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[发明专利]只读存储器-CN202111548849.9在审
发明人： A·马扎基;M·利萨特;B·弗罗门特 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及只读存储器。本描述涉及包括至少一个第一可重写存储器单元的ROM。
只读存储器

[发明专利]只读存储器-CN201410289150.9有效
发明人：權彞振;倪昊;郑晓;赵子鉴 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种只读存储器。其中，该只读存储器包括：单元阵列，包括字线、位线，与字线和位线连接的晶体管；充电电路，位于单元阵列外部，与电源端和位线连接，用于在位线方向上对单元阵列进行充电。
只读存储器

[发明专利]只读存储器-CN201710654873.8有效
发明人：吕鑫邦;许齐修;郑仲皓;莫亚楠;蔡忠政 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C17/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种只读存储器，其结构包含多条往第一方向延伸的位线、多条与该位线平行的来源线、以及多条往与第一方向垂直的第二方向延伸的字符线，其中每两个存储器单元共用一个主动区域并经由一共同的来源线接触结构电耦接至其中一来源线
只读存储器

[发明专利]只读存储器-CN200910197171.7无效
发明人：张超 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-10-14 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种只读存储器，该只读存储器的读出放大电路包括：控制电压电路；第一晶体管，用于根据该第一晶体管的源极电流控制该第一晶体管的栅极电压，该第一晶体管的源极接收该存储单元的位线电流；第二晶体管，用于根据该第二晶体管的源极或者漏极电流控制该第二晶体管的栅极电压，该第二晶体管的源极或者漏极接收该读出放大电路的参考电流；第一放大器，该第一放大器与该第一晶体管反馈连接；第二放大器，该第二放大器与该第二晶体管反馈连接；电压型比较器，用于比较该第一、第二晶体管的栅极电压，并输出该存储单元中存储的数据。本发明的只读存储器能够使存储单元的位线电压相对电源电压保持稳定、读出速度也相对稳定、功耗低。
只读存储器

[发明专利]只读存储器-CN98101966.8无效
发明人：崔秉淳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-05-22 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：公开了一种只读存储器，其具有一组分别与主位线和辅位线相连的存储器块，一组用于存储信息的存储器单元，以及用于通过该主位线读取存储在存储器单元中的信息的读取放大器。该存储器还具有一个放置在这些块之间并具有一组连接主位线和辅位线的块选择晶体管的块选择部分。辅位线延伸到至少一个相邻的块并通过块选择部分另外连接到主位线。
只读存储器

[发明专利]只读存储器转接装置-CN200710084936.7有效
发明人：王景容;余嘉兴 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本发明为一种只读存储器转接装置，应用于一只读存储器仿真装置与一主机板之间，该主机板上具有一总线控制器与一只读存储器，而该只读存储器转接装置则包含有一连接装置与一转接控制器，其中该转接控制器可将该只读存储器仿真装置中的一测试码写入该只读存储器中，或是写入该只读存储器转接装置中的一测试用只读存储器中，而该总线控制器则能通过该连接装置和该转接控制器、该只读存储器或该测试用只读存储器之间的连接关系，来对该测试码进行读取与测试。
只读存储器转接装置

[发明专利]只读存储器单元阵列及其制作方法-CN200810112776.7有效
发明人：蔡建祥;陈清 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种只读存储器单元阵列，包括：若干只读存储器单元，所述的只读存储器单元包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的栅介质层和栅极，所述若干只读存储器单元包括第一类只读存储器单元和第二类只读存储器单元，所述第一类只读存储器单元的栅极上完全覆盖低阻态材料层本发明还提供了所述的只读存储器单元阵列的制作方法，其与逻辑器件的制作方法完全兼容，不需要采用单独的掩膜板，也能够同时满足存储器件和逻辑器件的性能要求。
只读存储器单元阵列及其制作方法

[发明专利]选项只读存储器程序代码的地址搜寻方法-CN200910168591.2有效
发明人：吴明城 -专利权人：英业达股份有限公司
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种选项只读存储器程序代码的地址搜寻方法，用以搜寻计算机系统的选项只读存储器程序代码在计算机系统的系统内存的地址，地址搜寻方法包含下列步骤：加载基本输入输出系统只读存储器至系统内存；启始基本输入输出系统只读存储器的选项只读存储器的核心部分；取得基本输入输出系统只读存储器起始搜寻地址；以及根据对齐参数，自起始搜寻地址每隔相当对齐参数的位数对系统内存搜寻选项只读存储器程序代码的地址；当未搜寻到选项只读存储器程序代码的地址，自起始搜寻地址逐位搜寻系统内存，直到搜寻到选项只读存储器程序代码的地址。
选项只读存储器程序代码地址搜寻方法

