“直拉法单晶炉中”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11230185个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂-CN201010292543.7有效
发明人：江国庆 -专利权人：江国庆
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域，单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质，其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质，由于氧的存在严重影响单晶硅的品质，本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气，用它们的混合气体来作保护气体，以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧，氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛，促使SiO的蒸发，随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量，加大混合气体的流速，能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉；本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂，它效果好，提高了硅单晶的品质，达到高质量的单晶的生长。
直拉法生长单晶硅利用混合气体

[发明专利]基于直拉法生长单晶硅的方法-CN201710402193.7在审
发明人：张进 -专利权人：江苏拓正茂源新能源有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直拉法生长单晶硅的方法，该直拉硅单晶生长方法主要步骤为：流程准备→装炉→抽空→捡漏→充氩气→加热→引晶→缩细颈→放肩→转肩→等径生长→收尾→降温→停电→停氩气→停真空泵→拆炉。本发明采用直拉法生长单晶的设备和工艺简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中的杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。
直拉法单晶生长单晶硅制备大直径单晶直拉硅单晶氩气等径生长低电阻率流程准备生产效率充氩气真空泵拆炉放肩细颈引晶装炉加热抽空收尾停电

[实用新型]一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒-CN201721802617.0有效
发明人：杨东;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒，包括设置于单晶炉内排气孔位置的导气筒体，导气筒体上设置有用于向单晶炉内反射热量的反射片。本实用新型一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒安装于单晶炉的排气孔处，利用导气筒体上的钼片将热量反射回单晶炉炉膛内再次利用，有效避免了热量散失，从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。
导气筒单晶硅单晶炉直拉法拉晶本实用新型炉膛生产内排气孔排气孔处热量反射热量散失有效运行再次利用反射片内反射钼片

[实用新型]直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉-CN201821745466.4有效
发明人：董汝昆;惠峰;李学洋;普世坤;钟文;赵燕;陈代凤;张鹏;滕文;李长林;林作亮 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉，涉及一种单晶生长炉设备，尤其是直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉设备。直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉，将石墨件安装在石英炉管外面，并由石英保温圈包裹将其密封，再配置相应的高频感应线圈环绕于石英炉管外部；其中，石英炉管分为两段，上段空心圆柱内腔大于下段空心圆柱内腔；所述的石英支撑件分为两个部分本实用新型的结构减少了部件所产生的污染源，进而提升超高纯锗单晶的质量水平，从而保证了晶体生长过程中热传导的均匀性，并且延长了石墨件的使用寿命。
石英炉管单晶生长炉高纯锗直拉法单晶石墨件石英生长空心圆柱保温圈内腔分设高频感应线圈晶体生长过程本实用新型单晶炉设备使用寿命质量水平超高纯均匀性热传导再配置锗单晶支撑件外部两段下段密封污染源环绕支撑保证

[实用新型]直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉-CN201120270321.5有效
发明人：戴建俊;王如军;高俊 -专利权人：江苏兆晶光电科技发展有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，包括单晶炉体，单晶炉体包括炉筒和与炉筒相配的炉盖，炉筒内具有坩埚，坩埚内放置原料，还具有投料装置，所述的投料装置包括投料桶和升降投料桶的升降装置，炉盖上部与坩埚相对应的位置开有供投料桶进出的加料口和相应的密封盖。本实用新型的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，结构简单，易于实现，一炉中可以装更多的料，提高石英坩埚的利用率，同时节约了时间，提高了产能，节能降耗，降低成本。
直拉法单晶硅制备具有二次投料装置单晶炉

[实用新型]一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉-CN201922387139.7有效
发明人：王宇;冯德伸;于洪国;雷同光;李燕;马英俊;林泉 -专利权人：北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉。一种直拉单晶炉底部用保温装置包括：坩埚杆，以及套设于所述坩埚杆上的一个或多个保温板，所述多个保温板间隔设置。本实用新型提供的保温装置可随坩埚的升降而移动，保持了坩埚底部与保温装置的距离稳定，有效的增强了单晶炉中坩埚底部的保温效果，减少温度梯度的变化，并且实用方便，效果显著，适用于低位错锗等一些对温度梯度要求较高晶体的直拉法生长工艺
一种直拉单晶炉底部保温装置

