“雷同光”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]石英容器熏碳装置及熏碳方法-CN202211447123.0有效
发明人：柴晨;马远飞;王博;刘志远;林泉;雷同光;郭伟才 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本申请涉及石英容器熏碳技术领域的一种石英容器熏碳装置及熏碳方法，熏碳装置包括：加热炉，加热炉内形成第一温区和第二温区；承载器，承载器穿过第一温区和第二温区，承载器内形成石英容器的承载腔，承载器位于第一温区远离第二温区的一侧形成进气端，位于第二温区远离第一温区的一侧形成出气端；惰性气体罐，与进气端之间连接有第一管路；蒸发瓶，与进气端之间连接有第二管路，与惰性气体罐之间连接有第三管路，且第二管路位于蒸发瓶内的端口高于第三管路位于蒸发瓶内的端口；引气组件，与出气端可拆卸连接。本申请可以实现对石英容器表面熏附碳层，有效控制石英容器内壁碳膜的均匀程度和厚度，提高碳膜牢固度，并降低生产成本和安全风险。
石英容器装置方法

[发明专利]去除锗单晶熔体浮渣的方法及去除锗单晶熔体浮渣的装置-CN202310004462.X在审
发明人：王宇;王博;冯德伸;于鹏涛;林泉;李燕;雷同光 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除锗单晶熔体浮渣的方法及去除锗单晶熔体浮渣的装置，其中去除锗单晶熔体浮渣的装置包括单晶炉、升降装置、坩埚、加热装置、调节装置以及石墨环；升降装置设于所述单晶炉内；坩埚与所述升降装置连接，所述升降装置用于调节所述坩埚的高度；加热装置环设于所述坩埚外；调节装置设于所述单晶炉内；石墨环与所述调节装置连接，所述调节装置控制所述石墨环在上下方向的位置。本发明提供的去除锗单晶熔体浮渣的装置，通过使坩埚内壁温度和熔体温度形成温度差，有效的收集浮渣，石墨环将浮渣与锗晶体完全隔离，浮渣无法进入石墨环的内环，提高了锗晶体的成晶率。
去除锗单晶熔体浮渣方法装置

[发明专利]一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺-CN202011151951.0有效
发明人：王宇;冯德伸;李燕;雷同光;王博 -专利权人：中国有研科技集团有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺，包括以下步骤：(1)通过常规缩颈工艺将细颈的尺寸控制在3‑5mm，长度150‑300mm；(2)将细颈放粗到Φ15±2mm，等径拉制一段长度，直到细颈部位到达600℃以下的热场区域，然后再放肩到单晶所需的直径。本发明的工艺用于在小梯度热场下，能够在拉制大尺寸无位错锗单晶时，减少细颈因受单晶重力因素导致塑性形变而产生位错，避免这些位错延伸到单晶。
一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺

[发明专利]一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺-CN202111680194.0有效
发明人：王宇;冯德伸;刘宁;王博;李燕;雷同光;林泉 -专利权人：中国有研科技集团有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺。该热场的结构包括筒形主加热器和圆盘形底加热器，在主加热器外层依次设置有石墨保温桶、固化碳毡保温桶，在石墨保温桶和固化碳毡保温桶上端设有紧贴炉壁的多层保温盖，相邻的两层保温盖之间用石英块隔开；热屏悬挂在保温盖上，并从保温盖朝向靠近单晶的方向延伸到熔体液面上方的位置；热屏采用多层结构设计，热屏的主体结构为喇叭形，靠近单晶的内层热屏采用上薄下厚的楔形结构，两层热屏之间具有间隙。锗单晶的生长过程中，在籽晶前端浸入熔体前，需要分为四个烤晶悬停位置，使籽晶缓慢地从冷区浸入热区；调整热场的温度梯度，保证单晶生长环境的稳定性。
一种直拉法生长无位错锗单晶热场工艺

