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[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202010041094.2在审
发明人：程仲良;张毅敏;张翔笔;吕育玮;方子韦;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：形成集成电路器件的方法包括提供沟道区域并且在沟道区域上生长氧化物层。生长氧化物层包括引入提供氧的第一源气体和引入提供氢的第二源气体。第二源气体与第一源气体不同。生长氧化物层通过将氧结合至沟道区域的半导体元素以形成氧化物层并且将氢结合至沟道区域的半导体元素以形成半导体氢化物副产物来生长。可以在氧化物层上方形成栅极介电层和栅电极。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备及其应用-CN201210383122.4无效
发明人：杨洋溢;朱艺敏;曾承辉;褚天舒 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C25B3/12 文献下载
摘要：该稀土配位聚合物薄膜的制备方法包括两种途径：(A)电沉积耦合水热/溶剂热法：先在导电基底材料表面制备一层稀土氧化物或稀土氢氧化物薄膜；然后利用溶剂热或水热法，在稀土氧化物或氢氧化物的薄膜表面生长一层稀土配位聚合物薄膜
一种稀土配位聚合薄膜电化学制备及其应用

[发明专利]处理硅晶片以具有内部去疵与栅极氧化物完整性良率的方法-CN201780081673.6有效
发明人：李荣中;柳在祐;金昞天;罗伯特·J·法斯特;朴淳成;金泰勋;池浚焕;卡瑞喜玛·玛莉·哈德森 -专利权人：太阳能爱迪生半导体有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本公开涉及一种在包含含氮气体，如NH3或N2的环境气氛中进行快速热退火之后恢复硅晶片的栅极氧化物完整性良率的方法。通常，在包含含氮气体，如NH3或N2的环境气氛中进行快速热退火以借此为氧沉淀物分布加特征可通过暴露生长态晶体缺陷(氧沉淀物本发明通过剥离氮化硅层；之后进行晶片氧化；之后剥离氧化硅层来恢复GOI良率。
处理晶片具有内部栅极氧化物完整性方法

[发明专利]在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法-CN201010503967.3有效
发明人：熊涛;罗啸;陈瑜 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，包括如下步骤：1)先为在衬底上进行场氧化区的制备，而后进行高压器件区的栅氧化层生长前的工艺步骤；2)接着生长高压器件区的栅氧化层；3)之后进行低压器件区中栅氧化层生长前的工艺步骤；4)紧接着为SONOS非挥发性存储器区隧道窗口注入和刻蚀；5)在整个衬底上生长ONO介质层；6)去除高压器件区上的ONO介质层；7)采用光刻胶保护非挥发性存储器区的ONO介质层和高压器件区的栅氧化层，去除衬底上的ONO介质层和衬底上的衬垫氧化层，之后去除光刻胶；8)最后生长低压器件区的栅氧化层。
sonos 挥发性存储器工艺嵌入高压器件方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201911034397.5有效
发明人：宋利娟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成金属材料层；对所述金属材料层进行刻蚀，形成隔离沟槽结构和间隔的金属层；形成第一缓冲氧化层，所述第一缓冲氧化层覆盖所述金属层以及所述隔离沟槽结构的侧壁和底部；形成生长控制层，所述生长控制层覆盖所述第一缓冲氧化层的侧壁；形成填充相邻的所述生长控制层之间区域且覆盖所述第一缓冲氧化层和所述生长控制层的顶部的填充层，所述填充层在所述长控制层表面的沉积速率大于所述填充层在所述第一缓冲氧化层表面的沉积速率，以在位于所述隔离沟槽结构内的所述填充层中形成空洞。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管-CN202210470222.4在审
发明人：刘宏宇;吕元杰;王元刚;卜爱民;盛百城;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，上述方法包括：在氧化镓衬底的上生长氧化镓沟道层；对氧化镓沟道层进行离子注入掺杂形成源区；离子注入的深度小于氧化镓沟道层的厚度；在氧化镓沟道层上依次生长源电极层及掩膜层；对源电极层上及氧化镓沟道层上未被掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，形成沟槽；其中，氧化镓沟道层的刻蚀深度小于氧化镓沟道层的厚度大于离子注入的深度；在沟槽及掩膜层上生长P型介质层；在P型介质层上生长栅电极层；去除掩膜层；在氧化镓衬底的下表面制备漏电极。本发明采用自对准剥离技术，通过P型介质层形成PN结，制备过程简单，降低了垂直场效应晶体管的制备难度。
氧化垂直场效应晶体管制备方法

