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[发明专利]一种功率半导体器件及其制备方法-CN202310639333.8在审
发明人：史文华 -专利权人：清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率半导体器件及其制备方法，功率半导体器件包括：位于漂移层背离半导体衬底层一侧表面的第一横向电流扩展层，第一横向电流扩展层的导电类型与漂移层的导电类型相同，第一横向电流扩展层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度；位于第一横向电流扩展层背离漂移层一侧表面的器件层；器件层包括：若干横向间隔设置的有源掺杂区；位于有源掺杂区和部分第一横向电流扩展层之间的第二横向电流扩展层，第二横向电流扩展层未延伸至相邻有源掺杂区之间区域的下方，第二横向电流扩展层的导电类型与第一横向电流扩展层的导电类型相同，第二横向电流扩展层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度。
一种功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111673423.6在审
发明人：张清纯;史文华;李敏 -专利权人：清纯半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层；位于所述漂移层中的横向电流扩展层，所述横向电流扩展层的导电类型与所述漂移层的导电类型相同，所述横向电流扩展层的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度；位于所述漂移层中顶部区域的有源掺杂区，所述有源掺杂区至少位于部分横向电流扩展层的上方，所述有源掺杂区的导电类型与所述漂移层的导电类型相反。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种电流扩展层的生长方法及含此结构的LED外延结构-CN201610230305.0有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流扩展层的生长方法，包括周期性生长4‑10个单件，所述单件由下至上依次包括P型InGaN层和SixAl(1‑x)N层或者SixAl(1‑x)N和P型InGaN层。本发明还公开了一种包括上述电流扩展层的LED外延结构。本发明采用电流扩展层，利用GaN的高能带作为势磊阻挡电子过快由N层传播到发光层，纵向传播比较拥挤的电子遇到GaN能带的阻挡适当的横向扩散开来；同时电流扩展层形成高浓度的二维电子气，二维电子气的横向迁移率很高，加速了电子的横向扩展，宏观上电流通过电流扩展层时被有效地扩展开来，随之改善的是发光层电流的分布变得均匀，从而使得LED各方面的性能能够得到提升。
一种电流扩展生长方法结构 led 外延

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310462453.5在审
发明人：周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上制备外延发光结构；在ITO电流扩展层上制备临时保护层，在临时保护层上刻蚀形成制备槽；对临时保护层的一侧进行氢离子吹扫作业，使露出部分的ITO电流扩展层表面的氧原子与氢离子结合，以在制备槽处形成高电阻层。通过使氢离子与制备槽中ITO电流扩展层表面的氧原子结合，可以使ITO表面的电阻增大，甚至失效，以形成高电阻层，间接减薄ITO厚度，降低电流横向扩展的电阻，电极扩展层位于高电阻层内侧，以使得电流扩展每隔一段距离拥有电流的加速效果，提高电流扩展能力，从而实现电流横向扩展更远，使电流可以达到芯片的边缘位置。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201610002739.5有效
发明人：王绘凝;许圣贤;彭康伟;林素慧;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，从下至上依次包括：衬底；发光外延层，由半导体材料层堆叠而成，形成于衬底之上；掺有导电性的金属纳米基团的电流扩展层，形成于所述发光外延层之上；对可见光具有高透过率的金属纳米基团，形成于所述电流扩展层之上。掺有导电性的金属纳米基团，分散于所述电流扩展层的内部，减小电流扩展层的横向电阻，以提高电流横向扩展的均匀性；对可见光具有高透过率的金属纳米基团，分布于所述电流扩展层上表面，起到粗化的效果，以增加光的提取效率
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管及制作方法-CN201810939754.1有效
发明人：刘英策;刘昭;李俊贤;魏振东;邬新根 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及制作方法，通过在钝化层上形成多个通孔，电流从第一电极注入，经过通孔结构传至电流扩展层，以增加横向电流扩展。并且，通过形成电流扩展凹槽，且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形，以增大出光面，增加纵向电流扩展，进而提高发光二极管的出光效率。并且，该发光二极管的制作方法简单。
一种发光二极管制作方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法-CN201510877969.1在审
发明人：杨恕帆;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，其在发光外延叠层的出光面上设置电连接层，可由介电层间隔从而不相连，表面经CMP处理后在极平坦的面上镀上透明电流扩展层，从而降低透明电流扩展层的横向传导阻值并代替金属扩展条进行横向传导
发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法-CN201310435895.7有效
发明人：金迎春;徐瑾;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：所述芯片包括衬底、依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层、p型层和电流扩展层、以及设于所述n型层上的n型电极和设于所述电流扩展层上的p型电极，从所述电流扩展层之与所述p型电极接触的区域到所述电流扩展层的边缘，所述电流扩展层的厚度逐渐变薄。本发明通过从电流扩展层之与p型电极接触的区域到电流扩展层的边缘，电流扩展层的厚度逐渐变薄，其片电阻逐渐增加，逐渐增加的片电阻会逐渐减弱横向扩展的电流，防止了电流在电流扩展层的边缘聚集，并且该逐渐变薄的电流扩展层均衡了电流在电流扩展层不同区域的分布，提高了电流的使用效率和芯片的发光效率。
一种发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]具有梯田状的内部阶梯部的半导体芯片和制造半导体芯片的方法-CN201880040700.X有效
发明人：亚历山大·通基赫 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种半导体芯片(10)，所述半导体芯片具有半导体本体(2)、电流扩展层(3)和接触结构(4)，其中所述半导体本体包括第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和位于其间的有源层(23)，并且所述电流扩展层沿着竖直方向设置在所述接触结构和所述半导体本体之间所述半导体本体具有多个内部的阶梯部(24)，所述阶梯部梯田状地构成，其中所述接触结构包括多个带状导线(42)，所述带状导线在其横向取向方面关于内部的阶梯部的横向取向设置为，使得沿着所述内部的阶梯部的电流扩展相对于横向于所述内部的阶梯部的电流扩展被促进
具有梯田内部阶梯半导体芯片制造方法

