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[实用新型]用于多晶槽式制绒设备的去多孔硅系统-CN200920208697.6无效
发明人：周柏林;袁佩君;大石满 -专利权人：北京中联科伟达技术股份有限公司
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于多晶槽式制绒设备的去多孔硅系统，包括消防装置、热交换器、补液系统、管路系统、去多孔硅主槽、碱储槽；补液系统连接到去多孔硅主槽，去多孔硅主槽与补液系统的补液口直接相连，去多孔硅主槽循环出液口直接与碱储槽相连，依次通过碱储槽、泵、热交换器、气控阀连接到去多孔硅主槽循环进液口；消防装置的灭火器喷口、探头在去多孔硅主槽的后上方。
用于多晶槽式制绒设备多孔系统

[发明专利]用富硅植物制作补硅制剂的生产方法-CN200510079311.2无效
发明人：王敬文;杜孟浩;张金萍 -专利权人：中国林业科学研究院亚热带林业研究所
申请日： 2005-06-16 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： A61K36/06 文献下载
摘要：本发明属食品加工领域，特指从富硅植物制取可溶性硅生产补硅制剂的方法。从竹、木贼、问荆三种富硅植物分离提取可溶性硅，提取液中加入季铵化合物或氨基酸作为稳定剂，防止或避免提取液中的硅酸发生多聚化，用含稳定剂的富硅植物提取液制作补硅制剂。
用富硅植物制作制剂生产方法

[发明专利]一种单晶硅棒的拉制方法-CN202110767665.5有效
发明人：孙介楠 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒，所述方法包括：将设定质量的多晶硅熔料和第一预设质量的掺杂剂放置于石英坩埚中加热熔化形成硅熔液后，下降籽晶至所述硅熔液液面处并拉制第一预设长度的第一单晶硅棒节；在所述第一单晶硅棒节冷却后将所述第一单晶硅棒节移出拉晶炉，并沿所述第一单晶硅棒节的细颈处剪断以获得剩余的籽晶；下降所述剩余的籽晶至剩余的所述硅熔液液面处，拉制带水平肩部的晶体；提升所述晶体至副炉室冷却后，将第二预设质量的所述掺杂剂放置在所述晶体的水平肩部处；通过下降所述晶体直至所述晶体完全浸入所述剩余的硅熔液中熔化后，拉制第二预设长度的第二单晶硅棒节。
一种单晶硅拉制方法

[发明专利]一种碳化硅的回收方法-CN201110021374.8无效
发明人：孙玉龙;刘永浩;蔡明哲 -专利权人：虹京环保有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅的回收方法，是对含硅砂浆中碳化硅的回收方法，含硅砂浆含有碳化硅、硅、杂质及分散液；回收其中碳化硅的方法是对该含硅砂浆进行过滤以初步滤除该分散液，获得硅泥；对硅泥进行加热至残留的分散液挥发，获得去除杂质的碳化硅/硅混合物；将碳化硅/硅混合物置于碱性溶液中，以使该碱性溶液溶解该碳化硅/硅混合物中的硅；及去除溶有硅的碱性溶液，获得经纯化的碳化硅。本发明优点是：1.避免含硅砂浆中的分散液变质；2.避免使用有机溶剂分离碳化硅；3.避免使用高速离心方式分离碳化硅。
一种碳化硅回收方法

[发明专利]一种降低金属硅中氧、碳含量的方法-CN200810070925.8无效
发明人：郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低金属硅中氧、碳含量的方法。本发明采用在硅液中吹入氧气、氢气和水蒸气，使氢气和氧气在硅液中反应产生局部高温，使硅液中的O、C元素随气体排放而除去，从而提供了一种操作步骤简单、生产成本低廉的降低硅液中O、C元素含量的方法。
一种降低金属硅含量方法

