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[其他]金属氧化物半导体绝缘工艺-CN101985000004651在审
发明人：帕特森 -专利权人：英特尔公司
申请日： 1985-06-15 - 公布日： 1989-04-05 - 主分类号：文献下载
摘要：在ＮＯＳ电路中形成场氧化区的一种工艺，最初热生长一层氮化硅密封衬底表面，以减少横向氧化，或者说减小沿衬底与氮化硅界面生成的鸟嘴，场氧的生长分两步，第一步为Ｈｃｌ气氛中的干氧氧化，第二步为湿氧氧化。
金属氧化物半导体绝缘工艺

[发明专利]金属氧化物半导体绝缘工艺-CN85104651.7无效
发明人：帕特森 -专利权人：英特尔公司
申请日： 1985-06-15 - 公布日： 1989-04-05 - 主分类号： H01C21/31 文献下载
摘要：在NOS电路中形成场氧化区的一种工艺，最初热生长一层氮化硅密封衬底表面，以减少横向氧化，或者说减小沿衬底与氮化硅界面生成的鸟嘴，场氧的生长分两步，第一步为Hcl气氛中的干氧氧化，第二步为湿氧氧化。
金属氧化物半导体绝缘工艺

[发明专利]一种基于双层复合结构的光阳极-CN201710267792.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：柳州博泽科技有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于双层复合结构的光阳极，该光阳极具体结构为：以FTO为基底，在FTO基底表面水热生长有二氧化钛纳米棒层，然后在二氧化钛纳米棒层之间设有氧化锌微球层、在二氧化钛纳米棒层之上设有二氧化钛空心球层
一种基于双层复合结构阳极

[发明专利]氧化镁锌薄膜及其制备方法-CN201811557586.6有效
发明人：颜涛;叶宁;温孟洁;张六文;周明奇 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镁锌薄膜，镁的摩尔含量是60％至75％。本发明还提供了氧化镁锌薄膜的制备方法，包括：清洗衬底，然后将衬底导入分子束外延生长系统；对衬底进行氢气氛热清洁；对衬底进行氧气氛退火原位处理；生长氧化锌缓冲层；生长氧化镁锌薄膜。本发明的氧化镁锌薄膜为单相纤锌矿氧化镁锌，镁含量高，带隙调控范围宽，使得氧化镁锌薄膜在深紫外波段得到更好应用。
氧化镁薄膜及其制备方法

[发明专利]沟槽型双层栅MOS多晶硅间高密度等离子体氧化膜的制造方法-CN201410482674.X有效
发明人：陈晨;陈正嵘;陈菊英 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种槽型双层栅MOS多晶硅间高密度等离子体氧化膜的制造方法，包括硅基板生长第一氮化膜；进行沟槽刻蚀；生长介质层；生长第一层多晶硅；对第一层多晶硅进行反刻蚀；去除第一层多晶硅上方沟槽侧壁的介质层；淀积第二氮化膜，刻蚀去除沟槽底部的第二氮化膜，露出第一层多晶硅；在第一层多晶硅上，生长热氧介质层；去除沟槽侧壁的第二氮化膜和硅基板表面的第一、二氮化膜；垫积高密度等离子体氧化膜，垫积厚度为4300埃至5000埃；湿法刻蚀高密度等离子体氧化膜；栅极氧化层生长；第二层多晶硅淀积与反刻蚀；形成基极和源极；形成接触孔、金属和钝化层。本发明与现有技术相比能提供更高的多晶硅间高密度等离子体氧化膜厚度稳定性。
沟槽双层 mos 多晶高密度等离子体氧化制造方法