[发明专利]增透型超亲水氧化锌/二氧化钛复合纳米结构自清洁涂层及其制备方法-CN201410100388.2有效
发明人：孙再成;王明华;徐静涛;李国栋 -专利权人：江苏华天通纳米科技有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种增透型超亲水氧化锌/二氧化钛复合纳米结构自清洁涂层及其制备方法。本发明采用水热的方法在基片表面生长一层300-800纳米的ZnO纳米线阵列结构薄膜，然后在ZnO的表面生长一层TiO₂的纳米薄片。二氧化钛层的引入致使氧化锌纳米线阵列的接触角从原来的60°降低到10°左右。更重要的是TiO₂层可以在太阳光下有效地降解吸附在表面的有机污染物，实现自清洁的功效。
增透型超亲水氧化锌氧化复合纳米结构清洁涂层及其制备方法

[发明专利]ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法-CN202110719394.6在审
发明人：刘俊;凌晓宇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法：步骤一，ONO层生长，完成后整体的ONO层厚度为原目标厚度值+d；步骤二，湿法清洗步骤，目标刻蚀量为c；步骤三，测量ONO层的整体厚度，ONO层厚度测量值为b；步骤四，根据步骤三中计算出的刻蚀最终目标值选择相应的栅氧化层生长前的清洗工艺，栅氧化层生长前清洗工艺的刻蚀量=b‑最终ONO膜厚目标值；步骤五，栅氧化层生长；步骤六，生长制作栅极的多晶硅层。本发明针对ONO层中最顶层的HTO氧化层的工艺参数进行调整，在淀积形成ONO层时使形成的最顶层的HTO氧化层的实际厚度比设计目标厚度略高一些，减小淀积厚度误差以及清洗、湿法刻蚀误差所累积带来的误差问题。
ono 工艺中的 hto 氧化方法

[发明专利]一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构及制备方法-CN201310477860.X无效
发明人：张晓丹;许盛之;魏长春;黄茜;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2013-10-14 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构，包括湿法刻蚀制备金字塔形貌的硅衬底、ZnO种子层和在种子层基础上生长的氧化锌纳米柱或纳米锥，纳米柱或纳米锥的长度范围为200-1500nm，直径为20-200nm；其制备方法是，利用湿法刻蚀制备金字塔形貌，采用溶液浸沾法制备种子层，用水热法进行氧化锌纳米柱或纳米锥的生长制得。本发明的优点是：该陷光结构用于Si衬底太阳电池上，在400-1100nm范围内，长有氧化锌纳米柱的新型陷光结构的平均积分反射为5.1%，长有氧化锌纳米锥的新型陷光结构的平均积分反射率仅为2.5%，与传统的金字塔形貌陷光结构的平均积分反射
一种基于纳米氧化锌硅异质结电池结构制备方法

[发明专利]采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法-CN201010143078.0有效
发明人：王晓峰;杨华;刘祯;曾一平;王国宏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法，包括：第一步，生长缓冲层；第二步，生长电极层；其中，生长缓冲层时金属舟的温度比生长电极层低30至200℃；生长缓冲层时金属舟的载气流量是生长电极层时的1/10至1倍；生长缓冲层时衬底的温度比生长电极层时高0至150℃。利用本发明，有效改善了氧化锌透明电极的界面性质，降低了LED的工作电压和串联电阻。
采用 mvpe 步法制备氧化锌透明电极方法