[实用新型]应用于锗单晶生长的掺杂装置-CN202123177763.8有效
发明人：曹旭;刘志远;李燕;王博;王宇;张路;雷同光;赵哲;孔腾飞 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该应用于锗单晶生长的掺杂装置包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。
应用于锗单晶生长掺杂装置

[发明专利]原料锗的清洗装置及其清洗方法-CN201911361145.3有效
发明人：张路;雷同光;魏炜 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种原料锗的清洗装置及其清洗方法，清洗装置包括用于盛放待清洗原料锗和清洗液的清洗槽、用于对待清洗原料锗进行喷淋的花洒装置、用于对清洗槽进行加热的加热炉盘和引水装置，清洗槽的顶部开口，花洒装置位于清洗槽的上方，且其喷头位置与顶部开口位置对应，引水装置的内部设有加热设备，引水装置的一端与水源控制接通，另一端与花洒装置内部控制接通，加热炉盘位于清洗槽的下方，清洗槽设有控制排液口；清洗方法包括利用该清洗装置对原料锗进行清洗。本发明的清洗装置，安全性能好，清洗效率高，清洗出的锗能够保持99.5％以上的纯度。
原料清洗装置及其方法

[实用新型]籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置-CN202022910260.6有效
发明人：王博;李燕;柴晨;雷同光;王宇;冯德伸;于洪国;林泉 -专利权人：有研新材料股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C23G3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种籽晶清洗用置放结构及应用于锗单晶生长的籽晶清洗装置，该籽晶清洗用置放结构包括框架本体和多个限位凹槽，框架本体包括至少三个侧板，所述至少三个侧板均竖直设置，并且所述框架本体为采用所述至少三个侧板合围形成；所述多个限位凹槽均设置在所述侧板的顶部，用于盛放籽晶。该籽晶清洗用置放结构通过在侧板的顶部侧面上设置限位凹槽，能更大限度地将籽晶全部浸润在清洗液中，清洗较为彻底；同时还起到限位作用，避免籽晶之间产生磕碰，使得籽晶清洗更加彻底、安全。
籽晶清洗置放结构应用于锗单晶生长装置

[实用新型]应用于锗单晶生长的掺杂装置-CN202022839236.8有效
发明人：刘志远;李燕;王博;雷同光;王宇;曹旭;赵哲;孔腾飞;邢俊;冯德伸;于洪国 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该掺杂装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和阻挡结构，所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体的底端设有入口；所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处；所述阻挡结构可移动的设置在所述容纳腔内，且位于所述入口处。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。
应用于锗单晶生长掺杂装置

[实用新型]应用于锗单晶生长的杂质浮渣清除装置-CN202022840437.X有效
发明人：李燕;王博;马会超;刘志远;雷同光;王宇;曹旭;赵哲;孔腾飞;邢俊;冯德伸;于洪国 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的杂质浮渣清除装置，该装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和连接部，所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体的底端设有入口；所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处；所述连接部设置在所述盖体顶部，用于连接籽晶连接杆。该杂质浮渣清除装置可以用于锗单晶生长过程中，能够快速、干净有效去除熔体表面杂质浮渣。
应用于锗单晶生长杂质浮渣清除装置

[发明专利]锗单晶及锗单晶的热处理工艺-CN202110202067.3在审
发明人：王博;冯德伸;易见伟;王宇;李燕;马远飞;于洪国;林泉;雷同光 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗单晶及锗单晶的热处理工艺，该热处理工艺包括以下步骤：在惰性气氛中，对锗单晶依次进行第一恒温阶段、第一降温阶段、第二恒温阶段、第二降温阶段的处理；其中，第一恒温阶段为：升温至750～850℃，然后恒温保持一定时间；第一降温阶段为：以一定的速度降温至450～550℃；第二恒温阶段为：在450～550℃的条件下恒温一定时间，并且所述第二恒温阶段的恒温时间大于所述第一恒温阶段的恒温时间；第二降温阶段为：以一定的速度降温至20～30℃。该热处理工艺能够有效消除250mm以上大直径锗单晶中的残余应力，提高锗单晶的光学均匀性，对红外锗单晶加工和制造环节有重要作用。
锗单晶热处理工艺