[发明专利]一种粉煤灰铝硅分离利用的方法以及其方法得到的雪硅钙石和氧化硅-CN201410031787.8有效
发明人：肖永丰;孙琦;王宝冬;刘晓婷;王晓欢;赵利军;禹耕之 -专利权人：神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉煤灰铝硅分离利用的方法，该方法包括（1）将粉煤灰与碱溶液接触进行预脱硅反应，固液分离得到脱硅液和脱硅粉煤灰；（2）将脱硅粉煤灰与生石灰和碳酸钠混合进行烧结，得到熟料，熟料经溶出得到铝酸钠粗液和碱式硅酸钙；（3）将铝酸钠粗液经脱硅、碳分和焙烧，得到氧化铝；（4）将碱式硅酸钙加入到步骤（1）得到的脱硅液中，并加入石灰乳进行联合苛化脱碱，固液分离得到雪硅钙石和碱溶液。本发明还公开了一种用上述方法得到的雪硅钙石和氧化硅。本发明方法极大提高了粉煤灰提铝的附加值。
一种粉煤灰铝硅分离利用方法及其得到雪硅钙石氧化

[发明专利]一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托-CN200910115701.9有效
发明人：万跃鹏 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能或光伏领域中的防止硅液漏流用坩埚托，特别是用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托。一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其特征在于：侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成：氮化硅材料80-100％，添加剂20-0％，本发明提供的防止硅液漏流用坩埚托能够很好的解决现有的硅液漏流的技术问题。
一种用于多晶生产领域防止硅液漏流用坩埚

[发明专利]硅粒的处理方法和装置-CN200680054320.9有效
发明人：高桥胜巳;田中雅也;斋藤博之;木南治行;佐佐木猛 -专利权人： IHI压缩和机器株式会社;M·塞特克株式会社
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：可以通过低成本的设备高效地分离排出液中的硅粒，再用作单晶硅锭的制备原料。具有：从由硅锭加工装置排出的含有硅粒的排出液中回收硅粒的回收装置(12)；储存向硅粒中混合酸将杂质溶解而得到的溶解混合液的混合液罐(1)；经由供给通路(8)和返回通路(10)与混合液罐(1)连接、在滤布上形成硅粒的滤饼而进行过滤的滤布式过滤机(2)；向混合液罐(1)中供给纯水的纯水供给设备(49)；可将向滤布的过滤面一侧供给加压空气、将硅粒的滤饼脱水的操作，和向滤布的过滤面相反一侧供给加压空气、使脱水的滤饼脱落并取出的操作切换进行的加压空气供给设备(34)，可高效地分离并回收除去了杂质的单晶硅粒。
处理方法装置

[实用新型]一种工业用水除硅装置-CN201621071520.2有效
发明人：栾霄;侯昌福;罗宁慧;邹艺萌 -专利权人：新疆瑞欣化工有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工业用水除硅装置，涉及脱硅技术领域，所述工业用水除硅装置包括筒体和封头，封头固定在筒体的上端，封头或筒体上开设有进液口，筒体下端开设有出液口，筒体的上部固定有一个水平的隔板，隔板上开设有多个下液口，隔板下侧设有多个与下液口对应的滤袋，滤袋上端开口处连接下液口，滤袋内填充有不溶于水的除硅颗粒，待处理原水经过进液口后到达从隔板上侧并经下液口流经滤袋内的除硅颗粒。除硅效率和除硅效果均明显提高，而且本实用新型的除硅颗粒不会产生二次污染，经济效益显著。
一种工业用水装置

[发明专利]一种回收硅渣中金属硅的方法-CN202010025057.2在审
发明人：赵新田;于建明;陈冬冬;阮传山;乔宁波;武叶芳;张翼飞 -专利权人：新疆西部合盛硅业有限公司;新疆东部合盛硅业有限公司;石河子市腾新材料科技有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及硅渣处理技术领域，具体涉及一种回收硅渣中金属硅的方法。主要技术方案为：一种回收硅渣中金属硅的方法，包括以下步骤:1)硅渣破碎：将硅渣磨至粒度为0.5mm～5mm的硅渣颗粒；2)将磁铁矿粉与水配比成重介质液A；重介质液A密度为2.4g/cm3～2.5g/cm3；3)重介质液A在重介质旋流器一中循环；4)将硅渣颗粒送入重介质旋流器一中，进行旋流，将金属硅与硅渣分离；5)对溢流出的产品进行液固分离，得到固体物一；6)将所述固体物一进行干燥，得到金属硅含量较高的硅渣。采用本发明能够提高硅渣中硅金属回收利用率以及提升回收的硅金属中硅含量。
一种回收硅渣中金属硅方法

