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[发明专利]太阳能级硅晶体的制备及提纯方法-CN200910098370.2无效
发明人：李乔;马远 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级硅晶体的制备及提纯方法，其特点是提纯及硅晶体制备过程在晶体提拉炉(采用Czochralski法进行晶体生长的设备)内完成，并且采用石墨材料加工的坩埚作为与硅原料(及其熔化后的熔液)直接接触的容器，其操作过程包括(1)加热使石墨坩埚内的硅原料熔化，在硅熔液温度1500～2000℃，硅熔液表面真空度0～500Pa条件下蒸发杂质；(2)控制硅熔液温度在1410～1500℃之间，通过籽晶诱导制备硅晶体；(3)石墨坩埚内硅熔液将耗尽时，升温至1600～1850℃，硅熔液表面的真空度控制在0～5Pa，蒸发硅熔液中余下的杂质；(4)降温但保持石墨坩埚内温度800℃以上，向石墨坩埚中加入下一批硅原料；(5)本发明方法生产的硅晶体氧含量很低，改善了掺硼硅晶体制作成的太阳能电池的光致衰减性能，也实现了连续生产。
太阳能级晶体制备提纯方法

[发明专利]一种多晶硅生产过程中的三氯氢硅提纯工艺-CN202210969993.8在审
发明人：郭婷;赵长森;牛强;徐凯;韩婷婷 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司;内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅工业生产技术领域，提供一种多晶硅生产过程中的三氯氢硅提纯工艺。所述工艺包括：脱轻：将来自冷氢化工段的液相粗氯硅烷通入脱轻塔得到液相粗三氯氢硅；络合吸附：将液相粗三氯氢硅通入络合吸附装置，对部分金属杂质及B、P非金属杂质进行络合吸附；粗馏：将络合吸附后得到的液相粗三氯氢硅通入粗馏单元，除去金属杂质及B、P非金属杂质、高低沸物，得到初级提纯的三氯氢硅液；CPS吸附：将初级提纯的三氯氢硅液通入CPS吸附装置，进一步除去杂质；精馏：将CPS吸附后的液相三氯氢硅通入精馏单元，得到高纯度三氯氢硅液本发明将络合吸附、CPS吸附和精馏工艺优化结合，能有效降低三氯氢硅中的B、P等杂质，并降低精馏成本。
一种多晶生产过程中的三氯氢硅提纯工艺

[发明专利]一种线切冷却液回收方法-CN202110383549.3在审
发明人：李小兵;杨旭洲;丁辉;赵越;魏富增;危晨;赵朋占;武瑞 -专利权人：中国矿业大学;天津市环智新能源技术有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B01D15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种线切冷却液回收方法，步骤包括：将废冷却液中的硅粉分离，获得含有硅粉的复合物和脱硅冷却液；再分别对所述复合物和所述脱硅冷却液进行处理，获得硅粉泥和再生冷却液。本发明尤其适用于超薄硅单晶金刚线切片用冷却液的大通量再生处理和超细硅粉的高收率回收，可获得高品质再生冷却液和高纯度超细硅粉泥，不仅处理量大，回收效果好，而且可持续且高效低对获得的再生冷却液、超细硅粉泥以及吸附材料进行循环再利用，整体运行成本低，仅为现有技术方法的1/4‑1/5；整体硅粉的回收率达84％以上，且获得的再生冷却液的导电率为17.7‑19.4μS/cm，表面张力为31.8‑33.1mN/m。
一种冷却液回收方法

[发明专利]一种硅液溢流检测设备及方法-CN201810594099.0在审
发明人：张涛;肖贵云;黄晶晶;白枭龙 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅液溢流检测设备及方法，其中该检测设备包括：金属丝；与金属丝的下端相连、用于判断是否与铸锭炉中的硅液面相接触的液面探测装置；设置在铸锭炉的上方、用于缠绕金属丝，并在驱动装置的驱动下调节金属丝的长度的缠绕部本申请公开的上述技术方案，利用缠绕部缠绕金属丝，当需要探测硅液面的高度时，金属丝会带动与其下端相连的液面探测装置向下移动，液面探测装置会判断其是否与硅液面接触，若发生接触，则记录金属丝的长度，通过探测时金属丝长度的变化来探测硅液面位置的变化，也即通过金属丝长度的变化来判断硅液是否溢流，从而提高硅液溢流检测的及时性，减少因硅液溢流而造成的经济损伤，降低安全事故发生的概率。
金属丝硅液液面探测装置缠绕溢流检测设备探测硅液面铸锭炉下端溢流安全事故检测设备面相接触驱动装置向下移动溢流检测损伤驱动概率记录申请

