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[发明专利]一种栅极制作方法和栅极结构-CN202310878225.6在审
发明人：车洪祥;王友伟;张焜;顾鹏程 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种栅极制作方法和栅极结构，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：提供包括沟槽的外延片；基于沟槽的表面生长栅氧化层；基于栅氧化层的表面制作硅层；基于硅层的表面淀积钛，以填充沟槽；对外延片进行退火，并在硅层与钛层的接触面形成硅化钛层。在沟槽中淀积金属钛代替传统多晶硅降低了导通电阻和功耗；同时由于沟槽中覆盖了一层硅，钛仅仅接触硅层而不会接触氧化层，避免了TiO 2的生成，防止电阻增大。
一种栅极制作方法结构

[发明专利]半导体金属化方法及半导体器件-CN202310886781.8在审
发明人：车洪祥;王友伟;张焜 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施方式提出一种半导体金属化方法及半导体器件，属于半导体技术领域，通过在待金属化的半导体器件的金属硅化物制作金属阻挡层，并通过该金属阻挡层形成第一通槽，从而将第一通槽作为待填充通槽，在待填充通槽内制作金属阻挡层，进而采用电镀的方式在待填充通槽内制作金属塞，之后进行平坦化，并在半导体器件上淀积第一介质层，继续在金属塞上制作金属层，并制作金属图形导线，进而淀积层间介质层，并在层间介质层上制作第二通槽，继续工艺流程直至金属化结束，实现采用电镀制作金属塞的方式，能够在待填充通槽完全塞满金属的前提下，极大地减小金属塞表面金属的厚度，从而能够降低工艺时长和工艺成本。
半导体金属化方法半导体器件

[实用新型]一种温度保护装置及动力电池组-CN202320736877.1有效
发明人： 王友伟;曾军;晋文章;龙宇 -专利权人：广东力科新能源有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01M50/581 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种温度保护装置及动力电池组，所述温度保护装置包括温度侦测电路和温度保护电路，所述温度侦测电路包括串联的多个常闭型的温度开关，所述多个常闭型的温度开关分别对应地设置于电芯组的表面上预定的多个侦测部位。本实用新型采用硬件设计实现电池异常高温的监测，通过多个温度开关实现对电芯组多点遍历式的监测，较之传统的监测方式，可靠性更高，不会出现因控制单元失效导致保护功能失效的情形，并能做到风险的及时发现，可以保证电池组使用更安全更可靠。
一种温度保护装置动力电池组

[实用新型]电源电路-CN202320486629.6有效
发明人：郭华列;晋文章;王友伟 -专利权人：广东力科新能源有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种电源电路，包括：电池组的正极分别与正极端子、稳压单元的输入端电连接，电池组的负极分别与检流电阻的第一端、第一可调电阻的第一端电连接；开关单元的第一端分别与检流电阻的第二端、第二可调电阻的第一端电连接，开关单元的第二端与负极端子电连接，开关单元的受控端与过流保护芯片的控制引脚电连接；稳压单元的输出端分别与第一分压单元的第一端、第二分压单元的第一端电连接；第一分压单元的第二端与第一可调电阻的第二端电连接；第二分压单元的第二端与第二可调电阻的第二端电连接；过流保护芯片的第一检测引脚与第一可调电阻的第二端电连接，第二检测引脚与第二可调电阻的第二端电连接。本申请能够调整过流检测电压值。
电源电路

[发明专利]一种半导体器件制作方法和半导体器件-CN202310821471.8有效
发明人：黄磊;吴盛凯;王友伟;徐雷军 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件制作方法和半导体器件，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：S1.提供一带有沟槽的外延片；S2.与竖直方向呈大于0的角度注入离子，使离子经过沟槽穿过沟槽壁面注入到外延层形成预注入区域；S3.在沟槽沉积多晶硅以完成沟槽的填充；S4.在沟槽之间注入离子以与预注入区域共同形成阱区。通过本申请的技术方案制造出的半导体器件的阱区的离子分布更加均匀，离子更好地填充阱区底部，接近理想状态，并减小了漏电流的产生。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]一种基于半导体器件的光刻方法-CN202310913108.9在审
发明人：曾渝;王友伟;徐雷军 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了基于半导体器件的光刻方法，涉及半导体技术领域；方法包括：提供蚀刻沟槽后的外延片；在外延片上涂布至少两次负光刻胶，其中负光刻胶涂布于外延片的台面并填充沟槽；对涂布后的光刻胶进行曝光；并在预设条件下对曝光后的光刻胶进行显影；其中，预设条件满足：温度区间为110摄氏度‑120摄氏度、时间窗口90秒‑120秒。本发明提供的光刻方法可有效解决了沟槽Trench填充不完全的问题，避免由于光刻胶厚度不够从而导致的显影液渗透腐蚀Trench内未感光的光刻胶从而导致表面开裂的问题；并在降低工艺复杂度的情况下，有效解决了光刻工艺在光刻图形与设计上的偏差问题。
一种基于半导体器件光刻方法