[实用新型]直拉法生长高少子寿命掺镓硅单晶炉用的附加导流装置-CN201320077801.9有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦;任丽
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶炉用的附加导流装置，包括：石英套筒，石英套筒顶端设置外沿，在外沿下方依次设置若干圆周分布小孔，小孔均匀分布。所述的石英套筒呈倒梯形。通过单晶炉内导流系统的优化，使所生长的掺镓硅单晶的少数载流子寿命（以下简称少子寿命）得以提高。本实用新型具有不破坏通用单晶炉构造、改造成本低、具有能够有效提高直拉法生长掺镓硅单晶少子寿命的特点，并且同样适用于其它直拉法掺杂硅单晶炉，生产掺杂硼的硅单晶和掺杂磷的硅单晶。
直拉法生长少子寿命掺镓硅单晶炉用附加导流装置

[发明专利]一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法-CN201610841507.9在审
发明人：涂准;白忠学;白喜军;王文华;魏国锋;杨正华;刘平虎 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开的一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法，包括步骤拉制并提出一段多晶；将加热功率提高到引晶功率以上，降低氩气流量，并将石英坩埚位置下降至引晶埚位以下以挥发杂质；调整氩气流量、设定节流阀开度后进行吹拂；重新调整石英坩埚位置并更换籽晶和重锤，调整石英坩埚转速和氩气流量；然后利用直拉单晶法执行引晶、放肩、等径、收尾、停炉工序，得到单晶棒材。本发明的一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法解决了现有的直拉单晶法拉晶过程中由于单晶炉台异常导致晶体成晶困难的问题，其通过对拉晶过程中步骤及参数的改变，降低晶体成晶难度，降低人员劳动强度，减少了生产成本，提高了单晶炉单晶成晶率和成品率。
一种提高直拉单晶法成晶率方法

[发明专利]一种提高直拉硅单晶生产效率的方法-CN201110199363.9有效
发明人：周建华 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高直拉硅单晶生产效率的方法，包括以下步骤：一、硅原料及掺杂剂准备；二、装料；三、单晶炉炉内处理：按直拉法常规处理工艺，依次完成合炉、抽真空、熔料、引晶、放肩、转肩和等径生长过程；四、后期处理，过程如下：首先、关闭单晶炉的石墨热场系统，使单晶炉的加热功率降至零；之后，石英坩埚内剩余硅熔体表面开始结晶，且待结晶快接触硅单晶晶体时，将晶体快速提离硅熔体液面；最后，进行晶体提升及取晶，获得硅单晶成品本发明设计合理、方法步骤简单、实现方便且易于掌握、使用效果好，省略了晶体拉制的收尾过程，提高了生产效率，能解决硅单晶生产过程中因必须进行收尾工序使得直拉硅单晶生产效率受到限制的问题。
一种提高直拉硅单晶生产效率方法

[发明专利]一种降低单晶头氧含量的方法-CN202210740650.4在审
发明人：段俊飞 -专利权人：乌海市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种降低单晶头氧含量的方法，属于直拉单晶硅技术领域，所要解决的技术问题是直拉法单晶硅的生长过程中头部的氧含量高的问题，采用的技术方案包括如下步骤：安装热场，装有原料的石英坩埚使用吊料车吊入炉内，进行合炉拆炉后调整干泵频率进行抽真空；熔料，将坩埚中的硅晶体原料加热熔化，形成稳定流动的熔体；将籽晶将至液面使用余热熔接并开始引晶；晶体呈纵向生长等径生长，生长完成后进行收尾；将晶体冷却后取出，进行二次加料，完成后再次熔料；循环上述步骤拉直多段晶体，最后一段将坩埚内晶体熔料消耗剩余5‑7kg停炉。本发明用于直拉法单晶硅生长，可以降低单晶硅头氧含量0.8‑1.5ppma。
一种降低单晶头氧含量方法

[发明专利]生产硅单晶的直拉区熔法-CN00105518.6有效
发明人：沈浩平;李翔;汪雨田;昝兴利 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2000-03-30 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种生产硅单晶的直拉区熔法，是由直拉炉和区熔炉完成的，步骤如下(1)将料装入直拉炉抽真空充氩气，(2)加热化料熔接籽晶，(3)拉细颈，(4)放肩收肩，(5)等径生长，(6)收尾，(7)降温出炉，(8)对多晶棒定形加工清洗腐蚀，(9)装入区熔炉抽真空充氩气，(10)预热化料熔接籽晶，(11)引晶拉细颈，(12)放肩等径生长，(13)拉断尾部，(14)降温停炉晶体出炉。本发明克服了直拉硅中的高氧含量，生产的硅单晶氧含量为1016atm/cm3，热稳定性好，又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足，可掺入特殊固态元素，提高了区熔炉的产能，降低了生产成本缩短了生产周期。
生产硅单晶直拉区熔法

