[发明专利]一种选择性硅蚀刻液有效
申请号: | 201911242534.4 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN111019659B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 李少平;郝晓斌;尹印;贺兆波;张庭;万杨阳;冯凯;王书萍;张演哲;蔡步林 | 申请(专利权)人: | 湖北兴福电子材料有限公司 |
主分类号: | C09K13/10 | 分类号: | C09K13/10 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443007 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于集成电路电子化学品领域,具体涉及一种选择性硅蚀刻液及使用方法。所述选择性硅蚀刻液用于选择性去除p型硅基底上的未掺杂硅,组成包括硝酸(或硝酸与硝酸盐混合物)、亚硝酸盐、氢氟酸或氢氟酸盐、硅添加剂、硼添加剂及溶剂。该蚀刻液利用硝酸盐和亚硝酸盐将硅氧化成二氧化硅;利用氢氟酸将二氧化硅蚀刻去除;硅添加剂用以调节硅的蚀刻速率;硼添加剂抑制蚀刻液对p型硅的蚀刻,使蚀刻液对未掺杂硅相对于p型硅有更快的蚀刻速率。 | ||
搜索关键词: | 一种 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】:
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