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[实用新型]镜头冲击振动试验连接装置-CN202321400158.9有效
发明人：李健;余仕涛;罗志刚;赵继凡;李永雷;段述慧;吴偲偲 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01M7/08 文献下载
摘要：镜头冲击振动试验连接装置，属于红外光学零件检测领域。包括定位盘和连接盘，连接盘平面为矩形，四角处均设置竖直的转角立板并开设连接螺孔，连接盘平面上均匀开设连接螺孔，定位盘底部沿边缘开设若干固定螺孔，并在连接盘的相应位置开设匹配的螺孔，并使用固定螺钉从连接盘下方穿过螺孔将定位盘固定在连接盘顶面中部，定位盘侧壁上均匀开设一圈定位调节孔，定位调节孔内设置调节螺钉。使用该装置能够使整流罩镜头安装在振动试验台上进行试验与检测，连接可靠性高且能够转变多种试验位置与角度，自由度高。通过设定不同使用环境、频率及场景，对整流罩镜头外壳裂纹、变形，镜片脱落、晃动，通电观测成像情况进行试验判定。
镜头冲击振动试验连接装置

[发明专利]一种夹渣含杂的单晶锗废料除杂方法-CN202210196199.4有效
发明人：刘得伟;李宝学;杨涛;尹正雄;赵伟;周安祥;陆贵兵;普世坤 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
一种夹渣含杂单晶锗废料方法

[实用新型]一种磁控溅射镀膜制作整流罩引信装置-CN202321397975.3有效
发明人：李健;余仕涛;赵继凡;李永雷;罗志刚;段述慧 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射镀膜制作整流罩引信装置，包括镀膜盖盘、整流罩和底座，镀膜盖盘与底座通过连接件固定；镀膜盖盘包括外圈圆环和中心的遮挡板，外圈圆环内侧壁向内倾斜，并在内侧壁上开设环向的引信槽，在引信槽两端处的外圈圆环内壁上开设四条竖向的焊接槽，外圈圆环底部沿遮挡板外侧壁外周开设定位槽；整流罩为半球状，通过定位槽安装于镀膜盖盘与底座之间的中心位置。在安装了本装置的镀膜设备中进行磁控溅射镀膜可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的风险，并且经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时已变成低能电子，从而不会使基片过热。
一种磁控溅射镀膜制作整流引信装置

[发明专利]碳化硅粉料合成方法-CN202310433994.5在审
发明人：黄四江;王美春;李希超;刘得伟;尹归;杨海平;殷云川 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：碳化硅粉料合成方法，属于碳化硅合成技术领域，具体涉及一种新型的碳化硅粉料的合成方法。本发明的方法首先将硅粉进行研磨筛分，并与碳粉混合均匀，并加入稳定剂硅化铈；把混好的料放入钽坩埚内抽真空，开启加热设备升温度充入氩气，让原料中的氮杂质与钽坩埚反应，生成氮化钽；继续升高温度让碳粉与硅粉充分反应生成反应生成α‑SiC粉料；反应室抽气，使炉内气压下降，继续提高温度，直至反应完成，然后逐渐降温至室温，结束反应。本发明的方法，用于半绝缘型碳化硅粉料的合成效果较好，合成粉料中消除了硅和碳单质，合成的粒径更大。
碳化硅合成方法

[发明专利]激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法-CN202211310523.7在审
发明人：杨春柳;鲁闻华;李有云;刘汉保;韦华;牛应硕;杨杰 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法，涉及一种激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法，属于半导体加工技术领域。本发明的方法包括先用碱性溶液清洗再用酸性溶液清洗，从而减小晶片表面的氧化砷和氧化镓的比值。本发明的方法可以改善晶片表面的清洁度、微观粗糙度、均匀性、氧化层厚度及晶片表面氧化砷和氧化镓的比例。
激光器用砷化镓偏角 15 晶片清洗方法

[实用新型]碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长的结构件-CN202221331861.4有效
发明人：刘得伟;黄四江;沙智勇;殷云川;尹归;杨海平;王美春 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长的结构件，涉及碳化硅单晶生长领域。本实用新型包括籽晶托、坩埚、余料锭块和凸台，籽晶托设置有放置籽晶的平面，籽晶托固定在坩埚顶部；凸台设置在坩埚内壁上，余料锭块放置在凸台上；余料锭块下方的坩埚内填充有长晶粉料。本实用新型拆卸方便，能够重复使用，更好的支撑余料锭块，使余料锭块更水平的放置，减小了余料锭块与坩埚之间的间隙，避免了石墨化碳颗粒通过间隙传输进入长晶界面；碳化钽耐受高温，与石墨坩埚紧密贴合，阻止了长晶组分中的硅与石墨坩埚中的碳反应，降低了石墨坩埚的高温腐蚀，还能够改善长晶过程中的组分富碳。
碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长结构件

