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[发明专利]芯片、其制备方法及电子设备-CN202210391100.6在审
发明人：黄伟川;陈东奇;谢雨思;林军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：在金属填充层和第一金属层之间插入第二金属层，可以简化选择性生长金属填充层之前的预处理工艺，在形成通孔后且未选择性生长金属填充层前仅需进行氧气等离子体处理，去除通孔内壁在刻蚀过程中产生的悬挂键和刻蚀副产物，针对第二金属层在氧气等离子体处理过程中被氧化的连接区，通过选择性生长金属填充层时预先在高温下通入的反应气体，可以还原第二金属层被氧化的连接区，替代现有的在选择性生长金属填充层前的氢气等离子体处理，减少了氧气等离子体处理和氢气等离子体处理之间平衡的问题，提高了选择性生长金属填充层在第二金属层和第二介质层之间的选择性，提升了金属填充层的选择性生长品质。
芯片制备方法电子设备

[发明专利]选择性钝化和选择性沉积-CN201910938338.4在审
发明人： J·W·梅斯;M·吉文斯;S·豪卡;V·帕鲁丘里;I·拉伊梅克斯;S·邓;A·伊利贝里;E·托伊斯;D·朗格里 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的发明名称为选择性钝化和选择性沉积。提供了用于选择性沉积的方法。材料相对于不同材料组成的第二表面被选择性沉积在衬底的第一表面上。将抑制剂(如聚酰亚胺层)相对于第二表面由气相反应物选择性地形成在第一表面上。将目标层相对于第一表面由气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，可利用本文所述技术将材料(如介电过渡金属氧化物和氮化物)相对于电介质表面选择性地沉积在金属表面上。
选择性钝化沉积

[发明专利]选择性钝化和选择性沉积-CN202210891880.0在审
发明人： J.W.梅斯;M.E.吉文斯;S.P.霍卡;V.帕鲁丘里;I.J.拉伊杰马克斯;邓少任;A.伊利贝里;E.E.托伊斯;D.朗格里;C.德泽拉;M.图米恩 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：提供了选择性沉积的方法。材料相对于不同材料成分的第二表面选择性地沉积在基板的第一表面上。相对于第二表面，在第一表面上由气相反应物选择性地形成抑制剂，例如聚酰亚胺层。相对于第一表面，感兴趣的层从气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，诸如介电过渡金属氧化物和氮化物的材料可以使用这里描述的技术相对于介电表面选择性地沉积在金属表面上。
选择性钝化沉积

[发明专利]一种选择性激光熔化成形操作方法-CN201610570555.9有效
发明人：刘欢;王林;徐春丽;苏枫;普雄鹰 -专利权人：北京隆源自动成型系统有限公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性激光熔化成形操作方法，采用全新设计操作方法，基于选择性激光熔化技术，针对目标工件各个水平截面层采用两次实体填充和一次轮廓扫描，且三次扫描过程中速度不同，如此周而复始的完成目标工件的制造过程，使激光可熔粉末更充分的填充到成型件的孔隙之中，即通过二次扫描使第一次扫描过程中留下的孔隙得到填充，从而提高了选择性激光熔化技术所获目标工件的致密度和表平整度，提高了选择性激光熔化技术制件的力学性能。
一种选择性激光熔化成形操作方法

[发明专利]用于选择性外延硅沟槽填充的方法-CN201510212599.X有效
发明人：戴维·汤普森;杰西卡·塞万尼·卡钦安;马克·莎莉;马蒂亚斯·鲍尔;布赖恩·安德伍德;舒伯特·楚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了在相对于电介质表面的基板表面上选择性地形成外延膜的方法。预处理所述基板表面以形成差异化的靶表面封端，所述差异化的靶表面封端可进一步反应以产生一个或更多个保护基。
基板表面靶表面差异化外延膜封端预处理电介质表面受保护表面选择性外延硅沟槽填充生长

[实用新型]集成电路芯片-CN201720615040.6有效
发明人： S·珀蒂迪迪埃;M·利萨特 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种集成电路芯片，该集成电路芯片包括互连堆叠，该互连堆叠具有形成于其中的空腔，该空腔至少填充有一种第一材料，该第一材料的抛光选择性和/或蚀刻选择性与形成该互连堆叠的材料的抛光选择性和/或蚀刻选择性相差超过
集成电路芯片

[发明专利]用印剂填充通路的方法-CN201710137950.2在审
发明人：亚里夫·平托;伊莱·阿苏林;多坦·阿韦拉;扬基尔·基梅尔布拉特 -专利权人：康代有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用印剂填充通路的方法。一种用于选择性处理板件的方法，该方法可以包括接收具有底侧和顶侧并且包括第一组钻孔和第二组钻孔的板件；至少部分地密封该第一组的任何贯穿孔的底部；通过选择性填充过程填充该第一组的具有顶部开口的任何钻孔以提供该第一组的至少部分填充的钻孔，而不填充第二组钻孔；以及通过选择性堵塞过程堵塞所述第一组的任何钻孔的顶部。
用印填充通路方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202010737827.6在审
发明人：安重镒;金成基;白国斌;崔恒玮;王桂磊;高建峰;田光辉 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括半导体基底；位于所述半导体基底上的有源区；与所述有源区连接的至少一个接触孔，所述接触孔包括在所述有源区处的凹槽；所述凹槽内填充有选择性外延生长硅层；在所述接触孔内填充有与所述选择性外延生长硅层连接的多晶硅层本发明在容易形成空洞的凹槽底部填充了选择性外延生长硅，从而实现100％消除孔洞的目的。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]选择性填充双折射微结构光纤式干涉型高灵敏度传感器-CN201711131121.X在审
发明人：韩婷婷;高静;石明珠 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G01D5/353 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性填充双折射微结构光纤式干涉型高灵敏度传感器，包括由功能材料选择性填充的双折射微结构光纤、外界传感参量加载装置、四端口光方向耦合器以及偏振控制器；功能材料选择性填充的双折射微结构光纤位于外界传感参量加载装置内由于所述功能材料选择性填充的双折射微结构光纤的群双折射在特定波长处接近于零，使得该波长附近的干涉光谱特性对外界物理量变化极其敏感，从而具有超高灵敏度的传感特性。
双折射微结构光纤选择性填充功能材料高灵敏度传感器加载装置干涉型参量传感光方向耦合器超高灵敏度反应灵敏度偏振控制器物理量变化传感特性干涉光谱宽带光源双折射四端口传感器波长光谱敏感覆盖