[发明专利]测试只读存储器的电路及其测试方法-CN03128964.9无效
发明人：尚为兵;孙恩强;印义言 -专利权人：上海华园微电子技术有限公司
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种测试只读存储器的电路及其测试方法，通过只读存储器控制信号端(2)，读只读存储器信号的控制电路(3)，只读存储器数据运算电路(4)和输出电路(5)对只读存储器(1)的测试以及对测试结果的数据输出的判断，以检验只读存储器(1)内固化的COS(片内操作系统)数据是否正确，保证了IC卡的安全使用。
测试只读存储器电路及其方法

[实用新型]测试只读存储器的电路-CN03231629.1无效
发明人：尚为兵;孙恩强;印义言 -专利权人：上海华园微电子技术有限公司
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种测试只读存储器的电路，通过只读存储器控制信号端(2)，读只读存储器信号的控制电路(3)，只读存储器数据运算电路(4)和输出电路(5)对只读存储器(1)的测试以及对测试结果的数据输出的判断，以检验只读存储器(1)内固化的COS(片内操作系统)数据是否正确，保证了IC卡的安全使用。
测试只读存储器电路

[发明专利]设有闪存的装置的只读存储器升级速度改善方法-CN200610088422.4无效
发明人：亚在镛;郑泰焕 -专利权人：乐金电子（昆山）电脑有限公司
申请日： 2006-08-23 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明涉及设有闪存的装置的只读存储器升级速度改善方法，该方法包括：在引导加载器中准备作为程序代码的只读存储器数据和用于对原有只读存储器数据进行升级的只读存储器数据的步骤；在各个块中，对闪存的只读存储器数据和用于升级的只读存储器数据进行比较，若两个数据不同，则删除闪存的只读存储器数据并记录相应用于升级的只读存储器数据的步骤；若两个数据相同，则移到下一个块进行比较，若不同，则执行与上述相同的步骤，若相同，则再移到下一个块，反复进行这样的过程本发明提高了只读存储器数据升级的执行速度，改善了闪存中记录只读存储器数据的速度，缩短了升级所需的时间。
设有闪存装置只读存储器升级速度改善方法

[发明专利]选择只读存储器映像文件执行方法-CN200910006507.7有效
发明人：吴明城;卢义村 -专利权人：英业达股份有限公司
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G06F13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择只读存储器映像文件执行方法包含以下步骤：自一外围装置的一储存元件读取用以驱动外围装置的一选择只读存储器映像文件；将选择只读存储器映像文件加载至一内存；记录选择只读存储器映像文件加载内存中的一加载地址；自选择只读存储器映像文件取得一重新定位表；执行选择只读存储器映像文件的一地址更新程序，借此使地址更新程序根据加载地址以及重新定位表，更新选择只读存储器映像文件中至少一远呼叫区段地址；执行更新后的选择只读存储器映像文件
选择只读存储器映像文件执行方法

[发明专利]延伸只读存储器管理系统、方法及其管理主机-CN201410519366.X有效
发明人：何宽瑞 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： G06F9/455 文献下载
摘要：一种延伸只读存储器管理系统、方法及其管理主机。管理主机通过桥接器连接至计算主机，管理主机建立地址对照表以将虚拟功能及延伸只读存储器分配至计算主机。当计算主机提出请求以取得延伸只读存储器的尺寸时，管理主机依据地址对照表将对应于延伸只读存储器的影子暂存区块中的数据提供给计算主机。计算主机依据影子暂存区块中的数据分配计算主机中的存储器区块给延伸只读存储器，其中，当计算主机提出请求以通过桥接器取得延伸只读存储器的数据时，管理主机依据存储器区块提供延伸只读存储器的数据给计算主机。本发明可使虚拟功能支持延伸只读存储器。
延伸只读存储器管理系统方法及其主机

[发明专利]一种减少只读存储器漏电流的方法-CN201410056343.X在审
发明人：易敬军;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G11C17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少只读存储器漏电流的方法，计算待存入只读存储器的逻辑数据的总数；计算逻辑数据中高电平逻辑数据的数量；将逻辑数据存入只读存储器中；若高电平逻辑数据的数量大于逻辑数据的总数的一半，则将逻辑数据取反后存入只读存储器中本发明还公开了一种减少只读存储器漏电流的方法，通过获取待存入只读存储器的逻辑数据中高电平逻辑数据的存储地址；步骤二：将高电平逻辑数据的存储地址转换为只读存储器的存储单元阵列中同一行或同一列存储单元的地址；步骤三：将逻辑数据按转换后的地址存入只读存储器中。本发明以较小面积的芯片与较低的延迟减少只读存储器的漏电流和静态功耗，降低漏电流对数据存储与读取的干扰。
一种减少只读存储器漏电方法

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN200610106114.X有效
发明人：吴昭谊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-07-20 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及结合嵌入式闪速存储器及物理可编程只读存储器的存储器结构。其中该物理可编程只读存储器可作为一个存储器结构。而闪速存储器则可作为错误更新单元、备份存储器或额外的存储器单元。该物理可编程只读存储器单元则堆叠于该闪速存储器上方，并以三维的物理可编程只读存储器结构增加物理可编程只读存储器的密度。
存储器结构及其制造方法

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