专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种离子枪靶材底座盘-CN201320090951.3有效
  • 郎文昌 - 温州职业技术学院
  • 2013-02-28 - 2013-07-17 - C23C14/32
  • 本实用新型涉及表面防护涂层制备领域,具体地说是一种用于离子枪装置的靶材底座盘。靶材底柱绝缘套的外侧设置离子枪底盘绝缘盘、离子枪底盘、离子枪底盘紧固板,离子枪底盘的一侧设置离子枪底盘紧固板,离子枪底盘紧固板通过靶材底柱绝缘套上的绝缘套盘与离子枪底盘隔开,绝缘套盘下部与离子枪底盘紧固板接触,绝缘套盘上部与离子枪底盘接触,通过密封圈形成密封,离子枪底盘的另一侧设置离子枪底盘绝缘盘。本实用新型结构简易紧凑有效,操作简便、密封性好,便于整机设计及满足工业生产对真空室内等离子体分布的各种需求,用以改善传统电弧离子弧源结构复杂、密封性差、难以实现特殊镀膜需求的缺点。
  • 一种离子镀枪靶材底座
  • [实用新型]一种简易电磁过滤的镀膜装置-CN202123299979.1有效
  • 张祖航;郎文昌;章柯;张振华;林琪澳 - 温州大学;温州职业技术学院
  • 2021-12-21 - 2022-06-14 - C23C14/32
  • 本实用新型提供一种简易电磁过滤的镀膜装置,属于离子膜技术领域,其包括具有矩形状空腔的离子壳体,离子壳体中间设有柱状旋转阴极弧源,矩形状空腔一端封闭且另一端为开口,设有开口的一端为离子出口;柱状旋转阴极弧源放电位朝向离子壳体封闭一端,离子壳体上固定有电磁线圈组;本实用新型将柱状旋转阴极弧源的放电位朝向离子壳体的封闭一端,使其产生的未离化的分子、原子及颗粒会沉积在离子壳体的封闭一端,而待沉积离子在电磁线圈的作用下偏转通过离子出口进入沉积壳体,矩形状空腔的离子壳体的体积大,路程短,并且直接与真空腔体相连,沉积速率将大幅度提升,且结构十分简单。
  • 一种简易电磁过滤镀膜装置
  • [实用新型]一种复合钛装置-CN202021863696.8有效
  • 刘自然;刘慧丹;彭霞霖;陈元;钟日新 - 肇庆宏旺金属实业有限公司
  • 2020-08-31 - 2021-07-20 - C23C14/32
  • 本实用新型公开了一种复合钛装置,设于钛机本体内的钛腔内,所述钛机本体包括固定部和活动部,所述固定部与所述活动部铰接,形成用于钛的钛腔,所述钛腔的内部上设有若干组多弧离子靶和磁控溅射靶;所述多弧离子靶均匀设置在所述钛腔内,且位于所述固定部上的多弧离子靶组数少于所述位于所述活动部上的多弧离子靶,所述对磁控溅射靶均匀设置在钛腔内,且所述磁控溅射靶位于所述固定部上。本实用新型解决了现有的钛装置的钛效果差,钛效率低的问题。
  • 一种复合装置
  • [实用新型]一种电磁复合机械过滤的镀膜装置-CN202123304013.2有效
  • 章柯;郎文昌;张振华;张祖航;林琪澳 - 温州大学;温州职业技术学院
  • 2021-12-24 - 2022-06-14 - C23C14/32
  • 本实用新型提供一种电磁复合机械过滤的镀膜装置,属于离子膜技术领域,其包括具有矩形状空腔的离子壳体,所述矩形状空腔一端封闭且另一端为开口,靠近封闭一端设有柱状旋转阴极弧源且位于离子壳体中心,设有开口的一端为离子出口;所述柱状旋转阴极弧源放电位朝向离子出口方向,所述柱状旋转阴极弧源与离子出口之间设有复合机械挡板组件,所述挡板组件与离子壳体内壁设有供沉积离子运动的通道;所述离子壳体上固定有电磁线圈组,所述电磁线圈组用于偏转导引柱状旋转阴极弧源产生的离子;本实用新型通过磁场偏转离子,而将颗粒沉积在挡板组件上,同时具有矩形状空腔的离子壳体,沉积速率将大幅度提升。
  • 一种电磁复合机械过滤镀膜装置
  • [发明专利]一种金属板的镀膜方法与设备-CN201710791343.8在审
  • 汪会平 - 汪会平
  • 2017-09-05 - 2018-02-23 - C23C14/56
  • 金属板的镀膜方法,在设有的包括料库、离子室、第三真空室内进行,料库内设有2‑20片的金属基板作为料库,料库及连通的离子室、料库和第三真空室设有可变轨道的金属基板循环运输系统;金属基板循环运输系统通过第二真空镀膜室即离子室进行镀膜,离子室中靶材采用钛,碳化物合金或硼化物合金作为硬质膜层的材料;金属基板在可变轨道上在料库及连通的离子室、第三真空室多次循环,在经过离子室的第一和第二横向轨道上进行连续多次的循环镀膜,金属基板循环由多只
  • 一种金属板镀膜方法设备
  • [发明专利]黄铜件真空离子替代电镀方法-CN200510045678.2无效
  • 陈宝清;董闯;黄龙 - 大连理工大学
  • 2005-01-15 - 2005-07-27 - C23C14/35
  • 物理气相沉积领域中的黄铜件真空离子替代电镀方法,包括黄铜件、抛光、清洗、烘烤、炉体真空室、脉冲负偏压、靶材,特征:在黄铜件[3]与真空室[9]之间,加有脉冲负偏压,其占空比为10-30%,电压为100-2000V,频率为40KHz;替代电镀镍的离子中间层,是在纯金属钛及其合金或锆及其合金上,还有氮化钛或氮化锆,并在离子的中间层与黄铜件之间有1-2 μm的过渡层;工艺:抛光后经超声清洗、装炉抽真空,烘烤、溅射清洗、离子中间层,之后,或离子制备成品,或经离子TiN(或ZrN)后制备成品。
  • 黄铜真空离子镀替代电镀方法
  • [发明专利]多弧离子膜涂层工艺-CN202210539640.4有效
  • 刘浩;陈效全 - 无锡乾泰新材料科技有限公司
  • 2022-05-17 - 2023-08-04 - C23C14/32
  • 本发明公开了一种多弧离子膜涂层工艺。其工艺步骤为:步骤1、基材预处理;步骤2、磁控多弧离子TiN过渡涂层;步骤3、磁控多弧离子TiTaN涂层;步骤4、磁控多弧离子TiTaN‑BiScCoCN涂层。采用辉光放电和离子轰击对基材进行刻蚀,提高了涂层与基材的结合强度,同时,使用磁控弧技术对基材进行多弧离子TiTaN‑BiScCoCN涂层,二次镀膜采用TaTi靶作为靶材,三次镀膜中使用Co靶材、BiScC与现有技术相比,本发明通过多弧离子膜涂层工艺制备的TiTaN‑BiScCoCN涂层具有耐磨性好、耐热盐腐蚀性好以及与基材结合强度好的优点。
  • 离子镀膜涂层工艺

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