[实用新型]坩埚下降法锗单晶生长装置-CN202221582683.2有效
发明人：刘得伟;李宝学;黄四江;杨涛;尹归 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：坩埚下降法锗单晶生长装置，涉及锗单晶生长领域。本实用新型包括坩埚、保温桶、炉室、加热器、升降组件和支撑底座，炉室放置在支撑底座上，保温桶设置在炉室内，坩埚设置在保温桶内；升降组件放置在支撑底座中点处，升降组件穿过保温桶底部，坩埚放置在升降组件上；加热器为三组，从上至下等距设置在保温桶与坩埚之间的夹层中，分为高温区、梯度区和低温区。本实用新型能够较好的解决大尺寸锗单晶生长时的变晶问题，方便的调整保温毡形状和尺寸，能够控制长晶温度梯度在合理的区间，获得的长晶固液界面更平坦，生长的大尺寸锗单晶更好的保持单一晶型。
坩埚下降法锗单晶生长装置

[实用新型]PVT法生长碳化硅单晶用的石墨盖-CN202221065895.3有效
发明人：刘得伟;黄四江;李宝学;王美春;沙智勇;殷云川;尹归;杨海平;普世坤 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅单晶生长热场装置领域，具体公开一种PVT法生长碳化硅单晶用的石墨盖，包括籽晶托和导流部件，所述导流部件与籽晶托通过螺纹或卡扣连接，包括圆筒状的扩径环和导流环，所述扩径环和导流环之间间隔一定距离，和籽晶托合围形成循环腔室，并设置有导流斜面。采用该技术方案，石墨盖与石墨坩埚连接，形成密闭或半密闭用于晶体生长的空间；有导流斜面，引导碳化硅粉料气氛流向，使升华的粉料气氛更集中的向籽晶处传输；有气氛循环腔室与长晶发生的空间进行长晶组分的传输，以及调控长晶组分的流向。在碳化硅单晶生长的热场中使用该石墨上盖，有效解决了晶型夹杂、位错密度大、生长速率不高等问题，生成的单晶良率和品质得到提高。
pvt 生长碳化硅单晶用石墨

[发明专利]一种碳化硅籽晶的粘接后的碳化方法-CN202210688205.8在审
发明人：黄四江;王美春;沙智勇;刘得伟;尹归;杨海平;殷云川 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅单晶生长前处理领域，具体公开一种碳化硅籽晶粘接后减少空腔的碳化方法，（1）把高纯石墨板放在井式炉炉底，然后再把石英筒放置在石墨板上；（2）把粘接好籽晶的石墨台放置到石英筒内，在石墨台上的籽晶上放置一张圆形石墨纸作为缓冲层，再往上面放置压铁；（3）启动井式炉真空泵，进行10‑30min的抽气，（4）打开进气孔阀门，以0.1‑0.3MPa的流量通入氩气然后开始加热；（5），以30%的漏率抽真空，开启井式炉底部的加热电阻丝进行加热，加热程序设定为3‑6h加热到碳化温度400‑600℃，在碳化温度保温0.5‑2h后结束加热，并让其自动降温到室温；本发明通过利用底部的电阻丝加热，中间气泡和有机胶中挥发物排出完全，长出的晶体表面光滑平整。
一种碳化硅籽晶粘接后碳化方法

[发明专利]利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法-CN202210606746.1在审
发明人：刘得伟;沙智勇;黄四江;殷云川;尹归;杨海平;王美春 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，涉及碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶长晶余料再次用于晶体生长的方法。本发明的方法余料返料切割为块状，至少为一块设置在长晶坩埚中，籽晶长晶表面与最上层余料返料的上表面之间的距离为30~50mm，余料返料下依次设置硅粉层及碳化硅粉料。使用该方法，相比较传统的余料使用方法或处理工艺，有良好的效果：一是，余料用于再次长晶，避免了资源的浪费，降低了长晶成本；二是，处理的流程较为简单，不容易在处理过程中引入新的杂质；三是，生长的晶体品质与完全使用粉料长晶达到了同样的水平。
利用碳化硅长晶余料进行晶体生长方法

