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- [发明专利]静电放电保护电路装置-CN201210330111.X有效
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何永涵
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旺宏电子股份有限公司
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2012-09-07
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2014-03-26
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H01L27/02
- 本发明是有关于一种静电放电保护电路装置，包括具有第一导电型的基底、具有第二导电型的井区以及晶体管。晶体管包括位于基底中并且延伸到井区的具有第二导电型的第一掺杂区、具有第一导电型的第二掺杂区以及位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的基底上的栅极。此装置还包括具有第二导电型的第三掺杂区以及具有第一导电型的第四掺杂区，依序位于具有第一导电型的第二掺杂区外侧的基底中并且接地。此装置还包括具有第一导电型的第五掺杂区以及具有第二导电型的第六掺杂区，依序位于具有第二导电型的第一掺杂区外侧的井区中并且连接焊垫。当静电放电电压施加于焊垫时，静电放电电压耦合至栅极。
- 静电放电保护电路装置
- [发明专利]层叠封装的封装结构及其制法-CN201210218627.5有效
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詹英志;林俊廷
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欣兴电子股份有限公司
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2012-06-28
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2013-06-19
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H01L23/488
- 一种层叠封装的封装结构及其制法，该层叠封装的封装结构包括基板、绝缘保护层、置晶连接端、电性连接端、介电层、铜柱、半导体芯片、焊球与封装结构，该基板上分别具有多个置晶垫与多个电性接触垫，该绝缘保护层形成于该基板、置晶垫与电性接触垫上，该置晶连接端与电性连接端分别对应电性连接各该置晶垫与电性接触垫，该介电层形成于该绝缘保护层、置晶连接端与电性连接端上，并具有对应该置晶区与各该电性连接端的介电层开孔，该半导体芯片设于该介电层开孔中的置晶连接端上，该铜柱形成于各该介电层开孔中，该焊球形成于靠该置晶区较近的一侧的各该铜柱上，该封装结构叠置并电性连接于该焊球上。
- 层叠封装结构及其制法
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