[发明专利]注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法-CN201710466252.7有效
发明人：汤晓燕;姜珊;宋庆文;张艺蒙;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该制备方法包括：利用热壁LPCVD工艺在SiC衬底连续生长过渡层、第一漂移层、缓冲层、集电层；利用CMP工艺，去除SiC衬底和过渡层，刻蚀第一漂移层，形成第一沟槽，利用热氧化工艺在第一沟槽淀积氧化层；利用热壁LPCVD工艺在第一漂移层和第一沟槽表面生长第二漂移层；利用离子注入工艺，在第二漂移层形成P型阱区，在P型阱区形成P+接触区和N+发射区；刻蚀第二漂移层，形成第二沟槽，利用热氧化工艺在第二沟槽淀积多晶硅；淀积金属层形成发射极和集电极。本发明在槽栅两侧引入埋氧化层，增强了电导调制效应，降低了导通电阻，并不会导致关断时间明显增大，且在工艺上与现有工艺兼容。
注入增强 sic pnm igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓半导体叠层结构、制备方法及半导体装置-CN202111407953.6在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：广州华瑞升阳投资有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓半导体叠层结构、制备方法及半导体装置，本发明通过对硅衬底进行图形化处理，在硅衬底上表面加工隔离带，将硅衬底层上表面分离出多个互不相连的六边形生长平台，然后在六边形生长平台上生长GaN薄膜层，再在GaN薄膜层上生长α‑Ga2O3薄膜层；硅衬底层上表面六边形生长平台的设计，使得在其上生长的GaN薄膜互不相连，实现晶格失配和热失配导致的应力在大面积范围内无法形成合力，化整为零，可大幅降低应力影响，制备出高品质的GaN薄膜；另外在GaN薄膜层上生长α‑Ga2O3薄膜层，避免了直接在硅衬底上生长α‑Ga2O3薄膜层，硅衬底层上表面被氧化生成氧化硅
一种氧化半导体结构制备方法装置

[发明专利]一种镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极及其制备方法-CN202310229763.2在审
发明人：刘冀锴;周谷雨;代娜;胡勇 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开一种镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极及其制备方法。以掺氟氧化锡导电玻璃为基底，通过水热法在导电玻璃上生长三氧化钨种子层，将种子层进一步水热生长镍掺杂的三氧化钨纳米片，将镍掺杂的三氧化钨浸渍到氟化铵溶液中，制得镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极。所述镍掺杂和表面氟化共改性于三氧化钨纳米片的内部及表面，显著提升了三氧化钨光阳极的光电化学性能。可应用于光电催化分解水、光电催化降解污染物以及构建光电化学传感器等领域。
一种掺杂表面氟化改性氧化钨阳极及其制备方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201310186628.0有效
发明人：章舒;韩广涛;孙贵鹏 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括下列步骤在晶圆的衬底上生长氧化层；在晶圆表面涂覆光刻胶；使用第一光刻掩模版进行光刻，显影后露出第一注入窗口；通过第一注入窗口进行离子注入，在衬底内形成漂移区；去胶后再次于晶圆表面涂覆一层光刻胶；使用漂移区氧化层光刻掩模版进行光刻；对氧化层进行刻蚀，形成漂移区氧化层。本发明还涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件。本发明先生长漂移区氧化层，再进行漂移区注入。避免了热生长漂移区氧化层引起的漂移区注入离子的横扩区域浓度淡、导通电阻较高的问题，直接将较高浓度的离子注入到该区域，有效地降低了导通电阻。
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种利用普通多晶刻蚀设备刻蚀沟槽的方法-CN201310750598.1在审
发明人：王友伟 -专利权人：苏州同冠微电子有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用普通多晶刻蚀设备刻蚀沟槽的方法，包括如下步骤：（1）牺牲氧化及硬掩膜淀积；（2）光刻及硬掩膜刻蚀；（3）沟槽刻蚀及光刻胶去除；（4）去除硬掩膜及牺牲氧化层；（5）进行热修复及牺牲氧化层生长和（6）牺牲氧化层去除、清洗（7）栅氧生长。本方法在去除硬掩膜与牺牲氧化层后增加热修复与生长牺牲氧化层的步骤，用于修复刻蚀过程产生的损伤，并利用牺牲氧化将沟槽顶部及底部形貌进行圆滑处理，使后续栅氧的厚度和均匀性更好；使用本方法可以利用普通多晶硅刻蚀设备刻蚀出形貌优良
一种利用普通多晶刻蚀设备沟槽方法

[发明专利]一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法-CN201910319448.2有效
发明人：姜超;余延涛;王春齐;黄小忠;杜作娟 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C18/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)将掩模板固定于基底材料表面，四周密封；(2)在基底上形成诱导层，然后去除掩模板；(3)将带图案诱导层的基底放入水热反应釜中，在水热反应中诱导生长与基底图案一致的二氧化钛纳米棒阵列；(4)对二氧化钛纳米棒阵列间隙进行选择性填充，采用真空蒸镀工艺，对二氧化钛纳米棒阵列制作上电极，得到用于传感器、能源存储单元或者电子电路的器件。本发明通过引入掩模板，生长导电诱导层，从而控制二氧化钛纳米棒阵列的垂直生长，防止二氧化钛纳米棒发生倾斜和搭接，得到多种图案规则排布的阵列结构，满足能源存储器件，特殊传感器和电子电路器件对二氧化钛结构的质量要求
二氧化钛纳米棒阵列掩模板诱导层掩膜板传感器基底引入制备二氧化钛纳米棒电子电路器件基底材料表面能源存储单元真空蒸镀工艺能源存储器水热反应釜选择性填充垂直生长电子电路二氧化钛基底图案水热反应四周密封图案规则诱导生长阵列结构电极搭接导电放入排布去除图案生长制作