[发明专利]一种应用于发动机中的陶瓷热障涂层及其发动机-CN201810291806.9在审
发明人：古金培 -专利权人：东莞传动电喷科技有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： F01D5/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于发动机中的陶瓷热障涂层，包括与金属基体热膨胀系数相匹配的粘结层、陶瓷层以及由于粘结层氧化形成的热生长氧化层，陶瓷层中还添加有氧化催化剂，其孔隙率大于金属粘结层的孔隙率；将本发明制得的陶瓷热障涂层应用于发动机中，陶瓷层中添加的氧化催化剂可利用过量的碳氢化合物和一氧化碳，并使碳氢化合物在转化为积碳之前，将其氧化，减少冷启动期间的燃料加浓，降低碳氢化合物和一氧化碳排放量，并可防止因积碳引起早燃现象的发生。
陶瓷热障涂层碳氢化合物陶瓷层发动机氧化催化剂孔隙率粘结层积碳应用一氧化碳排放量热生长氧化层金属粘结层热膨胀系数金属基体一氧化碳冷启动加浓早燃匹配过量燃料转化

[发明专利]一种生长高介电常数电介质叠层的方法-CN201310217735.5无效
发明人：赵威;刘洪刚;孙兵;常虎东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长高介电常数电介质叠层的方法，包括：采用热模式原子层沉积方法在衬底上生长第一层高介电常数电介质；采用等离子增强模式原子层沉积方法在第一层高介电常数电介质上生长第二层高介电常数电介质。本发明利用复合模式原子层沉积的叠层高介电常数电介质，相对于单一模式沉积得到的高介电常数电介质，既避免了衬底表面的离子损伤和界面氧化，又可以避免将器件长时间置于高温反应腔中引起电学性能退化，同时具有表面台阶覆盖好
一种生长介电常数电介质方法

[发明专利]在CMOS源漏掺杂时进行多晶硅栅注入的方法-CN201110282836.1有效
发明人：胡君;罗啸;刘冬华;段文婷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种在CMOS源漏掺杂时进行多晶硅栅注入的方法，多晶硅栅上形成有硅化钨和氮化硅，侧墙形成后，包括步骤：生长第一氧化层；淀积第二多晶硅层；淀积第三氧化层；对第三氧化层进行平坦化，将多晶硅栅上的氮化硅暴露出来；在多晶硅栅和源漏区中同时进行源漏离子注入；去除第三氧化层、第二多晶硅和第一氧化层；对注入离子进行热退火激活。
cmos 掺杂进行多晶注入方法

[发明专利]一种渗透汽化金属有机骨架UiO-66系列汽油脱硫膜的制备方法-CN201711191462.6有效
发明人：张雄福;吴飞超;刘海鸥 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： B01D71/06 文献下载
摘要：一种渗透汽化金属有机骨架UiO‑66系列汽油脱硫膜的制备方法，先在载体上引入一层与载体结合牢固的氧化锆溶胶层，获得具有氧化锆溶胶层的载体，然后溶剂热生长制备膜层；生长过程中，氧化锆溶胶层为UiO‑66系列膜提供金属源此外，由于UiO‑66系列材料比较稳定，得到的膜层可以长时间(>3d)连续操作保持性能稳定。
一种渗透汽化金属有机骨架 uio 66 系列汽油脱硫制备方法

[发明专利]一种光电器件及其制备方法、显示装置-CN202111362463.9在审
发明人：罗强 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请的光电器件包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层及阳极，电子传输层的材料包括纳米氧化锌和晶体生长抑制剂。通过加入晶体生长抑制剂，抑制纳米氧化锌的晶体生长。或者，电子传输层包括层叠设置的第一子膜层和第二子膜层；第一子膜层的材料包括纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌，第二子膜层的材料包括纳米氧化镍；其中，第一子膜层靠近阴极一侧，第二子膜层靠近发光层一侧，通过形成纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌与纳米氧化镍的复合层，束缚纳米氧化锌的晶体生长。从而避免电子传输层中的纳米氧化锌的晶体尺寸增大而破坏与电子传输层接触的发光层，从而改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减。
一种光电器件及其制备方法显示装置