[发明专利]增加沟槽底部氧化层厚度的方法-CN202310821468.6在审
发明人： 王友伟;徐雷军;王成森;刘启星 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种增加沟槽底部氧化层厚度的方法，涉及半导体技术领域。增加沟槽底部氧化层厚度的方法包括：S1：在硅片上刻蚀出硅沟槽；S2：在硅片上以及硅沟槽内生长缓冲氧化层；S3：在缓冲氧化层上生长第一多晶硅淀积层、并掺杂；S4：刻蚀缓冲氧化层上的第一多晶硅淀积层；S5：在第一多晶硅淀积层上生长低温氧化层。增加沟槽底部氧化层厚度的方法利用掺杂多晶硅氧化速度比单晶硅氧化速度快的特性，在硅沟槽的底部保留适量的掺杂多晶硅，再经过氧化后硅沟槽底部形成的低温氧化层会明显比硅沟槽侧壁的低温氧化层厚，可以有效提高硅沟槽底部的低温氧化层的厚度，提高沟槽产品底部氧化层的厚度和质量。
增加沟槽底部氧化厚度方法

[发明专利]一种SGT-MOSFET的制造方法及SGT-MOSFET-CN202310821467.1在审
发明人：徐雷军;王友伟;杜盼晓;王成森 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种SGT‑MOSFET的制造方法及SGT‑MOSFET，属于半导体技术领域，包括：在外延片上刻蚀出的沟槽及外延片表面上形成氧化停止层，进行第一次多晶硅淀积，并对形成的多晶硅薄层进行多晶硅氧化，进行第二次多晶硅淀积以填满沟槽，填满后按序对沟槽内的多晶硅刻蚀和氧化，进而将裸露的杂质化合物进行腐蚀，对腐蚀后的外延片进行氧化以形成栅氧化层，并进行第三次多晶硅淀积以填充沟槽，去除外延片表面的多晶硅，保留沟槽内的多晶硅，能够使SGT‑MOSFET沟槽的底部厚度大于侧壁，极大地提高产品耐压，并减小产品应力，同时通过对沟槽内的多晶硅进行氧化，能够有效提高两层多晶之间的间距，降低源极和栅级电容。
一种 sgt mosfet 制造方法

[发明专利]虚拟电厂竞价方法、装置、系统、存储介质及设备-CN202310424320.9在审
发明人：王凯;卢怀钿;万常洪;杨伟康;赵翀;王友伟;肖瑶;杨忠鑫;刘玮;张炎萍;袁长敏 -专利权人：华能安源发电有限责任公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06Q30/0283 文献下载
摘要：本发明公开了一种虚拟电厂竞价方法、装置、系统、存储介质及设备，涉及虚拟电厂领域，可解决虚拟电厂如何将电动汽车作为用户侧负荷资源参与市场集中竞价的技术问题。其中方法包括：获取并网时间集，将并网时间集分为至少一个时段；构建个体电动汽车在时段的个体电量模型；获取个体电动汽车的预设数量，利用闵可夫斯基求和对预设数量个个体电量模型进行聚合，得到群体电动汽车在时段的聚合电量模型；根据聚合电量模型确定群体电动汽车在时段的群体申报电量，利用群体申报电量参与电厂竞价。
虚拟电厂竞价方法装置系统存储介质设备

[发明专利]一种吸尘器电池包及吸尘器-CN202310040328.5在审
发明人：马小阳;王友伟;边映枚 -专利权人：广东力科新能源有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01M50/244 文献下载
摘要：本发明公开了一种吸尘器电池包及吸尘器，包括面壳、底壳、设置在所述面壳和所述底壳之间的按键组件和电芯组件，所述电芯组件的各个电芯之间通过电芯连接片连接；所述电芯组件的侧面设置有电池充放电管理电池保护板组件，通过结构设计，满足过热蔓延测试的要求，提高安全性。
一种吸尘器电池

