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[发明专利]含硅膜的成膜方法以及成膜装置-CN201610465904.0有效
发明人：佐藤润;菊地宏之;村田昌弘;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。
含硅膜方法以及装置

[发明专利]含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置-CN201910375455.4在审
发明人：折居武彦;浅田泰生;林军;萩原彩乃;入江伸次;田内启士;和田翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F₂气的第一含氟气体和至少包含ClF₃气体、IF₇气体、IF₅气体或SF₆气体的第二含氟气体两者。
含硅膜蚀刻含氟气体蚀刻装置对基板计算机存储介质表面粗糙度表面平坦给气基板减小图案

[发明专利]一种含硅离型膜的硅转移快速检测方法-CN201911038856.7在审
发明人：颜培坚;危燕;罗青;蒋熙麟;何荣;殷冠明 -专利权人：东莞捷邦实业有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明涉及一种含硅离型膜的硅转移快速检测方法，用于检测含硅离型膜的硅转移率，该检测方法包含如下步骤：采用X荧光光谱分析仪测试处理前待检测含硅离型膜试样的硅涂布量A；裁取干净的不含硅膜材备用；在待检测含硅离型膜试样的离型面上均匀完全涂覆不含硅测试胶，待不含硅测试胶固化后，剥离不含硅膜材，得到处理后的含硅离型膜试样；将处理后的含硅离型膜试样再次采用X荧光光谱分析仪测试其硅涂布量B；通过公式计算硅转移率K＝〔(A‑B)/A〕×100％，分析含硅离型膜是否符合使用要求本发明在模拟实际应用的基础上，通过增强胶黏剂与离型面的接触效果，使测试时间缩短至1小时以内，以离型膜处理前后的硅涂布量变化率判定离型膜的是否适用。
离型膜涂布量检测含硅膜转移率测试离型测试时间缩短测试处理公式计算接触效果快速检测变化率胶固化胶黏剂裁取涂覆备用判定剥离应用分析

[发明专利]一种层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜及其制备方法-CN202110321122.0在审
发明人：范思大;丁光辉;邹志文;丁晓林;邹容园;崔虎山;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜及其制备方法，所述分布式布拉格反射镜由含硅材料与α‑Si交替沉积形成叠层结构，含硅材料膜层与α‑Si膜层间设置3~15nm含硅材料与α‑Si的杂化膜层。该分布式布拉格反射镜通过等离子体增强化学气相沉积方法制备，依次沉积α‑Si膜层、含硅材料膜层，并在含硅材料膜层上沉积α‑Si膜层前期1~4s通入10~100%含硅材料反应气体，形成含硅材料与α‑Si的杂化膜层所述杂化膜层在不影响膜层折射率的前提下，提高周期性叠加的α‑Si膜层与含硅材料膜层间粘附性。
一种稳定粘附分布式布拉格反射及其制备方法

[发明专利]硅化钴膜形成方法和具有硅化钴膜半导体装置的制造方法-CN200710199627.4有效
发明人：具景谟;具滋钦;朴惠贞 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开硅化钴膜的形成方法和具有硅化钴膜的半导体装置的制造方法。在含硅导电区上有一含钴膜，并且一富含钛的覆盖层形成在含钴膜上。其中所述覆盖层是钛/氮原子百分比比率大于1的氮化钛层。对该合成结构进行退火，使得含钴膜中的钴和含硅导电区中的硅彼此反应，从而形成一硅化钴膜。当在高温下形成硅化钴膜的时候，也形成一扩散抑制界面膜。
硅化钴膜形成方法具有半导体装置制造

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置-CN201910847199.4在审
发明人：户村幕树;木原嘉英;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：例示的实施方式的含硅膜的蚀刻方法，包括在等离子体处理装置的腔室主体内准备被加工物的工序。被加工物具有含硅膜和掩模。掩模设置于含硅膜上。在掩模形成有开口。蚀刻方法还包括蚀刻含硅膜的工序。在进行蚀刻的工序中，为了蚀刻含硅膜，在腔室主体内生成含有碳和七氟化碘的处理气体的等离子体。本发明能够抑制含硅膜的横向的蚀刻。
蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]硅化钴膜形成方法和具有硅化钴膜半导体装置的制造方法-CN200310120909.2有效
发明人：具景谟;具滋钦;朴惠贞 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开硅化钴膜的形成方法和具有硅化钴膜的半导体装置的制造方法。在含硅导电区上有一含钴膜，并且一富含钛的覆盖层形成在含钴膜上。在富含钛的覆盖层中钛/其他元素(如果有的话)的原子百分比比率大于1。对该合成结构进行退火，使得含钴膜中的钴和含硅导电区中的硅彼此反应，从而形成一硅化钴膜。当在高温下形成硅化钴膜的时候，也形成一扩散抑制界面膜。
硅化钴膜形成方法具有半导体装置制造

