硅蚀刻-CN201610996940.X有效
发明人：杨登亮;夸梅·伊森;费萨尔·雅各布;乔恩·宏·帕克 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及具有高产量的超高选择比的多晶硅蚀刻。提供了用于去除晶片上的多晶硅层的方法和装置，其中晶片可以包括氮化物层、低k介电层、氧化物层和其他膜。在远程等离子体源中产生氢基物质和氟基物质的等离子体，并且在相对低的温度下将晶片暴露于等离子体以限制固体副产物的形成。在一些实现方案中，晶片保持在低于约60℃的温度。以非常高的蚀刻速率去除多晶硅层，并且多晶硅相对于氮化物层和氧化物层的选择比非常高。在一些实现方案中，晶片被支撑在具有多个热区的晶片支撑件上，所述多个热区被配置为限定整个晶片上的多个不同温度。
具有产量超高选择多晶蚀刻

[发明专利]用于先进图案化的软着陆纳米层压层-CN202010119340.1在审
发明人：弗兰克·L·帕斯夸里;尚卡·斯瓦米纳森;阿德里安·拉瓦伊;纳德·沙姆玛;吉里什·迪克西特 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及用于先进图案化的软着陆纳米层压层，具体提供了用于在芯部层上沉积纳米层压保护层以允许在芯部层上沉积供先进多图案化方案使用的高质量保形膜的方法。在某些实施例中，所述方法涉及使用低的高频射频(HFRF)等离子体功率通过基于等离子体的原子层沉积来沉积薄氧化硅或氧化钛薄膜，随后使用高HFRF等离子体功率沉积保形的氧化钛薄膜或间隔物。
用于先进图案软着陆纳米层压

[发明专利]抑制前体流和衬底区外等离子体以抑制衬底处理系统寄生沉积-CN201710251738.9有效
发明人：夏春光;拉梅什·钱德拉赛卡兰;道格拉斯·凯尔;爱德华·J·奥古斯蒂内克;卡尔·利泽 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种抑制前体流和衬底区外等离子体以抑制衬底处理系统寄生沉积的衬底处理系统，其包括喷头，所述喷头包括底部和杆部并且所述喷头传输前体气体到室。轴环，所述轴环将喷头连接到室的上表面。所述轴环围绕喷头的杆部设置，所述轴环包括多个槽，并且将前体气体引导通过多个槽导入喷头的底部和室的上表面之间的区域。
抑制前体流衬底区外等离子体处理系统寄生沉积

[发明专利]电镀过程中用于高效传质的电解液流体动力的增强装置-CN201610966878.X有效
发明人：史蒂文·T·迈耶;布莱恩·L·巴卡柳;傅海英;托马斯·波努司瓦米;希尔顿·迪艾斯·卡米罗;罗伯特·拉什;大卫·W·波特 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C25D21/12 文献下载
摘要：本发明涉及电镀过程中用于高效传质的电解液流体动力的增强装置，本发明的实施方式涉及用于将一或多种材料电镀到衬底上的方法和装置。在许多情况下，所述材料是金属而所述衬底是半导体晶片，但这些实施方式并不受此限制。通常，本文的实施方式使用靠近衬底的带槽的板构造横流歧管，该横流歧管由所述带槽的板的底部、衬底的顶部以及横流约束环的侧面来限定。在镀覆过程中，流体向上穿过所述带槽的板中的通道以及侧向穿过设置在所述横流约束环的一面上的横流侧入口而进入横流歧管。流路径在横流歧管中合并并在横流出口退出，横流出口设置在横流入口的对面。这些合并的流路径导致镀覆均匀性提高。
电镀过程用于高效传质电解液流体动力增强装置

[发明专利]用于改善的器件集成的光刻胶剥离方法-CN201210308821.2有效
发明人：罗伊·沙夫维;柯克·奥斯特洛夫斯基;大卫·张;朴俊;巴渝·特迪约斯沃尔;帕特里克·J·洛德 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了减少硅晶片或其它基片的错位的基于氢气的光刻胶剥离操作的方法和装置。根据各个实施例，基于氢气的光刻胶剥离方法可以采用下述技术中的一种或多种：1）通过使用具有最小过剥离持续时间的短时处理而使得氢气预算最小化，2）提供稀释的氢气，例如，2%‑16%的氢气浓度，3）通过控制处理条件和化学成分而使得材料损耗最小化，4）使用低温脱胶，5）控制植入条件和浓度，以及6）执行一种或多种剥离后通风处理。还提供了适于执行所述光刻胶剥离方法的装置。
用于改善器件集成光刻剥离方法