[实用新型]一种单晶炉保温盖结构-CN201922387136.3有效
发明人：王博;冯徳伸;于洪国;雷同光;李燕 -专利权人：北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉保温盖结构，包括盖形结构和盖片，盖片设置于盖形结构的盖底，盖片和盖底适配，盖形结构的盖底和盖片均对应设有中心通孔和两个观测窗口，两个观测窗口环绕中心通孔设置。本实用新型的单晶炉保温盖结构，盖形结构可以起到很好的保温作用，下方的盖片可以将单晶炉内的大部分热量反射回炉体，进一步增强保温效果，减小单晶生长的温度梯度。
一种单晶炉保温结构

[实用新型]一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉-CN201922387139.7有效
发明人：王宇;冯德伸;于洪国;雷同光;李燕;马英俊;林泉 -专利权人：北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉。一种直拉单晶炉底部用保温装置包括：坩埚杆，以及套设于所述坩埚杆上的一个或多个保温板，所述多个保温板间隔设置。本实用新型提供的保温装置可随坩埚的升降而移动，保持了坩埚底部与保温装置的距离稳定，有效的增强了单晶炉中坩埚底部的保温效果，减少温度梯度的变化，并且实用方便，效果显著，适用于低位错锗等一些对温度梯度要求较高晶体的直拉法生长工艺。
一种直拉单晶炉底部保温装置

[实用新型]一种红外锗单晶生长用直径测量装置-CN201922376038.X有效
发明人：李刚;雷同光;李燕 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G01B5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种红外锗单晶生长用直径测量装置，包括竖直台和游标卡尺组件；所述游标卡尺组件包括主尺和游标，所述游标设置于主尺上，且与主尺滑动连接；所述游标设有镜头；所述镜头的光轴与所述主尺垂直，所述镜头的镜面设有单晶边缘对准标识；所述竖直台与所述主尺固定连接，且互成90°夹角。该直径测量装置采用L型结构，且通过镜头可准确定位锗单晶的左右边缘，可在拉制过程中准确测量锗单晶的直径，以解决现有技术中测量红外锗单晶的误差问题，且具有结构简单、操作方便的优点。
一种红外锗单晶生长直径测量装置

[实用新型]坩埚杆及直拉单晶炉-CN201922421356.3有效
发明人：魏炜;雷同光;李燕 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司;有研新材料股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种坩埚杆及直拉单晶炉，所述坩埚杆的内部具有冷却水循环管路，并且所述冷却水循环管路沿着所述坩埚杆的高度方向设置；所述冷却水循环管路的进水口和至少一个出水口均设置在所述坩埚杆的底部。该坩埚杆能有效降低坩埚杆实用过程中的温度，有效保护密封结构，最终保障单晶成品率。
坩埚直拉单晶炉

[实用新型]配合区熔管使用的区熔舟以及区熔设备-CN201920901916.2有效
发明人：朱显超;李万朋;许所成;张嘉亮;雷同光;冯德伸;霍承松 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B13/14 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种配合区熔管使用的区熔舟以及区熔设备，涉及锗单晶制备技术领域，包括：上舟体和下舟体，所述上舟体设置在所述下舟体的顶端，上舟体和下舟体在自下至上的方向上横截面面积逐渐增大；间隔支撑件，间隔支撑件支撑在上舟体和下舟体之间。在上述技术方案中，区熔舟便通过上舟体和下舟体构成，当下舟体置于区熔管的内腔以后，内腔中空置的空间可以继续容纳上舟体，使区熔管的内腔空间得到充分的利用，利用上舟体和下舟体共同盛装更多量的锗锭原料，并利用等量电能同时加热更多量的锗锭原料。由于区熔效率的提升和能耗的降低，从而便可以大大的降低区熔操作的成本。
配合区熔管使用区熔舟以及设备

1
2
下一页»
尾页
共 22 条