[发明专利]一种片状硅的制备方法-CN201210546258.2有效
发明人：罗学涛;卢成浩;方明;黄柳青;赖惠先;陈娟;李锦堂 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。
一种片状制备方法

[发明专利]一种铝土矿高效快速脱硅方法-CN201510952301.9有效
发明人：陈湘清;李花霞;郑慧慧 -专利权人：湖南绿脉环保科技有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C01F7/06 文献下载
摘要：本发明属于铝土矿脱硅技术领域，具体公开了一种铝土矿高效快速脱硅方法。该铝土矿高效快速脱硅方法包括步骤：铝土矿与碱液混合，配制成反应料浆，反应料浆液固比2～50，反应料浆在微波反应器中反应溶出硅，反应温度10～130℃，反应时间2～220min，反应结束后反应液进行固液分离，所得液相为含硅溶液，含硅溶液中SiO
一种铝土矿高效快速方法

[发明专利]单晶炉漏硅检测方法、设备及存储介质-CN201911309443.8有效
发明人：徐战军;冉瑞应;金雪;李博一;李侨;周锐 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： G01M3/32 文献下载
摘要：本公开提供一种单晶炉漏硅检测方法、设备及存储介质，涉及太阳能光伏领域，能够及时检测单晶炉是否漏硅，提高单晶炉的安全性，降低事故风险。具体技术方案为：获取同一时刻单晶炉坩埚内硅液液面的理论高度值和实际高度值；计算硅液液面的理论高度值和实际高度值的差值；在差值大于预设阈值时，确定单晶炉发生漏硅。本发明用于漏硅检测。
单晶炉漏硅检测方法设备存储介质

[发明专利]基于改良西门子法的多晶硅生产方法及多晶硅生产设备-CN201410833933.9有效
发明人：王西玉 -专利权人：新疆大全新能源有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了基于改良西门子法的多晶硅生产方法及多晶硅生产设备，属于多晶硅生产技术领域，解决了参与还原反应三氯氢硅的纯度低，影响三氯氢硅的一次转化率并导致多晶硅的生产成本高的问题。本发明的主要技术方案为：一种基于改良西门子法的多晶硅生产方法，包括：步骤1，三氯氢硅还原沉积得到多晶硅，排出尾气；步骤2，尾气经多级冷凝得到不凝气和冷凝液，不凝气进入吸收塔，吸收塔吸收不凝气中的HCL并流出氯硅烷富液；冷凝液与氯硅烷富液混合后进入解析塔；步骤3，解析塔流出的氯硅烷贫液至少一部分发生反歧化反应，使氯硅烷贫液中的二氯二氢硅的质量百分含量降低；步骤4，反应后的氯硅烷贫液进入精馏塔；精馏塔产物进入还原炉。
基于改良西门子多晶生产方法设备

[发明专利]一种冶炼含氯化物强腐蚀性硅渣的装置及其方法-CN202110510358.9在审
发明人：何建军;吴展平 -专利权人：江苏秦烯新材料有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种冶炼含氯化物强腐蚀性硅渣的装置及其方法，在光源的作用下，利用光电探测技术将硅渣中不同颜色的硅与渣进行自动分拣，实现硅与渣的分离；促进了硅颗粒的富集，减少了硅渣中夹杂硅的含量，单质硅颗粒的纯度达到工业硅品质的要求，中矿中单质硅的质量含量5‑20%，并经过重熔后实现渣硅的分离得到单质硅和硅渣；渣中单质硅的含量不高于2%，可实现硅渣的分值化利用；采用石墨坩埚作为发热体，使得硅液与熔炼炉膛隔绝接触，避免了高温强腐蚀性氯化强酸性气体腐蚀穿孔的情况发生；采用氢氧化钠作为覆盖剂，氢氧化钠会浮在硅液表面，可以有效隔绝硅液与空气的接触，减少硅液被氧化的程度，大大提高了硅的回收率。
一种冶炼氯化物腐蚀性装置及其方法