[发明专利]用于电感耦合等离子体系统的混合阻抗匹配-CN201610428220.3有效
发明人：乔治·托马斯;班亚·翁森纳库姆;弗朗西斯科·J·华雷斯 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于电感耦合等离子体系统的混合阻抗匹配。在一方面，一种系统包括被配置为产生并调谐供给信号的频率的发生器。该系统还包括自动匹配网络，该自动匹配网络被配置成接收该供给信号并产生用于给等离子体系统提供功率的阻抗匹配信号。在一些实施方式中，在阻抗匹配操作的第一阶段的过程中，该发生器被配置为调谐该供给信号的频率，直到该发生器确认使该发生器的电抗和该发生器上的负载的电抗最佳匹配的频率。在一些实施方式中，在该阻抗匹配操作的第二阶段的过程中，该自动匹配网络被配置为调谐该自动匹配网络内的调谐元件直到该自动匹配网络确认该调谐元件的使该发生器的电阻和该发生器上的负载的电阻最佳匹配的调谐。
用于电感耦合等离子体系统混合阻抗匹配

[发明专利]混合型陶瓷喷淋头-CN201611008058.6有效
发明人：穆罕默德·萨布里;拉姆吉斯汗·拉奥·林加帕里;卡尔·F·利泽 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供用于衬底处理喷淋头的混合型陶瓷花盘的各种实施方案。混合型陶瓷喷淋头花盘可包括嵌入于该花盘的陶瓷材料内的电极以及穿孔图案。该电极可是相对于穿孔完全封装于该陶瓷材料内。在某些实施方案中，加热器元件也可嵌入于该混合型陶瓷喷淋头花盘内。在使用期间，DC电压源可与该混合型陶瓷喷淋头花盘电气连接。混合型陶瓷花盘可容易地从衬底处理喷淋头拆卸以便易于清洁及花盘更换。
混合陶瓷喷淋

[发明专利]用于半导体电镀装置的唇状密封件和触头元件-CN201510837221.9有效
发明人：冯敬斌;罗伯特·马歇尔·斯托威尔;尚蒂纳特·古艾迪;阿斯温·拉梅什 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体电镀装置的唇状密封件和触头元件，公开了用于在电镀过程中保持、密封并提供电力给半导体衬底的杯状组件，其可包括具有主体部分和力矩臂的杯底元件、位于力矩臂上的弹性体密封元件以及位于弹性体密封元件上的电触头元件。主体部分可以是，当对着力矩臂压靠衬底时它没有明显屈曲，且它可被刚性地固定到杯件结构的另一特征。主体部分的平均垂直厚度与力矩臂的平均垂直厚度之比可大于约5。电触头元件可具有设置在密封元件的大体水平的部分上的大体平坦但柔性的接触部分。弹性体密封元件可在制造过程中与杯底元件集成。
用于半导体电镀装置密封件元件

[发明专利]具有杯底部轮廓的镀杯-CN201710089748.7有效
发明人：何志安;冯敬斌;尚蒂纳特·古艾迪;弗雷德里克·D·威尔莫特 -专利权人： 诺发系统公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于在夹盘组件中进行电镀期间与晶片啮合以及在电镀期间向该晶片提供电流的杯。该杯可包括弹性密封件，其设置在所述杯上并被配置成在电镀期间与所述晶片啮合，其中一旦啮合，所述弹性密封件基本上将电镀液从所述晶片的周边区域排除，并且其中所述弹性密封件和所述杯是环形的，并且包括一个或多个接触元件，其用于在电镀期间向所述晶片供应电流，该一个或多个接触元件被连接至所述杯上并且从设置在所述弹性密封件上的金属带朝向该杯的中心向内延伸。该杯的凹口区域可具有在该杯的底表面的一部分上的突出物或者绝缘部分，其中该凹口区域与所述晶片内的凹口对齐。
具有底部轮廓

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