[发明专利]一种复合材料热防护用高温抗氧化涂层的制备方法-CN202211199886.8有效
发明人：曹生珠;熊玉卿;张凯锋;周晖;高恒蛟;成功;何延春;左华平;徐嶺茂;李中华;李毅 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合材料热防护用高温抗氧化涂层的制备方法，通过设计涂层制备方法，使SiC/C复合材料喷管高温抗氧化涂层耐受1800℃的工作温度和剧烈热震。采用如下步骤：将SiC/C复合材料喷管内壁表面用飞秒激光采用一定的能量密度和脉冲频率进行扫描，在内壁表面形成微纳复合的微结构，利用微纳结构实现与后期制备的防护用高温抗氧化涂层之间形成镶嵌结构。采用等离子体增强CVD技术，完成碳化硅和硼化铪组成的过渡层生长。采用Ir(acac)3、还原气体H2、Ar进行金属铱膜层制备。采用等离子体增强CVD技术，完成碳化硅和硼化铪组成的过渡层生长。重复10‑50次，完成周期性叠层结构的生长。采用等离子体增强CVD技术，完成碳化硅和硼化铪组成的耐烧蚀层生长。
一种复合材料防护高温氧化涂层制备方法

[发明专利]在集成电路中形成隔离的方法和结构-CN93118940.3在审
发明人：詹姆斯·R·菲斯特;普拉斯汉特·肯克阿伦;肯特·J·库珀;比切-彦-古彦 -专利权人：莫托罗拉公司
申请日： 1993-10-15 - 公布日： 1994-06-08 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：利用氮化硅场氧化掩模(18)之下的热生长二氧化硅和化学汽相淀积的二氧化硅叠层(14)实现无缺陷的场氧化隔离。该二氧化硅的叠层(14)形成在硅衬底(12)上，然后再在其上淀积一层氮化硅。继而将氮化硅光刻成型，以形成在硅衬底(12)上限定隔离区(22)的场氧化掩模(18)。在硅衬底(12)的隔离区(22)上生长场氧化物(34)，接着除去场氧化掩模(18)。
集成电路形成隔离方法结构

[发明专利]锗硅沟道形成方法-CN202210669454.2在审
发明人：李妍;辻直樹 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅沟道形成方法，其基于绝缘体上硅工艺，包括：提供一覆盖有牺牲氧化层和氮化层的绝缘体上硅半导体衬底，其划分为N型晶体管区域和P型晶体管区域；光刻胶涂布显影，通过刻蚀去除P型晶体管区域的牺牲氧化层和氮化层；仅在P型晶体管区域选择性外延生长锗硅层；在P型晶体管区域形成P型晶体管的锗硅沟道层和二氧化硅层；和锗硅沟道层上的二氧化硅层；刻蚀去除二氧化硅层；锗硅沟道层表面生长硅覆盖层；刻蚀去除表面的氮化硅层和氧化硅层，至此沟道形成，生长栅氧化层。本发明主要通过快速热退火的条件来控制锗硅沟道的厚度，能保证晶体管性能，且维持晶圆表面平整度也利于后续工艺的稳定性。
沟道形成方法

[发明专利]一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法-CN201910763840.6在审
发明人：甄建伟 -专利权人：大同新成新材料股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法，包括以下步骤：S1、在多晶硅衬底表面上通过热氧化生长法形成具有介质隔离作用的第一氧化层；S2、在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出通孔；S3、通过通孔，在第一氧化层表面，利用选择外延生长形成第一多晶硅层；S4、在第一多晶硅层上，利用热生长使硅与氧化剂在高温下反应形成第二氧化层；S5、在第二氧化层表面，利用选择外延生长形成第二多晶硅层；S6、在第二多晶硅层内靠近第二氧化层的区域处注入离子，形成金属杂质吸附层。
多晶硅层氧化层氧化层表面金属杂质外延生长通孔绝缘层上覆硅芯片绝缘体上硅结构氧化剂热氧化生长衬底表面介质隔离注入离子白点多晶硅光刻胶抗辐射热生长吸附层刻蚀成像游离电路曝光制作保证