[发明专利]一种提高直拉法单晶生长速度的单晶炉-CN201310745105.5在审
发明人：吴亮;黄小卫;孟召标;刘辉;伍耀川;陈龙 -专利权人：上海涌真机械有限公司;苏州协鑫工业应用研究院有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高直拉法单晶生长速度的单晶炉，包括导流筒，在导流筒内设置有冷却装置，所述冷却装置包括环绕导流筒内壁的钼筒，钼筒的内侧环绕设置中空的铜管，铜管的两端伸出到单晶炉外部，其中一端为冷却介质的进口本单晶炉结构设计合理，铜管按照一定锥度绕制后，穿出炉外，杜绝了冷却介质在炉内泄漏的可能。导流筒可以避免熔体飞溅到冷却装置。在直拉法单晶炉热场中采用该装置，可以强化生长界面附近的晶体冷却效果，增大晶体的纵向温度梯度，从而大幅提高晶体的生长速度。达到快速生长晶体，降低晶体加工成本的目的。
一种提高直拉法单晶生长速度单晶炉

[发明专利]一种分体式直拉单晶炉泄压方法-CN202210577422.X在审
发明人：刘海;彭亦奇;王人松;周子义 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分体式直拉单晶炉泄压方法，属于光伏技术领域。本发明提出的方法为：首先，利用连接件将泄压门与主炉腔体扣合锁紧；泄压门安装在分体式直拉单晶炉的主炉腔体上，通过连接件与主炉腔体扣合锁紧后形成完整且密封的分体式直拉单晶炉；然后，通过分体式直拉单晶炉进行直拉法制备单晶；之后，当分体式直拉单晶炉中发生爆炸时，主炉腔体中的压力增高，泄压门受压力作用向外打开，高温气体流出，使得主炉腔体中的压力迅速降低。本发明通过将完整的一体式直拉单晶炉腔更改为由泄压门和主炉腔体构成的分体式直拉单晶炉腔，当炉体发生爆炸，泄压门可以迅速打开泄压，从而避免了炉盖脱离炉体，炉中高温气流逸散，造成人员伤亡的问题。
一种体式直拉单晶炉泄压方法

[发明专利]感应加热直拉法生长单晶的辅助加热方法和装置及单晶炉-CN201811548809.2在审
发明人：肖学峰;张学锋;韦海成;张欢 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种感应加热直拉法生长单晶的辅助加热方法，晶体生长的阶段，在坩埚外侧设置辅助温场，所述坩埚自身可发热，将所述辅助温场放置于坩埚径向延伸的坩埚侧壁外侧的位置，通过所述辅助温场加热坩埚内熔体，提高坩埚内熔体的纵向温度梯度，本发明技术方案中，通过在坩埚外侧增加辅助温场，为坩埚内熔体加热，这样就能抵消熔体液面上方裸露出的坩埚的侧壁对熔体产生的热量，保证晶体生长所需的温度梯度，本发明还提供了一种感应加热直拉法生长单晶的辅助加热装置，本发明还提供了一种感应加热直拉法生长单晶的单晶炉。
坩埚感应加热直拉法单晶温场内熔体生长辅助加热晶体生长单晶炉辅助加热装置纵向温度梯度方法和装置加热坩埚径向延伸外侧设置温度梯度坩埚侧壁侧壁对体液熔体加热抵消发热保证

[实用新型]一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的装置-CN202221394323.X有效
发明人：孔凯斌;王彦君;孙晨光;周宏邦;王淼;娄中士;侯明超;贾海洋;张强;刘伟;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的装置，包括气掺装置和磁场装置，其中，气掺装置设于单晶炉内，且气掺装置环设于单晶硅棒的周侧，用于掺杂气体的通入；磁场装置设于单晶炉的外部，用于产生勾形磁场本实用新型的有益效果是在直拉单晶中利用气掺装置与磁场装置相配合，进行气相掺杂，能够克服直拉法单晶受到硼/磷单质分凝的自然规律，改变电阻率分布头部电阻高、尾部电阻低的现状，提高符合客户规格的入档电阻率。
一种提高 cz 法高阻半导体晶轴电阻率均一装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条