[实用新型]一种改善电流扩展效率的发光二极管-CN200820213577.0无效
发明人：胡加辉;廖家明;杨仁君;沈志强;朱国雄;江明璋 -专利权人：世纪晶源科技有限公司
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种改善电流扩展效率的发光二极管，该发光二极管包括衬底、N型电流扩展层、多量子阱有源发光区、P型电流扩展层、透明导电层、P电极及N电极，其中，所述的P型电流扩展层内形成有一电流阻挡区，该电流阻挡区内设置有电流阻挡层；本实用新型采用离子植入的方式在P型电流扩展层内形成电流阻挡层，它能使P型电极注入的电流横向扩展到电极下方以外的有源发光区，使P电极下方无电流，不发光，增加了发光效率，减少了焦耳热的产生，提高了器件的热性能
一种改善电流扩展效率发光二极管

[发明专利]一种电极及其制备方法-CN202210990133.2在审
发明人：李伟森;罗建耀;葛丹吟;区健铨;范东华;郝锐;廖嘉颖;曹阔;吴文静;谢承洋 -专利权人：五邑大学
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极及其制备方法，其中电极包括由下至上依次连接的反光层、电流扩展层和外延层；电流扩展层包括欧姆接触电极层和绝缘层，欧姆接触电极层和绝缘层形成网状结构；通过欧姆接触电极层和绝缘层所形成网状结构的电流扩展层，使电流能够更好的横向扩展，从而起到改善电流分布的作用，提高电极的导电能力；通过反光层提高了光反射率；使得该电极兼顾电流扩展性和光反射性。
一种电极及其制备方法

[实用新型]一种发光均匀的倒装LED芯片版图布局结构-CN201520984327.7有效
发明人：张振;潘文明 -专利权人：江苏晶瑞半导体有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发光均匀的倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点、N电极焊点、N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极、LED芯片发光区；芯片为长方形，所述N电极电流扩展电极设置在芯片的横向中心位置；所述P电极电流扩展电极为2个，上下对称地设置于N电极电流扩展电极的两侧；所述P电极焊点设置在芯片左侧；所述N电极焊点设置在芯片右侧。本实用新型的倒装LED芯片版图布局结构做出的LED芯片，电流扩展好，分布均匀，电性较好，发光均匀，亮度高，可靠性好，寿命长。
一种发光均匀倒装 led 芯片版图布局结构

[发明专利]一种GaN垂直MOSFET器件及其制作方法-CN202111546236.1在审
发明人：张敬伟;贺峰;孙安信;李天运 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了提供了一种GaN垂直MOSFET器件及制作方法，涉及半导体技术领域，所述MOSFET器件包括：GaN外延层、GaN衬底和电流扩展层；所述电流扩展层位于所述GaN外延层及GaN衬底之间，利用金属对电流的良好的导电能力，在外延层下方插入，将JFET区流出的电流横向扩散到整个漂移区，从而将电流均匀扩展到整个芯片上，拓宽了导电路径。
一种 gan 垂直 mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层和制造方法-CN201810913923.4在审
发明人：万志;卓祥景;尧刚;林志伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层和制造方法，其中所述半导体芯片包括一衬底、一N型氮化镓层、一电流扩展层、一量子阱层、一P型氮化镓层、一N型电极和一P型电极，所述N型氮化镓层层叠于所述衬底，所述电流扩展层层叠于所述N型氮化镓层，其中所述电流扩展层包括相互层叠的至少一N‑GaN层和至少一U‑GaN层，所述量子阱层层叠于所述电流扩展层，所述P型氮化镓层层叠于所述量子阱层，所述N型电极被电连接于所述电流扩展层所述电流扩展层能够削弱所述半导体芯片的纵向电流扩展能力和提高横向电流扩展能力，这样，有利于电流的均匀分布，从而提高所述半导体芯片的发光效率。
电流扩展层半导体芯片发光二极管量子阱层电连接衬底横向电流扩展电流扩展发光效率扩展能力纵向电流量子阱制造削弱

[实用新型]发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层-CN201821295248.5有效
发明人：万志;卓祥景;尧刚;林志伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层，其中所述半导体芯片包括一衬底、一N型氮化镓层、一电流扩展层、一量子阱层、一P型氮化镓层、一N型电极和一P型电极，所述N型氮化镓层层叠于所述衬底，所述电流扩展层层叠于所述N型氮化镓层，其中所述电流扩展层包括相互层叠的至少一N‑GaN层和至少一U‑GaN层，所述量子阱层层叠于所述电流扩展层，所述P型氮化镓层层叠于所述量子阱层，所述N型电极被电连接于所述电流扩展层，所述P型电极被电连接于所述所述电流扩展层能够削弱所述半导体芯片的纵向电流扩展能力和提高横向电流扩展能力，这样，有利于电流的均匀分布，从而提高所述半导体芯片的发光效率。
电流扩展层半导体芯片发光二极管量子阱层电连接衬底横向电流扩展本实用新型电流扩展发光效率扩展能力纵向电流量子阱削弱

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