专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数码相机模组-CN200610032946.1有效
  • 吴英政;苏英棠 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;扬信科技股份有限公司
  • 2006-01-14 - 2007-07-18 - H04N5/225
  • 该基板上设置有多个上和下。该第一晶片固设在基板上,其上设置有多个第一,每一第一通过一引线与一上相电连接。该粘胶的高度高于连接第一晶片与上的引线的高度。该第二晶片通过粘胶固设在第一晶片上方,其上设有一感测和多个第二,每一第二通过一引线与一上相电连接。该盖体固设在第二晶片上。该镜座中空,罩设在影像感测晶片封装上。该镜头模组包括一镜筒和多个固设在镜筒内的镜片,该镜筒与镜座相连接且该镜片与第二晶片的感测相对应。
  • 数码相机模组
  • [实用新型]晶粒封装结构及其晶粒载板-CN201621072389.1有效
  • 张乃舜;陈再生 - 上海兆芯集成电路有限公司
  • 2016-09-22 - 2017-04-12 - H01L23/498
  • 载板具有晶粒承载面,晶粒承载面设有晶粒接合以及位于晶粒接合周围的阵列。阵列包括多个,晶粒承载面具有多个第一角落,而邻近第一角落的部分为接地。铜箔层具有对应第一角落的多个第二角落以及分别从第二角落延伸出的多个尖端结构,且接地垫被铜箔层覆盖。此晶粒载板具有静电防护功能。此外,本实用新型另提出一种具有此晶粒载板的晶粒封装结构。
  • 晶粒封装结构及其
  • [实用新型]半导体测试结构-CN201720510495.1有效
  • 王寅 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2017-05-09 - 2017-12-29 - H01L23/544
  • 本实用新型提供一种半导体测试结构,包括衬底,具有若干个均匀分布的有源;若干个第一多晶硅结构,平行分布并设置于有源上,第一多晶硅结构首尾连接构成一串联结构;源及漏,位于有源区内,且分别位于第一多晶硅结构相对的两侧;若干个第一连接通孔,设置于源及漏上;第一金属层,包括若干个第一金属块以及与所述第一金属块相连接的若干个第一金属条;第一金属块位于第一连接通孔上;第一金属条平行于第一多晶硅结构,且位于有源之间并连通位于有源同侧的第一金属块;测试组件,包括至少一个第一、第二、第三测试,其中,第一测试与串联结构相连接,第二、第三测试分别与源、漏相连的第一金属条相连接。
  • 半导体测试结构
  • [实用新型]内存芯片堆栈构造-CN02207983.1无效
  • 叶乃华;彭镇滨 - 胜开科技股份有限公司
  • 2002-03-26 - 2003-04-02 - H01L25/00
  • 本实用新型内存芯片堆栈构造,包括有一基板,其上设有一镂空槽;一下层内存芯片,其中央位置设有复数个,是设置于该基板上,而该复数个由该基板的镂空槽露出,并藉由复数条导线电连接该至基板的下表面;一上层内存芯片,其中央位置设有复数个,其系背对背地设置于该下层内存芯片上,使该复数个朝上;及一绝缘介质,其形成一透空,其设置于该上层内存芯片上时,该内存芯片的复数个由该绝缘介质的透空露出,且该绝缘介质上形成有复数条线路,并藉由复数条导线电连接至该上层内存芯片的及该基板的上表面。
  • 内存芯片堆栈构造
  • [实用新型]智能功率级模块的封装结构及晶圆结构-CN202120529132.9有效
  • 黄水木;苏子龙;王光峰 - 力智电子(深圳)有限公司
  • 2021-03-12 - 2021-10-08 - H01L23/488
  • 本实用新型公开了一种智能功率级模块的封装结构及晶圆结构,智能功率级模块的封装结构包括引线框架、第一芯片、第二芯片、导电夹,第一芯片与第二芯片分别具有第一表面、第二表面及侧壁,第二表面具有组件与切割,切割区位于组件的两侧;第二芯片还包括和绝缘层,设置于第二表面的组件,绝缘层设置于第二芯片的第二表面,并覆盖组件及切割,且暴露;第二芯片的侧壁露出绝缘层。该结构能够避免焊料形成的珠或隆起造成芯片的直接短路问题,提高成品的可靠性和稳定性。
  • 智能功率模块封装结构
  • [实用新型]一种半导体封装结构-CN201120486652.2有效
  • 彭兰兰 - 彭兰兰
  • 2011-11-30 - 2012-11-07 - H01L23/14
  • 本实用新型公开了一种半导体封装结构,包括半导体芯片、第一基板、第二基板和芯片支架,所述的第一基板上表面设有半导体芯片,一电连接和一非电连接,该电连接下方设有多个第一基板;该多个第一基板通过多个中间弹性导电元件连接对应于多个第一基板设置在第二基板上的第二基板;所述的第二基板垫上还设有一由绝缘材料制成的芯片支架,该芯片支架通过黏着层连接对应于第一基板的非电连接,并用于支撑第一基板;所述的第一基板与第二基板之间填充有吸湿材料;所述的第二基板的下表面还设有一提供对外信号输入或输出的球栅阵列
  • 一种半导体封装结构
  • [发明专利]一种提高与金属线球之间键合能力的方法及结构-CN201410549390.8在审
  • 王晓东 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-10-16 - 2016-05-11 - H01L21/60
  • 本发明提供一种提高与金属线球之间键合能力的方法及结构,至少包括:提供一设有顶层金属的晶圆;在顶层金属上依次沉积阻挡层和覆盖所述阻挡层的第一钝化层;刻蚀该第一钝化层至暴露出阻挡层为止,形成若干同心环状的沟槽;去除沟槽中的阻挡层;在所述第一钝化层表面及沟槽中依次沉积粘性薄膜和金属层,形成具有凸凹表面的金属;在所述金属垫上沉积第二钝化层,接着刻蚀第二钝化层直至暴露出凸凹表面的金属为止,形成至少一个;在所述焊接金属线球。该方法在金属垫上形成凸凹表面,在金属的凸凹表面的作用下,金属线球被紧紧抓牢,在不提高生产成本的基础上来提高金属线球与金属之间的键合能力。
  • 一种提高金属线之间能力方法结构

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