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置-CN201510420197.9在审
发明人：大桥直史;高野智;菊池俊之 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：衬底处理装置，包括：接收部，接收衬底的膜厚分布数据，所述衬底形成有：沟道区域；形成于所述沟道区域上的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成有构成为含硅膜的一部分的第一含硅层；衬底载置部，其载置所述衬底；以及气体供给部，在所述第一含硅层上，以与所述膜厚分布数据的膜厚分布不同的膜厚分布，形成构成为所述含硅膜的一部分的第二含硅层，修正所述含硅膜的膜厚。
半导体器件制造方法衬底处理系统装置

[发明专利]制造硅质含氮膜的方法-CN202180078241.6在审
发明人：佐藤敦彦;R·R·达迈尔;藤原嵩士;M·莫因玻尔 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种制备硅质含氮膜的方法。聚硅氮烷膜暴露于电子束辐射，随后暴露于从真空紫外光辐射和等离子体处理中选出的至少一种工艺。处理过的膜在非氧化气氛中加热以制造硅质含氮膜。硅质含氮膜能够在低工艺温度下形成。此外，硅质含氮膜具有高折射率和低的氧含量。
制造硅质含氮膜方法

[发明专利]处理晶片的方法-CN202110239207.4在审
发明人：冈部宪明;清野拓哉;小塚亮太;滨田康弘;季子祐太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种处理晶片的方法，是用于以高纵横比进行含硅膜的蚀刻的技术。示例性实施方式所涉及的处理晶片的方法具备：准备具有基板和设置在基板上的含硅膜的晶片的工序。该方法还具备：在含硅膜上形成硬掩模的工序。该方法还具备：使用硬掩模对含硅膜进行蚀刻的工序。硬掩模具有包含钨且且设置在含硅膜上的第一膜、以及包含锆或者钛以及氧且设置在第一膜上的第二膜。
处理晶片方法

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201910043237.0有效
发明人：浅田泰生;折居武彦;铃木健斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下，能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。
蚀刻方法装置

[发明专利]氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统-CN201810191647.5有效
发明人：小林岳志;佐久间隆;山崎英亮;清水梨央;津田荣之辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。该氧化膜去除方法在将形成于图案底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失。所述氧化膜去除方法用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法包括以下工序：通过基于碳系气体的等离子体的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于图案的底部的含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻，来去除各向异性等离子体蚀刻后的含硅氧化膜的残余部分；以及去除在化学蚀刻后残留的残渣。
氧化去除方法装置以及接触形成系统

[发明专利]硅肼合前驱物化合物-CN202180032121.2在审
发明人： M·汉德尔瓦尔;T·H·鲍姆 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明提供可用于在半导体装置的制造中形成含硅膜的某些硅前驱物化合物，并且更特定来说用于形成所述含硅膜的组合物和方法，所述含硅膜是例如包含硅、氮化硅、氧氮化硅、二氧化硅、碳掺杂的氮化硅或碳掺杂的氧氮化硅膜的膜
硅肼合前驱物化

[发明专利]含硅隔膜及其制备方法、锂电池-CN202210041337.1在审
发明人：方应国;刘长昊;李雪峰 -专利权人：惠州市赛能电池有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01M50/403 文献下载
摘要：本申请提供一种含硅隔膜及其制备方法、锂电池。上述的含硅隔膜的制备方法包括以下步骤：制备基础膜，并对基础膜进行预热操作，得到预热基础膜；配制含纳米二氧化硅的静电纺丝液；将含纳米二氧化硅的静电纺丝液在预热基础膜上进行静电纺丝操作，得到含硅隔膜。上述的含硅隔膜的制备方法制备得到的韩硅隔膜具有高浸润性及保液能力。
隔膜及其制备方法锂电池

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201910231945.7在审
发明人：羽根秀臣;大下健太郎;大槻志门;小川淳;吹上纪明;池川宽晃;小林保男;小山峻史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在基板(W)上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域(R1～R3)中的氮化时间对应的参数之间的关系。
氮化硅氮化膜基板成膜装置原料气体成膜吸附等离子体形成区域成膜处理氮化气体时间调整期望

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