[发明专利]多电池无间断切换供电电路和切换方法-CN202211728749.9在审
发明人： 王友伟;谢清文;晋文章 -专利权人：广东力科新能源有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了多电池无间断切换供电电路和切换方法，该方法包括：若当前接入多电池无间断切换供电电路的外置电池包中，至少一个外置电池包的剩余电量大于第二预设阈值，则闭合第一放电支路上的第二开关；断开第一放电支路上的第一开关；闭合任一当前接入多电池无间断切换供电电路的外置电池包中的剩余电量大于第二预设阈值的外置电池包所在第二放电支路上的第三开关，以使当前接入多电池无间断切换供电电路的外置电池包中的剩余电量大于第二预设阈值的外置电池包对负载供电；断开第一放电支路上的第二开关；本发明的电路成本低且电池包间的无间断切换过程简单，能够方便地实现多电池包无间断使用及充电。
电池间断切换供电电路方法

[实用新型]具有快拆检修门的通风设备-CN202222223091.8有效
发明人：黄敬成;王友伟;张路平 -专利权人：威能（无锡）供热设备有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： F24F7/003 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有快拆检修门的通风设备，其包括壳体、收容在壳体内的替换芯、以及可拆卸地安装到壳体上的检修门。壳体于其一侧表面上设有检修开口，以使替换芯可被取出替换，检修门安装至壳体上后覆盖检修开口。该通风设备还包括设置在壳体和检修门上的活动接合机构，该活动接合机构包括设置在壳体和检修门之一上的卡槽和延伸入卡槽并在其内活动的卡扣件、以及设置在壳体和检修门的另一个上的扣合孔，上述卡扣件还包括扣持部，卡扣件在卡槽内活动的过程中扣持部与扣合孔扣合或脱扣。通过这种结构，可以在不借助工具的条件下将检修门快速安装至壳体上、或从壳体上拆卸下来。
具有检修通风设备

[实用新型]一种吸尘器电池包及吸尘器-CN202320120288.0有效
发明人：马小阳;王友伟;边映枚 -专利权人：广东力科新能源有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01M50/244 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种吸尘器电池包及吸尘器，包括面壳、底壳、设置在所述面壳和所述底壳之间的按键组件和电芯组件，所述电芯组件的各个电芯之间通过电芯连接片连接；所述电芯组件的侧面设置有电池充放电管理电池保护板组件，通过结构设计，满足过热蔓延测试的要求，提高安全性。
一种吸尘器电池

[发明专利]一种户外用便携式储能电源智能管理系统-CN202211553326.8在审
发明人： 王友伟;曾军;王敏 -专利权人：广东力科新能源有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种户外用便携式储能电源智能管理系统包括：便携式储能主控中心进行电池组管理；温度侦测模块获取便携式储能主控中心以及环境的温度信息，得到电池组温度信息和环境温度信息水分及灰尘侦测模块针对周围环境中的水分以及灰尘进行勘测，获得环境水分信息和环境灰尘信息；智能管理中心模块根据电池组温度信息和环境温度信息进行通风控制，并结合环境水分信息和环境灰尘信息进行通风调整；电动可控通风模块根据智能管理中心模块的通风控制以及通风调整进行通风处理。本发明提供的一种户外用便携式储能电源智能管理系统通过电动可控通风模块解决了散热问题，而且还能够避免环境水分以及环境灰尘对便携式储能电源造成损耗。
一种户外便携式电源智能管理系统

[发明专利]一种多串锂电充放电同口充电过流检测电路-CN202310019080.4在审
发明人：郭华列;晋文章;王友伟 -专利权人：广东力科新能源有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多串锂电充放电同口充电过流检测电路，包括电池组电压采集电路、充电控制电路、放电控制电路、检测回路电流电路、单节锂电保护IC供电电路和充电过流检测电路。本发明通过增加一个单独的充电过流检测电路，使得可在充电电流超过设定值时对充电电流进行限制，以保护电芯的安全，满足了大电流放电的应用场景，适于大范围推广应用。
一种多串锂电充放电充电检测电路

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