[发明专利]提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法-CN202210525822.6在审
发明人：黄四江;刘得伟;王美春;沙智勇;尹归;杨海平;殷云川 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，属于PVT法碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长工艺中晶体生长的控制工艺。本发明的工艺步骤包括，高压升温、降压变压生长以及升压结束生长和退火过程，其中降压变压生长维持炉内温度2200‑2400℃，经3‑5h缓慢降低炉内气压达到10‑20mbar的低压，再经60‑100h把10‑20mabr的炉内压力线性降低到6‑8mbar，长晶炉的线圈以0.1‑0.5mm的速度向下移动。利用本申请的方法可以使碳化硅晶体厚度由目前15‑25mm的水平提高到30mm以上，解决了目前PVT法碳化硅晶体生长工艺中原料利用率低，生产效率低，剩料多回收困难的问题。
提高 pvt 碳化硅晶体生长厚度方法

[发明专利]一种非制冷长波红外连续变焦光学系统-CN202110069261.9有效
发明人：许求真;吴骏原;高良;陆贵兵 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G02B15/173 文献下载
摘要：本发明属于连续变焦光学系统领域，具体的，本发明公开一种非制冷长波红外连续变焦光学系统，沿光轴从物面到焦面依次设置有前固定镜组、变倍镜组、补偿镜组、像差稳定镜组、后固定镜组和滤光片，变倍镜组、补偿镜组和像差稳定镜组沿光轴方向前后直线移动实现连续变焦，后固定镜组沿光轴方向前后移动实现离焦补偿，本发明光学系统采用机械补偿变焦方式，变焦核由变倍组、补偿组和像差稳定镜组构成，为三动组结构，能够实现焦长比不小于1、变倍比不小于6、相对孔径不大于1.2的连续变焦功能，在焦距连续变化的过程中，所有焦距中心视场及边缘视场均具有较好的成像质量。
一种制冷长波红外连续变焦光学系统

[发明专利]一种非制冷型中长波宽波段共焦红外光学系统-CN202110142328.7有效
发明人：许求真;高良 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02B13/14 文献下载
摘要：本发明属于一种红外光学系统，特别是公开了一种非制冷型中长波宽波段光学系统，包括从物面到焦面依次排列固联的物镜组、成像镜组、滤光片；所述物镜组、成像镜组、滤光片中心轴线同轴，物镜组和成像镜组均具有正光焦度，物镜组为四分离透镜结构，从物面至焦面沿光轴方向依次为第一正透镜、第一负透镜、第二正透镜和第二负透镜，成像镜组为单透镜结构，由第三正透镜构成，本发明光学系统采用普通红外光学材料，能够对与大孔径化相伴而生的像差良好地进行校正，可实现中长波红外宽波段范围的共焦成像，以及不小于F数1.1的相对孔径，并实现了光学系统的无热化，光学系统易于制造、成像品质高、稳定性好。
一种制冷长波波段红外光学系统

[发明专利]一种工作于14～16μm波段的红外连续变焦系统-CN202110069253.4有效
发明人：许求真;高良;吴骏原;陆贵兵 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G02B15/173 文献下载
摘要：本发明属于特殊红外长波波段连续变焦光学技术领域，具体公开一种工作于14～16μm波段的红外连续变焦系统，包括沿光轴从物方到像方依次设置的前固定组、变倍组、补偿组、后固定组、平场镜、气室前封窗、气室后封窗和滤光片，变倍组沿光轴移动实现连续变焦，补偿组沿光轴移动实现变焦补偿，所述前固定组、变倍组、后固定组、气室前封窗和气室后封窗的材料为ZnSe，所述补偿组和滤光片的材料为Ge，从系统材料构成来看，除了补偿组3为了色差校正是材料Ge外，其余镜片全部是ZnSe，保证了在14～16μm工作波段内有尽可能高的能量透过性能，且系统并没有增加镜片数。
一种工作 14 16 波段红外连续变焦系统

[发明专利]一种零位错P型锗单晶制备方法-CN202111660623.8在审
发明人：李宝学;刘得伟;林作亮;李长林;李国芳;黄四江;沙智勇;陆贵兵;普世坤 -专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800～1000mm，通过本发明的技术方案，极大的降低了大尺寸锗单晶的位错密度，特别的可获得位错密度为零的6英寸锗单晶，更加适用于锗衬底化合物半导体叠层电池所要求的电学性能。
一种零位型锗单晶制备方法

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