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[发明专利]具有多厚度波导芯的波导和边缘耦合器-CN202310304997.9在审
发明人： 卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本公开涉及具有多厚度波导芯的波导和边缘耦合器。用于波导或边缘耦合器的光子学结构和制造用于波导或边缘耦合器的光子学结构的方法。该光子学结构包括波导芯，波导芯具有第一部分、与第一部分纵向相邻的第二部分、从第一部分沿竖直方向突出的第一多个段、以及从第二部分沿竖直方向突出的第二多个段。波导芯的第一部分具有第一厚度，以及波导芯的第二部分具有大于第一厚度的第二厚度。
具有厚度波导边缘耦合器

[发明专利]具有用于层间波导耦合的耦合器的光子集成电路结构-CN202310272436.5在审
发明人： 卞宇生;K·J·吉旺特 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请涉及具有用于层间波导耦合的耦合器的光子集成电路结构，公开一种光子集成电路(PIC)结构，包括具有第一端部的第一波导芯、具有覆盖第一端部并与第一端部物理分离的第二端部的第二波导芯、及配置成促进波导芯间的低损耗光信号传输的耦合器。耦合器可包括由嵌入端部间的包层材料中的光子材料元件(如光子晶体元件或光子超材料元件)组成的至少一个阵列。或者，耦合器可包括位于端部间并与其物理分离的至少一个光子材料层(如光子晶体层或光子超材料层)和由延伸穿过光子材料层的包层材料元件组成的阵列。还公开一种包括芯片上系统(如光子计算系统)的PIC结构，芯片上系统包括使用上述耦合器中的任一个实现的交叉阵列。
具有用于波导耦合耦合器光子集成电路结构

[发明专利]具有导电氧化物带的堆叠波导偏振器-CN202110274393.5有效
发明人： 卞宇生;李袁熙 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明涉及具有导电氧化物带的堆叠波导偏振器，涉及偏振器的结构以及形成偏振器的结构的方法。偏振器包括第一波导芯以及位于邻近该第一波导芯的侧表面的层。该层由第一材料组成，该第一材料具有虚部在从0至约15的范围的介电常数。第二波导芯位于该第一波导芯上方。该第二波导芯由第二材料组成，该第二材料的组分不同于该第一材料。
具有导电氧化物堆叠波导偏振

[发明专利]具有非线性锥的边缘耦合器-CN202310175912.1在审
发明人： 卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及具有非线性锥的边缘耦合器，提供用于边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。该结构包括位于衬底上方的后端工艺堆叠。该后端工艺堆叠包括波导芯，该波导芯具有纵轴及锥形段，该锥形段的宽度基于非线性函数随着沿该纵轴的位置而变化。
具有非线性边缘耦合器

[发明专利]用于层间波导耦合的耦合器的光子集成电路结构-CN202310177437.1在审
发明人： 卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请涉及用于层间波导耦合的耦合器的光子集成电路结构，公开了一种结构，包括具有第一端部的第一波导芯和具有第二端部的第二波导芯，第二波导芯覆盖第一端部并与第一端部物理分离。所述结构包括配置用于层间波导耦合的耦合器。具体地，所述耦合器包括垂直堆叠在第一端部和第二端部间并与第一端部和第二端部物理分离的附加波导芯。可选地，耦合器包括多个附加波导芯。各种波导芯的形状被配置为实现模式匹配，使得光信号在第一波导芯的第一端部和第二波导芯的第二端部间依次通过每个附加波导芯。本文还公开了一种包括使用耦合器实现的交叉阵列的结构。
用于波导耦合耦合器光子集成电路结构

[发明专利]光子芯片的后段制程堆叠中的堆叠边缘耦合器-CN202310204430.4在审
发明人： 卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开涉及光子芯片的后段制程堆叠中的堆叠边缘耦合器。提供了用于光子芯片的堆叠边缘耦合器。该堆叠边缘耦合器包括绝缘层、波导芯、第一辅助波导和后段制程堆叠。第一辅助波导位于绝缘层上。波导芯位于第一辅助波导上方并包括锥形部。后段制程堆叠位于波导芯上方。后段制程堆叠包括侧边缘、电介质层和第二辅助波导。第二辅助波导位于电介质层上并邻近侧边缘布置。第二辅助波导具有与波导芯的锥形部重叠的布置。
光子芯片后段堆叠中的边缘耦合器

[发明专利]包括超材料结构的槽形波导-CN202310174516.7在审
发明人： 卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及包括超材料结构的槽形波导，提供包括槽形波导的光子结构以及制造此类光子结构的方法。该光子结构包括具有第一波导芯以及邻近该第一波导芯横向设置的第二波导芯的槽形波导。该第一波导芯通过槽与该第二波导芯隔开。该光子结构还包括具有由多个间隙隔开的多个元件以及位于该多个间隙中的介电材料的超材料结构。该超材料结构与该槽形波导的该槽以重叠布置方式设置。
包括材料结构波导