[实用新型]一种硅液溢流检测设备-CN201820899904.6有效
发明人：张涛;肖贵云;黄晶晶;白枭龙 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅液溢流检测设备，该检测设备包括：金属丝；与金属丝的下端相连、用于判断是否与铸锭炉中的硅液面相接触的液面探测装置；设置在铸锭炉的上方、用于缠绕金属丝，并在驱动装置的驱动下调节金属丝的长度的缠绕部本申请公开的上述技术方案，利用缠绕部缠绕金属丝，当需要探测硅液面的高度时，金属丝会带动与其下端相连的液面探测装置向下移动，液面探测装置会判断其是否与硅液面接触，若发生接触，则记录金属丝的长度，通过探测时金属丝长度的变化来探测硅液面位置的变化，也即通过金属丝长度的变化来判断硅液是否溢流，从而提高硅液溢流检测的及时性，减少因硅液溢流而造成的经济损伤，降低安全事故发生的概率。
金属丝硅液液面探测装置缠绕溢流检测设备探测硅液面铸锭炉下端溢流本实用新型安全事故检测设备面相接触驱动装置向下移动溢流检测损伤驱动概率记录申请

[实用新型]一种有机硅制程气液分离装置-CN201921325646.1有效
发明人：郑柚田 -专利权人：深圳市新泰盈电子材料有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有机硅制程气液分离装置，气液分离装置本体设置有气液分离罐，气液分离罐底部设置有气液分离罐支架，气液分离罐底部设置有固体有机硅释放端口，气液分离罐侧面设置有气液有机硅原料进口，气液分离罐侧面设置有液体有机硅出口，气液分离罐顶部设置有气液分离罐温度计，气液分离罐顶部设置有分离罐气体进口，气液分离罐顶部设置有气体有机硅出口，气体有机硅出口连接气体出气管道，气体出气管道侧壁设置有出口气体冷却装置，气体出气管道内侧设置有气体出口过滤器
一种有机硅制程气液分离装置

[发明专利]硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法-CN201080050770.7无效
发明人：外赤隆二;藤音喜子 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2010-11-08 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供用于硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻、不蚀刻由铜或钨等金属或者多晶硅等形成的连接塞而仅蚀刻硅基板、且具有优异的蚀刻速率的蚀刻液以及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法。本发明提供含有氢氧化钾、羟胺和水的硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液以及具有使用该蚀刻液的硅基板背面蚀刻工序的半导体芯片的制造方法。
硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻使用具有半导体芯片制造方法

[发明专利]一种选择性硅蚀刻液-CN201911242534.4有效
发明人：李少平;郝晓斌;尹印;贺兆波;张庭;万杨阳;冯凯;王书萍;张演哲;蔡步林 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C09K13/10 文献下载
摘要：本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种选择性硅蚀刻液及使用方法。所述选择性硅蚀刻液用于选择性去除p型硅基底上的未掺杂硅，组成包括硝酸（或硝酸与硝酸盐混合物）、亚硝酸盐、氢氟酸或氢氟酸盐、硅添加剂、硼添加剂及溶剂。该蚀刻液利用硝酸盐和亚硝酸盐将硅氧化成二氧化硅；利用氢氟酸将二氧化硅蚀刻去除；硅添加剂用以调节硅的蚀刻速率；硼添加剂抑制蚀刻液对p型硅的蚀刻，使蚀刻液对未掺杂硅相对于p型硅有更快的蚀刻速率。
一种选择性蚀刻

[发明专利]一种废硅料清洗方法-CN200610050726.1无效
发明人：吴云才 -专利权人：浙江昱辉阳光能源有限公司
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料清洗处理技术领域，特别涉及对废硅料去除表面污物的废硅料清洗方法，包括下列步骤：(1)硅料投放于碱液中浸泡；(2)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；(3)投放于第二个碱液中浸泡；(4)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；(5)投放于盐酸、过氧化氢的混合溶液中浸泡，压缩空气鼓泡；(6)将中和液中浸泡的硅料投放于纯水中浸泡，捞取并烘干。经本发明清洗后的废硅料完全清除了硅料表层的污染物，清洗过的废硅料符合制作半导体元器件的清洁要求。
一种废硅料清洗方法

[发明专利]一种新型多晶硅铸锭装置及其铸锭方法-CN201210526801.2无效
发明人：刘亚;郭志球;苏旭平;王建华 -专利权人：常州大学
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅铸锭技术领域，尤其是一种在隔热笼外设置有用于控制多晶硅工艺生长步骤从而得到多晶硅铸锭的磁场激励装置及其铸锭方法。该方法的步骤为：装填硅料，调节硅料电阻率，加热硅料，在硅料的融化阶段加入磁场搅拌硅液，并且在随后的结晶阶段同样加入磁场搅拌硅液，冷却并取出硅碇。本发明的有益效果是：铸造多晶硅时采用安装在隔热笼外面的磁场激励装置搅拌硅液，液相成分分布更加均匀，提纯效果更好，得到的铸锭杂质含量更低，成分更加均匀，制备出来的电池片效率更高。
一种新型多晶铸锭装置及其方法