[发明专利]一种在高填充石头纸上选择性镀银的方法-CN201410125969.1无效
发明人：宋旭;钟泽;卢灿辉;何周坤;陈珍明 -专利权人：宋旭
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C25D5/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种在高填充石头纸上选择性镀银的方法，包括步骤有：（1）高填充石头纸选择；（2）高填充石头纸表面印刷图案；（3）电镀液配置；（4）高填充石头纸处理；（5）高填充石头纸镀银；（6）制成品获得，本发明通过化学镀银，在图案处沉积银，获得具有导电图案的石头纸，高填充石头纸由高密度聚乙烯填充碳酸钙制得，节能节水、节约木材，具有防水性能，镀银后，原先印有浆料处的银层具有高导电性，其余部分不导电，具有良好的选择性。
一种填充石头选择性镀银方法

[发明专利]沟槽结构内的选择性钨沉积-CN202180010141.X在审
发明人：徐翼;呼宇飞;任河;雷雨;尤适;大东和也 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供减少或消除选择性钨层的横向生长的方法。进一步实施方式提供整合的清洁和沉积方法，此方法改善在沟槽结构上选择性沉积的钨的选择性。另外的实施方式提供用于形成针对沟槽结构的更均匀和更有选择性的自底向上的间隙填充而具有改善的膜性质的方法。
沟槽结构选择性沉积

[发明专利]氧化铁颗粒选择性填充在纳米碳管中空管腔内的方法-CN200810229969.0有效
发明人：侯鹏翔;喻万景;李世胜;刘畅;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： B01J37/00 文献下载
摘要：本发明涉及氧化铁颗粒在纳米碳管中空管腔内的选择性填充，具体为一种氧化铁颗粒在纳米碳管中空管腔内选择性填充、氧化铁颗粒填充量和尺寸精确可控的方法和填充复合物的用途。得到阳极氧化铝膜/碳的复合物；把复合物放入硝酸铁溶液中，室温下超声震荡，取出阳极氧化铝膜/碳的复合物，干燥后在保护气氛下处理，将硝酸铁分解成氧化铁，然后去除阳极氧化铝模板，最后获得氧化铁颗粒在纳米碳管中空管腔内选择性填充的纳米碳管氧化铁颗粒选择性填充在纳米碳管中空管腔，氧化铁颗粒重量含量在5-70％之间精确均匀可控，氧化铁颗粒尺寸在1-10纳米可控。
氧化铁颗粒选择性填充纳米中空管腔内方法

[发明专利]太阳电池及其制备方法-CN202310552107.6在审
发明人：孙泽华;俞健;夏正月;叶浩然;闫灯周 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司;西南石油大学
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：提供硅片，并在所述硅片的其中一表面上制备电子选择性传输层；在所述硅片的另一表面上制备第一空穴选择性传输层，其中，所述第一空穴选择性传输层的材料为氧化钼；在所述第一空穴选择性传输层上制备第二空穴选择性传输层，其中，所述第二空穴选择性传输层的材料为氧化钨；在所述第二空穴选择性传输层上制备正面电极；以及在所述电子选择性传输层上制备背面电极。本发明能够提高所述太阳电池的开路电压和填充因子。本发明还提供了一种太阳电池。
太阳电池及其制备方法

[发明专利]被增强免受前侧攻击的集成电路芯片-CN201710391255.9在审
发明人： S·珀蒂迪迪埃;M·利萨特 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种集成电路芯片，该集成电路芯片包括互连堆叠，该互连堆叠具有形成于其中的空腔，该空腔至少填充有一种第一材料，该第一材料的抛光选择性和/或蚀刻选择性与形成该互连堆叠的材料的抛光选择性和/或蚀刻选择性相差超过
增强免受攻击集成电路芯片

[发明专利]具有选择性保护组件的选择性开关-CN200410089077.7有效
发明人：丁其零;陈颖;陈黎俊;周积刚;龚骏昌 -专利权人：上海电器科学研究所（集团）有限公司
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H02H3/093 文献下载
摘要：本发明揭示了一种具有选择性保护组件的选择性开关，包括一断路器组件和一选择性保护组件，断路器组件和选择性保护组件通过进/出线端实现电气连接，还通过机械连动装置实现机械连接，选择性保护组件中包括一电子延时脱扣装置电子延时脱扣装置包括：检测单元，检测电流并输出检测信号；电子控制单元，与检测单元相连，接收、分析检测单元输出的检测信号并产生控制信号；脱扣器，与电子控制单元相连，接收电子控制单元产生的控制信号，脱扣器连接到选择性保护组件中的操作机构本发明的有益效果是，其中的电子延时脱扣装置工作稳定，能精确地检测到短路电流、并作出快速判断和动作，借此提高了产品的测量精度，达到可靠的选择性保护作用。
具有选择性保护组件开关

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