[发明专利]具有连续布置的锥的边缘耦合器-CN202310155095.3在审
发明人： 卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及具有连续布置的锥的边缘耦合器，提供用于边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。该结构包括衬底、第一波导芯、以及在该第一波导芯与该衬底间沿垂直方向设置的第二波导芯。该第二波导芯包括锥以及邻近该锥纵向设置的倒锥。
具有连续布置边缘耦合器

[发明专利]包括超材料层的边缘耦合器-CN202310189841.0在审
发明人： 卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及包括超材料层的边缘耦合器，提供边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。该结构包括衬底、波导芯，以及在该衬底与该波导芯间沿垂直方向设置的超材料层。该超材料层包括由多个间隙隔开的多个元件以及位于该多个间隙中的介电材料。
包括材料边缘耦合器

[发明专利]用于光学组件的超材料层-CN202310127084.4在审
发明人： 卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及用于光学组件的超材料层，提供包括光学组件例如边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。该结构包括衬底、位于该衬底上方的波导芯、以及在该波导芯与该衬底间沿垂直方向设置的超材料层。该超材料层包括由一组间隙隔开的一组元件以及位于该组间隙中的介电材料。
用于光学组件材料

[发明专利]包括具有多个锥体的耦合区域的光探测器-CN202111049622.X有效
发明人：阿卜杜勒萨拉姆·阿博克塔夫;卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及包括具有多个锥体的耦合区域的光探测器，揭示了用于光探测器的结构和制造用于光探测器的结构的方法。一种光探测器包括耦合到波导芯的光探测器垫和耦合到所述光探测器垫的光吸收层。所述光吸收层具有主体、从所述主体向所述波导芯横向突出的第一锥体和从所述主体向所述波导芯横向突出的第二锥体。所述光探测器垫包括锥形区段，所述锥形区段横向位于所述光吸收层的所述第一锥体和所述第二锥体之间。
包括具有锥体耦合区域探测器

[发明专利]邻近光学部件定位的导热特征-CN202310123536.1在审
发明人： 卞宇生;H·迪克西特;T·莱塔维奇 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本申请涉及邻近光学部件定位的导热特征。本申请涉及包括光学部件的结构和制造包括光学部件的结构的方法。该结构包括具有波导芯的光学部件，以及邻近波导芯定位的多个特征。波导芯包含具有第一导热率的第一材料，特征包含具有大于第一导热率的第二导热率的第二材料。
邻近光学部件定位导热特征

[发明专利]用于温度控制的光学部件的热管理-CN202310124374.3在审
发明人： T·莱塔维奇;卞宇生;H·迪克西特 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本申请涉及用于温度控制的光学部件的热管理。本申请涉及包括光学部件的结构和制造包括光学部件的结构的方法。该结构包括：衬底；包括波导芯的光学部件；以及包括散热层的后段制程堆叠。光学部件在竖直方向上位于衬底和后段制程堆叠之间。波导芯包含具有第一导热率的第一材料，以及散热层包含具有大于第一材料的第一导热率的第二导热率的第二材料。
用于温度控制光学部件管理

[发明专利]具有堆叠的包覆材料层的光波导-CN202310094926.0在审
发明人： S·M·潘迪;卞宇生;F·O·阿夫扎尔 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及具有堆叠的包覆材料层的光波导，揭示包括波导芯以及围绕该波导芯的波导包覆层的光波导。该波导包覆层包括横向邻近该波导芯的侧壁设置的包覆材料层的至少一个堆叠，以使该堆叠中的各包覆材料层与该波导芯的该侧壁邻接。该堆叠中的各该包覆材料层与该波导芯相比具有较小的折射率，且该堆叠中的该包覆材料层的至少其中两个具有不同的折射率，从而调节场限制并改变光学模式的形状。不同的实施例包括在该堆叠中的不同数目的包覆材料层、该包覆材料层的不同堆叠顺序、不同的波导芯类型、在该波导芯的相对侧上的对称或不对称的包覆结构等。本发明还揭示形成该光波导的方法。
具有堆叠材料波导

[发明专利]用于光电子芯片的沟基光学组件-CN202010939531.2有效
发明人： C·米格尔;K·努米;卞宇生;阿乔伊·布凡努姆帝·雅各布 -专利权人：格芯公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及用于光电子芯片的沟基光学组件，其包括波导芯的结构和制造包括波导芯的结构的方法。介电层包括具有第一侧壁和第二侧壁的沟槽，且波导芯位于该沟槽的该第一侧壁和第二侧壁之间的该沟槽内。该波导芯具有第一宽度，该沟槽具有位于该第一侧壁和该第二侧壁之间的大于该第一宽度的第二宽度。
用于光电子芯片光学组件

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