[发明专利]一种硅粉的制备方法-CN201310026873.5有效
发明人：罗学涛;卢成浩;方明;陈娟;黄柳青;赖惠先;李锦堂 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种硅粉的制备方法，涉及工业硅除硼工艺和高纯超细硅粉的制备方法。提供一种可显著减低硼含量的硅粉的制备方法。所得硅粉可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料。1)采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；2)硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550℃～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的造渣剂；3)将硅液温度控制在1500～1700℃，然后打开阀门，启动雾化器；硅液经由导流管进入雾化器；调整雾化器出气口的气压，使硅液呈喷雾状飞出雾化器进入雾化室，由承接转盘收集得到所述的硅粉。
一种制备方法

[发明专利]一种低成本刚玉坩埚造渣除硼的方法-CN201410008149.4有效
发明人：杨凤炳;谢兴源;李伟生;龚炳生 -专利权人：福建兴朝阳硅材料股份有限公司
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：其步骤为：1）通过浇注、烘干、高温烧结在中频炉内制作刚玉坩埚；2）在矿热炉出硅液过程中，采用上述制作好的中频炉刚玉坩埚接硅液，并加热，同时测定硅液侧部温度，保持硅液温度为1450～1500℃；3）待出硅液完成后，将预热后带有通气孔道的石墨棒插入到硅液中，开始通氧气，并加入造渣剂造渣精炼；4）抬包精炼静置后，将硅渣一起倒入结晶器实现渣硅分离，得到提纯后的低磷硼多晶硅原料。
一种低成本刚玉坩埚造渣方法

[发明专利]硅刻蚀液和半导体结构的刻蚀方法-CN202010574549.7有效
发明人：宁勇;张丝柳;郑晓芬;夏余平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅刻蚀液以及一种半导体结构的刻蚀方法。该硅刻蚀液包括以体积分数计的1‑2份氟化氢、1‑3.3份过氧化氢和94.7‑98份去离子水。该半导体结构的刻蚀方法，包括：制备本发明的该硅刻蚀液；提供半导体结构，所述半导体结构的表面上覆盖待刻蚀硅层；以及将所述半导体结构浸泡在所述硅刻蚀液中，至少使所述待刻蚀硅层与所述硅刻蚀液接触。本发明的硅刻蚀液刻蚀速率稳定，具有较好的润湿性能，有利于具有高深宽比的孔状结构中的硅层刻蚀，并且适于大规模批量生产的应用场景。
刻蚀半导体结构方法

[发明专利]一种单晶硅拉晶炉的熔融硅液面检测方法及测量装置-CN201310660636.4有效
发明人：杨欣;王军会;何茜;奈斌 -专利权人：西安德伍拓自动化传动系统有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：发明公开了一种单晶硅拉晶炉的熔融硅液面检测方法及测量装置，该方法包括在单晶炉的观察口上安装一字线激光器和相机，将一字线激光光束从拉晶炉的观察口上斜射入热屏和熔融硅液面上，熔融硅液面对打入到其液面上的激光光束产生镜面反射，反射光束投影到热屏上，在热屏上的投影光束同样会在熔融硅液面上产生投影。随着熔融硅液面的变化，激光光束与熔融硅液面的接触点会随之发生变化，因此热屏上的反射光束与熔融硅液面上的投影之间的距离也会随之变化，最终使得相机接收到的光束的像素位置产生变化。通过标定图像上两投影点之间像素位置的变化与实际熔融硅液面位置的变化，就可以得到实际液面变化的信息。
一种单晶硅拉晶炉熔融液面检测方法测量装置

[实用新型]一种硅料浸泡清洗装置-CN201520762576.1有效
发明人：陈伟;汪沛渊;李林东;肖贵云;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅料浸泡清洗装置，包括鼓风系统，所述鼓风系统用于为硅料浸泡池通入气体，所述鼓风系统的输气管插入所述硅料浸泡池的酸液内。所述硅料浸泡清洗装置，通过增加鼓风系统给硅料浸泡池中通入气体，使得硅料浸泡池中的酸液流动，相当于对硅料进行了一定程度的搅拌，使那些未能与酸液充分接触的硅料和酸液充分接触，同时使酸液的流动，酸液浓度更加均匀，反应速度更快，这样就能使硅料的浸泡更加充分，除杂更加完全，减少了浸泡时间，降低了生产周期。
一种浸泡清洗装置